Tensione totale istantanea gate-to-source Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Tensione gate-source = Piccolo segnale+Tensione attraverso l'ossido
Vgs = Vss+Vox
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Tensione gate-source - (Misurato in Volt) - La tensione gate-source del transistor è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.
Piccolo segnale - (Misurato in Volt) - Il piccolo segnale è un segnale CA (più tecnicamente, un segnale con valore medio zero) sovrapposto a un segnale di polarizzazione (o sovrapposto a un segnale costante CC).
Tensione attraverso l'ossido - (Misurato in Volt) - La tensione attraverso l'ossido dovuta alla carica all'interfaccia ossido-semiconduttore e il terzo termine è dovuto alla densità di carica nell'ossido.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Piccolo segnale: 3.2 Volt --> 3.2 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione attraverso l'ossido: 1.5 Volt --> 1.5 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Vgs = Vss+Vox --> 3.2+1.5
Valutare ... ...
Vgs = 4.7
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
4.7 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
4.7 Volt <-- Tensione gate-source
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Prahalad Singh
Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!

12 Voltaggio Calcolatrici

Tensione di ingresso finita di BJT alla frequenza del guadagno unitario data la variabile di frequenza complessa
​ Partire Tensione di ingresso = Corrente di base/((1/Resistenza di ingresso)+Variabile di frequenza complessa*(Capacità di giunzione collettore-base+Capacità di giunzione base-emettitore))
Tensione attraverso il collettore-emettitore dell'amplificatore BJT
​ Partire Tensione collettore-emettitore = Tensione di alimentazione-Resistenza al carico*Corrente di saturazione*e^(Tensione base-emettitore/Soglia di voltaggio)
Tensione di ingresso finita di BJT alla frequenza di guadagno unitario
​ Partire Tensione di ingresso = Corrente di base*(1/Resistenza di ingresso+1/Capacità di giunzione collettore-base+1/Capacità di base dell'emettitore)
Singolo componente della tensione di drenaggio data la transconduttanza
​ Partire Tensione di scarico totale istantanea = -Transconduttanza*Tensione di ingresso*Resistenza al carico
Tensione di uscita dell'amplificatore BJT
​ Partire Tensione di uscita = Tensione di alimentazione-Assorbimento di corrente*Resistenza al carico
Tensione di uscita data la transconduttanza
​ Partire Tensione di uscita = -(Transconduttanza*Resistenza al carico*Tensione di ingresso)
Tensione tra Gate e Source
​ Partire Tensione gate-source = Tensione di ingresso/(1+Transconduttanza*Resistenza)
Piccola tensione di ingresso del segnale data la transconduttanza
​ Partire Piccolo segnale = Tensione di ingresso*(1/(1+Transconduttanza*Resistenza))
Singolo componente della tensione di scarico
​ Partire Tensione di scarico totale istantanea = (-Modifica della corrente di scarico*Resistenza al carico)
Tensione collettore-emettitore alla saturazione
​ Partire Tensione collettore-emettitore = Tensione base-emettitore-Tensione base-collettore
Tensione totale istantanea gate-to-source
​ Partire Tensione gate-source = Piccolo segnale+Tensione attraverso l'ossido
Tensione di alimentazione alla massima dissipazione di potenza
​ Partire Tensione di alimentazione = (pi*Energia)/2

Tensione totale istantanea gate-to-source Formula

Tensione gate-source = Piccolo segnale+Tensione attraverso l'ossido
Vgs = Vss+Vox

Cos'è il MOSFET e la sua applicazione?

Viene utilizzato per la commutazione o l'amplificazione dei segnali. La capacità di modificare la conduttività con la quantità di tensione applicata può essere utilizzata per amplificare o commutare i segnali elettronici. I MOSFET sono ora ancora più comuni dei BJT (transistor a giunzione bipolare) nei circuiti digitali e analogici.

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