Суммарное мгновенное напряжение затвор-исток Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
От ворот к источнику напряжения = Малый сигнал+Напряжение на оксиде
Vgs = Vss+Vox
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
От ворот к источнику напряжения - (Измеряется в вольт) - Напряжение затвор-исток транзистора - это напряжение, которое падает на клемму затвор-исток транзистора.
Малый сигнал - (Измеряется в вольт) - Малый сигнал представляет собой сигнал переменного тока (точнее говоря, сигнал, имеющий нулевое среднее значение), наложенный на сигнал смещения (или наложенный на постоянный сигнал постоянного тока).
Напряжение на оксиде - (Измеряется в вольт) - Напряжение на оксиде из-за заряда на границе оксид-полупроводник, а третий член обусловлен плотностью заряда в оксиде.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Малый сигнал: 3.2 вольт --> 3.2 вольт Конверсия не требуется
Напряжение на оксиде: 1.5 вольт --> 1.5 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Vgs = Vss+Vox --> 3.2+1.5
Оценка ... ...
Vgs = 4.7
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
4.7 вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
4.7 вольт <-- От ворот к источнику напряжения
(Расчет завершен через 00.011 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Прахалад Сингх
Джайпурский инженерный колледж и исследовательский центр (JECRC), Джайпур
Прахалад Сингх проверил этот калькулятор и еще 10+!

12 Напряжение Калькуляторы

Конечное входное напряжение биполярного транзистора при единичном коэффициенте усиления при заданной комплексной частотной переменной
​ Идти Входное напряжение = Базовый ток/((1/Входное сопротивление)+Комплексная частотная переменная*(Емкость перехода коллектор-база+Емкость перехода база-эмиттер))
Напряжение на коллектор-эмиттер биполярного транзисторного усилителя
​ Идти Напряжение коллектор-эмиттер = Напряжение питания-Сопротивление нагрузки*Ток насыщения*e^(Напряжение база-эмиттер/Пороговое напряжение)
Конечное входное напряжение BJT при единичной частоте усиления
​ Идти Входное напряжение = Базовый ток*(1/Входное сопротивление+1/Емкость перехода коллектор-база+1/Емкость эмиттер-база)
Один компонент напряжения стока с учетом крутизны
​ Идти Общее мгновенное напряжение стока = -крутизна*Входное напряжение*Сопротивление нагрузки
Напряжение между затвором и источником
​ Идти От ворот к источнику напряжения = Входное напряжение/(1+крутизна*Сопротивление)
Выходное напряжение с заданной крутизной
​ Идти Выходное напряжение = -(крутизна*Сопротивление нагрузки*Входное напряжение)
Выходное напряжение усилителя BJT
​ Идти Выходное напряжение = Напряжение питания-Ток стока*Сопротивление нагрузки
Входное напряжение слабого сигнала с учетом поперечной проводимости
​ Идти Малый сигнал = Входное напряжение*(1/(1+крутизна*Сопротивление))
Один компонент напряжения стока
​ Идти Общее мгновенное напряжение стока = (-Изменение тока стока*Сопротивление нагрузки)
Напряжение между коллектором и эмиттером при насыщении
​ Идти Напряжение коллектор-эмиттер = Напряжение база-эмиттер-Напряжение база-коллектор
Суммарное мгновенное напряжение затвор-исток
​ Идти От ворот к источнику напряжения = Малый сигнал+Напряжение на оксиде
Напряжение питания при максимальной рассеиваемой мощности
​ Идти Напряжение питания = (pi*Власть)/2

Суммарное мгновенное напряжение затвор-исток формула

От ворот к источнику напряжения = Малый сигнал+Напряжение на оксиде
Vgs = Vss+Vox

Что такое MOSFET и его применение?

Он используется для переключения или усиления сигналов. Возможность изменения проводимости в зависимости от приложенного напряжения может использоваться для усиления или переключения электронных сигналов. MOSFET теперь даже более распространены, чем BJT (биполярные переходные транзисторы) в цифровых и аналоговых схемах.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!