Comprimento de difusão do furo Calculadora

↳

Eletrônicos

Ciência de materiais

Civil

Elétrico

Eletrônica e Instrumentação

Engenharia de Produção

Engenheiro químico

Mecânico

⤿

Características do portador de carga

Características do Diodo

Características do semicondutor

Parâmetros Eletrostáticos

Parâmetros Operacionais do Transistor

✖A constante de difusão de furos refere-se a uma propriedade do material que descreve a taxa na qual os furos se difundem através do material em resposta a um gradiente de concentração.ⓘ Constante de Difusão de Buracos [D_p]			+10% -10%
✖O Hole Carrier Lifetime refere-se ao tempo médio que um buraco de portador minoritário existe no material antes de se recombinar com um elétron e, assim, desaparecer.ⓘ Tempo de Vida do Porta-Furos [τ_p]			+10% -10%

✖Comprimento de difusão de buracos refere-se à distância média que a carga relevante se move no semicondutor.ⓘ Comprimento de difusão do furo [L_p]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

✖

Comprimento de difusão do furo

Fórmula

`"L"_{"p"} = sqrt("D"_{"p"}*"τ"_{"p"})`

Exemplo

`"0.362214m"=sqrt("37485.39cm²/s"*"0.035s")`

Calculadora

LaTeX

Redefinir

👍

Download Características do portador de carga Fórmulas PDF PDF Image

Comprimento de difusão do furo Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Comprimento da Difusão dos Furos = sqrt(Constante de Difusão de Buracos*Tempo de Vida do Porta-Furos)
L_p = sqrt(D_p*τ_p)
Esta fórmula usa 1 Funções, 3 Variáveis

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Comprimento da Difusão dos Furos - (Medido em Metro) - Comprimento de difusão de buracos refere-se à distância média que a carga relevante se move no semicondutor.
Constante de Difusão de Buracos - (Medido em Metro quadrado por segundo) - A constante de difusão de furos refere-se a uma propriedade do material que descreve a taxa na qual os furos se difundem através do material em resposta a um gradiente de concentração.
Tempo de Vida do Porta-Furos - (Medido em Segundo) - O Hole Carrier Lifetime refere-se ao tempo médio que um buraco de portador minoritário existe no material antes de se recombinar com um elétron e, assim, desaparecer.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Constante de Difusão de Buracos: 37485.39 Centímetro quadrado por segundo --> 3.748539 Metro quadrado por segundo (Verifique a conversão aqui)
Tempo de Vida do Porta-Furos: 0.035 Segundo --> 0.035 Segundo Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

L_p = sqrt(D_p*τ_p) --> sqrt(3.748539*0.035)

Avaliando ... ...

L_p = 0.362213838774832

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.362213838774832 Metro --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.362213838774832 ≈ 0.362214 Metro <-- Comprimento da Difusão dos Furos

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » EDC » Características do portador de carga » Comprimento de difusão do furo

Créditos

Criado por Akshada Kulkarni

Instituto Nacional de Tecnologia da Informação (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni criou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

Verificado por Equipe Softusvista

Escritório Softusvista (Pune), Índia

Equipe Softusvista verificou esta calculadora e mais 1100+ calculadoras!

< 16 Características do portador de carga Calculadoras

Concentração Intrínseca

Vai Concentração de Portadores Intrínsecos = sqrt(Densidade efetiva na banda de valência*Densidade efetiva na banda de condução)*e^((-Dependência da Temperatura do Gap da Banda de Energia)/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Sensibilidade de Deflexão Eletrostática do CRT

Vai Sensibilidade de Deflexão Eletrostática = (Distância entre placas defletoras*Distância da tela e das placas defletoras)/(2*Deflexão do Feixe*Velocidade do elétron)

Densidade de corrente devido a elétrons

Vai Densidade de Corrente Eletrônica = [Charge-e]*Concentração de elétrons*Mobilidade do Elétron*Intensidade do Campo Elétrico

Densidade de corrente devido a furos

Vai Densidade atual dos furos = [Charge-e]*Concentração de Buracos*Mobilidade de Buracos*Intensidade do Campo Elétrico

Concentração de Carreadores Intrínsecos sob Condições de Não Equilíbrio

Vai Concentração de Portadores Intrínsecos = sqrt(Concentração de portadores majoritários*Concentração de portadores minoritários)

Constante de difusão de elétrons

Vai Constante de difusão de elétrons = Mobilidade do Elétron*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Constante de Difusão de Buracos

Vai Constante de Difusão de Buracos = Mobilidade de Buracos*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Força no elemento atual no campo magnético

Vai Força = elemento atual*Densidade do fluxo magnético*sin(Ângulo entre Planos)

Período de tempo do elétron

Vai Período do caminho circular da partícula = (2*3.14*[Mass-e])/(Força do campo magnético*[Charge-e])

Comprimento de difusão do furo

Vai Comprimento da Difusão dos Furos = sqrt(Constante de Difusão de Buracos*Tempo de Vida do Porta-Furos)

Velocidade do Elétron

Vai Velocidade devido à tensão = sqrt((2*[Charge-e]*Tensão)/[Mass-e])

Condutividade em metais

Vai Condutividade = Concentração de elétrons*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron

Velocidade do Elétron em Campos de Força

Vai Velocidade do elétron em campos de força = Intensidade do Campo Elétrico/Força do campo magnético

Tensão Térmica

Vai Tensão Térmica = [BoltZ]*Temperatura/[Charge-e]

Densidade de Corrente de Convecção

Vai Densidade de Corrente de Convecção = Densidade de carga*Velocidade de Carga

Tensão Térmica usando a Equação de Einstein

Vai Tensão Térmica = Constante de difusão de elétrons/Mobilidade do Elétron

Comprimento de difusão do furo Fórmula

Comprimento da Difusão dos Furos = sqrt(Constante de Difusão de Buracos*Tempo de Vida do Porta-Furos)
L_p = sqrt(D_p*τ_p)

Qual é a importância do comprimento de difusão?

O comprimento de difusão do portador é um conceito fundamental na física de semicondutores e refere-se à distância média que um portador de carga em excesso (elétron ou buraco) pode percorrer através de um material semicondutor antes de se recombinar com um portador de carga oposto ou ser perdido. É uma medida de quão longe os portadores podem se difundir de seu ponto de geração.

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!