Concentration de transporteur intrinsèque dans des conditions de non-équilibre Calculatrice

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Caractéristiques du transporteur de charge

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Caractéristiques des semi-conducteurs

Paramètres de fonctionnement des transistors

Paramètres électrostatiques

✖La concentration de porteurs majoritaires est le nombre de porteurs dans la bande de conduction sans biais appliqué de l'extérieur.ⓘ Concentration des porteurs majoritaires [n₀]			+10% -10%
✖La concentration de porteurs minoritaires est le nombre de porteurs dans la bande de valence sans biais appliqué de l'extérieur.ⓘ Concentration des porteurs minoritaires [p₀]			+10% -10%

✖La concentration de porteurs intrinsèques est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.ⓘ Concentration de transporteur intrinsèque dans des conditions de non-équilibre [n_i]

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Formule

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Concentration de transporteur intrinsèque dans des conditions de non-équilibre

Formule

`"n"_{"i"} = sqrt("n"_{"0"}*"p"_{"0"})`

Exemple

`"1E^8/m³"=sqrt("1.1e8/m³"*"9.1e7/m³")`

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Concentration de transporteur intrinsèque dans des conditions de non-équilibre Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Concentration de transporteur intrinsèque = sqrt(Concentration des porteurs majoritaires*Concentration des porteurs minoritaires)
n_i = sqrt(n₀*p₀)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 3 Variables

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Concentration de transporteur intrinsèque - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de porteurs intrinsèques est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.
Concentration des porteurs majoritaires - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de porteurs majoritaires est le nombre de porteurs dans la bande de conduction sans biais appliqué de l'extérieur.
Concentration des porteurs minoritaires - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de porteurs minoritaires est le nombre de porteurs dans la bande de valence sans biais appliqué de l'extérieur.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Concentration des porteurs majoritaires: 110000000 1 par mètre cube --> 110000000 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration des porteurs minoritaires: 91000000 1 par mètre cube --> 91000000 1 par mètre cube Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

n_i = sqrt(n₀*p₀) --> sqrt(110000000*91000000)

Évaluer ... ...

n_i = 100049987.506246

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

100049987.506246 1 par mètre cube --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

100049987.506246 ≈ 1E+8 1 par mètre cube <-- Concentration de transporteur intrinsèque

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Akshada Kulkarni

Institut national des technologies de l'information (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni a créé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

Vérifié par Équipe Softusvista

Bureau de Softusvista (Pune), Inde

Équipe Softusvista a validé cette calculatrice et 1100+ autres calculatrices!

< 16 Caractéristiques du transporteur de charge Calculatrices

Concentration intrinsèque

Aller Concentration de transporteur intrinsèque = sqrt(Densité efficace dans la bande de Valence*Densité efficace dans la bande de conduction)*e^((-Dépendance à la température de la bande d'énergie)/(2*[BoltZ]*Température))

Sensibilité de déviation électrostatique du CRT

Aller Sensibilité à la déviation électrostatique = (Distance entre les plaques déflectrices*Distance de l'écran et des plaques déflectrices)/(2*Déviation du faisceau*Vitesse des électrons)

Densité de courant due aux électrons

Aller Densité de courant électronique = [Charge-e]*Concentration d'électrons*Mobilité de l'électron*Intensité du champ électrique

Densité de courant due aux trous

Aller Densité de courant des trous = [Charge-e]*Concentration des trous*Mobilité des trous*Intensité du champ électrique

Concentration de transporteur intrinsèque dans des conditions de non-équilibre

Aller Concentration de transporteur intrinsèque = sqrt(Concentration des porteurs majoritaires*Concentration des porteurs minoritaires)

Constante de diffusion des électrons

Aller Constante de diffusion électronique = Mobilité de l'électron*(([BoltZ]*Température)/[Charge-e])

Constante de diffusion des trous

Aller Constante de diffusion des trous = Mobilité des trous*(([BoltZ]*Température)/[Charge-e])

Période de temps de l'électron

Aller Période du chemin circulaire des particules = (2*3.14*[Mass-e])/(Intensité du champ magnétique*[Charge-e])

Force sur l'élément actuel dans le champ magnétique

Aller Forcer = Élément actuel*Densité de flux magnétique*sin(Angle entre les plans)

Longueur de diffusion du trou

Aller Longueur de diffusion des trous = sqrt(Constante de diffusion des trous*Durée de vie du support de trou)

Vitesse de l'électron

Aller Vitesse due à la tension = sqrt((2*[Charge-e]*Tension)/[Mass-e])

Vitesse de l'électron dans les champs de force

Aller Vitesse de l'électron dans les champs de force = Intensité du champ électrique/Intensité du champ magnétique

Conductivité dans les métaux

Aller Conductivité = Concentration d'électrons*[Charge-e]*Mobilité de l'électron

Tension thermique

Aller Tension thermique = [BoltZ]*Température/[Charge-e]

Tension thermique utilisant l'équation d'Einstein

Aller Tension thermique = Constante de diffusion électronique/Mobilité de l'électron

Densité de courant de convection

Aller Densité de courant de convection = Densité de charge*Vitesse de charge

Concentration de transporteur intrinsèque dans des conditions de non-équilibre Formule

Concentration de transporteur intrinsèque = sqrt(Concentration des porteurs majoritaires*Concentration des porteurs minoritaires)
n_i = sqrt(n₀*p₀)

Définir la concentration de porteurs d'équilibre?

Le nombre de porteurs dans la bande de conduction et de valence sans biais appliqué de l'extérieur est appelé concentration de porteurs à l'équilibre. Pour les porteurs majoritaires, la concentration d'équilibre des porteurs est égale à la concentration intrinsèque des porteurs plus le nombre de porteurs libres ajoutés par dopage du semi-conducteur. Dans la plupart des conditions, le dopage du semi-conducteur est de plusieurs ordres de grandeur supérieur à la concentration intrinsèque de porteurs, de sorte que le nombre de porteurs majoritaires est approximativement égal au dopage. À l'équilibre, le produit de la concentration de porteurs majoritaires et minoritaires est une constante.

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