Concentrazione intrinseca di portatori in condizioni di non equilibrio calcolatrice

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Caratteristiche del portatore di carica

Caratteristiche dei semiconduttori

Caratteristiche del diodo

Parametri elettrostatici

Parametri operativi del transistor

✖La concentrazione portante maggioritaria è il numero di portanti nella banda di conduzione senza distorsioni applicate esternamente.ⓘ Concentrazione di portatori maggioritari [n₀]			+10% -10%
✖La concentrazione di portatori di minoranza è il numero di portatori nella banda di valenza senza distorsioni applicate esternamente.ⓘ Concentrazione di portatori di minoranza [p₀]			+10% -10%

✖La concentrazione portante intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.ⓘ Concentrazione intrinseca di portatori in condizioni di non equilibrio [n_i]

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Formula

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Concentrazione intrinseca di portatori in condizioni di non equilibrio

Formula

`"n"_{"i"} = sqrt("n"_{"0"}*"p"_{"0"})`

Esempio

`"1E^8/m³"=sqrt("1.1e8/m³"*"9.1e7/m³")`

Calcolatrice

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Concentrazione intrinseca di portatori in condizioni di non equilibrio Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Concentrazione di portatori maggioritari*Concentrazione di portatori di minoranza)
n_i = sqrt(n₀*p₀)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 3 Variabili

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Concentrazione portante intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione portante intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.
Concentrazione di portatori maggioritari - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione portante maggioritaria è il numero di portanti nella banda di conduzione senza distorsioni applicate esternamente.
Concentrazione di portatori di minoranza - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di portatori di minoranza è il numero di portatori nella banda di valenza senza distorsioni applicate esternamente.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Concentrazione di portatori maggioritari: 110000000 1 per metro cubo --> 110000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione di portatori di minoranza: 91000000 1 per metro cubo --> 91000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

n_i = sqrt(n₀*p₀) --> sqrt(110000000*91000000)

Valutare ... ...

n_i = 100049987.506246

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

100049987.506246 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

100049987.506246 ≈ 1E+8 1 per metro cubo <-- Concentrazione portante intrinseca

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Akshada Kulkarni

Istituto nazionale di tecnologia dell'informazione (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni ha creato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

Verificato da Team Softusvista

Ufficio Softusvista (Pune), India

Team Softusvista ha verificato questa calcolatrice e altre 1100+ altre calcolatrici!

< 16 Caratteristiche del portatore di carica Calcolatrici

Concentrazione intrinseca

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità effettiva in banda di valenza*Densità effettiva in banda di conduzione)*e^((-Dipendenza dalla temperatura del band gap energetico)/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Sensibilità alla deflessione elettrostatica del CRT

Partire Sensibilità alla deflessione elettrostatica = (Distanza tra le piastre deflettrici*Distanza Schermo e Piastre Deflettenti)/(2*Deviazione del raggio*Velocità dell'elettrone)

Densità di corrente dovuta agli elettroni

Partire Densità di corrente elettronica = [Charge-e]*Concentrazione di elettroni*Mobilità dell'elettrone*Intensità del campo elettrico

Densità di corrente dovuta ai buchi

Partire Densità di corrente dei fori = [Charge-e]*Concentrazione dei fori*Mobilità dei fori*Intensità del campo elettrico

Costante di diffusione degli elettroni

Partire Costante di diffusione elettronica = Mobilità dell'elettrone*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Concentrazione intrinseca di portatori in condizioni di non equilibrio

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Concentrazione di portatori maggioritari*Concentrazione di portatori di minoranza)

Costante di diffusione dei fori

Partire Costante di diffusione dei fori = Mobilità dei fori*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Periodo di tempo dell'elettrone

Partire Periodo del percorso circolare delle particelle = (2*3.14*[Mass-e])/(Intensità del campo magnetico*[Charge-e])

Forza sull'elemento corrente nel campo magnetico

Partire Forza = Elemento attuale*Densità del flusso magnetico*sin(Angolo tra i piani)

Velocità dell'elettrone

Partire Velocità dovuta alla tensione = sqrt((2*[Charge-e]*Voltaggio)/[Mass-e])

Lunghezza di diffusione del foro

Partire Lunghezza di diffusione dei fori = sqrt(Costante di diffusione dei fori*Supporto per fori a vita)

Conduttività nei metalli

Partire Conducibilità = Concentrazione di elettroni*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone

Velocità dell'elettrone nei campi di forza

Partire Velocità dell'elettrone nei campi di forza = Intensità del campo elettrico/Intensità del campo magnetico

Tensione termica

Partire Tensione termica = [BoltZ]*Temperatura/[Charge-e]

Tensione termica utilizzando l'equazione di Einstein

Partire Tensione termica = Costante di diffusione elettronica/Mobilità dell'elettrone

Densità di corrente di convezione

Partire Densità di corrente di convezione = Densità di carica*Velocità di carica

Concentrazione intrinseca di portatori in condizioni di non equilibrio Formula

Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Concentrazione di portatori maggioritari*Concentrazione di portatori di minoranza)
n_i = sqrt(n₀*p₀)

Definire la concentrazione del portatore di equilibrio?

Il numero di portatori nella banda di conduzione e di valenza senza bias applicato esternamente è chiamato concentrazione del portatore di equilibrio. Per i portatori maggioritari, la concentrazione del portatore di equilibrio è uguale alla concentrazione del portatore intrinseco più il numero di portatori liberi aggiunti drogando il semiconduttore. Nella maggior parte delle condizioni, il drogaggio del semiconduttore è di diversi ordini di grandezza maggiore della concentrazione intrinseca del portatore, in modo tale che il numero di portatori maggioritari è approssimativamente uguale al drogaggio. All'equilibrio, il prodotto della concentrazione di portatori maggioritari e minoritari è una costante.

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