Intrinsische Trägerkonzentration unter Nichtgleichgewichtsbedingungen Taschenrechner

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Elektrostatische Parameter

Halbleitereigenschaften

✖Majority Carrier Concentration ist die Anzahl der Träger im Leitungsband ohne extern angelegte Vorspannung.ⓘ Konzentration der Mehrheit der Träger [n₀]			+10% -10%
✖Die Minoritätsträgerkonzentration ist die Anzahl der Träger im Valenzband ohne extern angelegte Vorspannung.ⓘ Konzentration von Minderheitsträgern [p₀]			+10% -10%

✖Die intrinsische Trägerkonzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.ⓘ Intrinsische Trägerkonzentration unter Nichtgleichgewichtsbedingungen [n_i]

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Formel

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Intrinsische Trägerkonzentration unter Nichtgleichgewichtsbedingungen

Formel

`"n"_{"i"} = sqrt("n"_{"0"}*"p"_{"0"})`

Beispiel

`"1E^8/m³"=sqrt("1.1e8/m³"*"9.1e7/m³")`

Taschenrechner

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Intrinsische Trägerkonzentration unter Nichtgleichgewichtsbedingungen Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Intrinsische Trägerkonzentration = sqrt(Konzentration der Mehrheit der Träger*Konzentration von Minderheitsträgern)
n_i = sqrt(n₀*p₀)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 3 Variablen

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Intrinsische Trägerkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die intrinsische Trägerkonzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.
Konzentration der Mehrheit der Träger - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Majority Carrier Concentration ist die Anzahl der Träger im Leitungsband ohne extern angelegte Vorspannung.
Konzentration von Minderheitsträgern - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Minoritätsträgerkonzentration ist die Anzahl der Träger im Valenzband ohne extern angelegte Vorspannung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Konzentration der Mehrheit der Träger: 110000000 1 pro Kubikmeter --> 110000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Konzentration von Minderheitsträgern: 91000000 1 pro Kubikmeter --> 91000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

n_i = sqrt(n₀*p₀) --> sqrt(110000000*91000000)

Auswerten ... ...

n_i = 100049987.506246

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

100049987.506246 1 pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

100049987.506246 ≈ 1E+8 1 pro Kubikmeter <-- Intrinsische Trägerkonzentration

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Akshada Kulkarni

Nationales Institut für Informationstechnologie (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indien

Team Softusvista hat diesen Rechner und 1100+ weitere Rechner verifiziert!

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Intrinsische Konzentration

Gehen Intrinsische Trägerkonzentration = sqrt(Effektive Dichte im Valenzband*Effektive Dichte im Leitungsband)*e^((-Temperaturabhängigkeit der Energiebandlücke)/(2*[BoltZ]*Temperatur))

Elektrostatische Ablenkungsempfindlichkeit von CRT

Gehen Elektrostatische Ablenkungsempfindlichkeit = (Abstand zwischen den Ablenkplatten*Abstand zwischen Sieb und Ablenkplatten)/(2*Ablenkung des Strahls*Elektronengeschwindigkeit)

Stromdichte aufgrund von Elektronen

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Stromdichte aufgrund von Löchern

Gehen Löcher Stromdichte = [Charge-e]*Lochkonzentration*Mobilität von Löchern*Elektrische Feldstärke

Elektronendiffusionskonstante

Gehen Elektronendiffusionskonstante = Mobilität des Elektrons*(([BoltZ]*Temperatur)/[Charge-e])

Geschwindigkeit des Elektrons

Gehen Geschwindigkeit aufgrund von Spannung = sqrt((2*[Charge-e]*Stromspannung)/[Mass-e])

Löcherdiffusionskonstante

Gehen Löcherdiffusionskonstante = Mobilität von Löchern*(([BoltZ]*Temperatur)/[Charge-e])

Intrinsische Trägerkonzentration unter Nichtgleichgewichtsbedingungen

Gehen Intrinsische Trägerkonzentration = sqrt(Konzentration der Mehrheit der Träger*Konzentration von Minderheitsträgern)

Kraft auf das aktuelle Element im Magnetfeld

Gehen Gewalt = Aktuelles Element*Magnetflußdichte*sin(Winkel zwischen Ebenen)

Zeitdauer des Elektrons

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Lochdiffusionslänge

Gehen Löcher Diffusionslänge = sqrt(Löcherdiffusionskonstante*Lebensdauer des Lochträgers)

Leitfähigkeit in Metallen

Gehen Leitfähigkeit = Elektronenkonzentration*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons

Geschwindigkeit von Elektronen in Kraftfeldern

Gehen Geschwindigkeit von Elektronen in Kraftfeldern = Elektrische Feldstärke/Magnetische Feldstärke

Thermische Spannung

Gehen Thermische Spannung = [BoltZ]*Temperatur/[Charge-e]

Thermospannung nach Einsteins Gleichung

Gehen Thermische Spannung = Elektronendiffusionskonstante/Mobilität des Elektrons

Konvektionsstromdichte

Gehen Konvektionsstromdichte = Ladungsdichte*Ladungsgeschwindigkeit

Intrinsische Trägerkonzentration unter Nichtgleichgewichtsbedingungen Formel

Intrinsische Trägerkonzentration = sqrt(Konzentration der Mehrheit der Träger*Konzentration von Minderheitsträgern)
n_i = sqrt(n₀*p₀)

Gleichgewichtsträgerkonzentration definieren?

Die Anzahl der Ladungsträger im Leitungs- und Valenzband ohne extern angelegte Vorspannung wird als Gleichgewichtsträgerkonzentration bezeichnet. Für Majoritätsträger ist die Gleichgewichtsträgerkonzentration gleich der intrinsischen Ladungsträgerkonzentration plus der Anzahl der freien Ladungsträger, die durch Dotieren des Halbleiters hinzugefügt werden. Unter den meisten Bedingungen ist die Dotierung des Halbleiters um mehrere Größenordnungen größer als die intrinsische Ladungsträgerkonzentration, so dass die Anzahl der Majoritätsträger ungefähr gleich der Dotierung ist. Im Gleichgewicht ist das Produkt der Majoritäts- und Minoritätsträgerkonzentration eine Konstante.

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