Transcondutância de Amplificadores Transistores Calculadora

✖A corrente de dreno abaixo da tensão limite é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte.ⓘ Corrente de drenagem [i_d]			+10% -10%
✖A tensão através do óxido é devida à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.ⓘ Tensão através do óxido [V_ox]			+10% -10%
✖A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.ⓘ Tensão de limiar [V_t]			+10% -10%

✖A transcondutância primária do MOSFET é a mudança na corrente de dreno dividida pela pequena mudança na tensão de porta/fonte com uma tensão de dreno/fonte constante.ⓘ Transcondutância de Amplificadores Transistores [g_mp]

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Fórmula

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Transcondutância de Amplificadores Transistores

Fórmula

`"g"_{"mp"} = (2*"i"_{"d"})/("V"_{"ox"}-"V"_{"t"})`

Exemplo

`"19.71831mS"=(2*"17.5mA")/("3.775V"-"2V")`

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Transcondutância de Amplificadores Transistores Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Transcondutância Primária MOSFET = (2*Corrente de drenagem)/(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)
g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Transcondutância Primária MOSFET - (Medido em Siemens) - A transcondutância primária do MOSFET é a mudança na corrente de dreno dividida pela pequena mudança na tensão de porta/fonte com uma tensão de dreno/fonte constante.
Corrente de drenagem - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno abaixo da tensão limite é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte.
Tensão através do óxido - (Medido em Volt) - A tensão através do óxido é devida à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Corrente de drenagem: 17.5 Miliamperes --> 0.0175 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Tensão através do óxido: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 2 Volt --> 2 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t) --> (2*0.0175)/(3.775-2)

Avaliando ... ...

g_mp = 0.0197183098591549

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.0197183098591549 Siemens -->19.7183098591549 Millisiemens (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

19.7183098591549 ≈ 19.71831 Millisiemens <-- Transcondutância Primária MOSFET

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh verificou esta calculadora e mais 10+ calculadoras!

< 18 Características do amplificador transistorizado Calculadoras

Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido

Vai Corrente de saída = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte

Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET

Vai Tensão Efetiva = sqrt(2*Corrente de drenagem de saturação/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)))

Tensão de entrada fornecida Tensão de sinal

Vai Tensão do Componente Fundamental = (Resistência de entrada finita/(Resistência de entrada finita+Resistência do sinal))*Tensão de sinal pequeno

Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão Efetiva)^2

Parâmetro de transcondutância do transistor MOS

Vai Parâmetro de Transcondutância = Corrente de drenagem/((Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte)

Corrente de drenagem instantânea usando tensão entre o dreno e a fonte

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte

Corrente de drenagem do transistor

Vai Corrente de drenagem = (Tensão do Componente Fundamental+Tensão de drenagem instantânea total)/Resistência à drenagem

Tensão de dreno instantânea total

Vai Tensão de drenagem instantânea total = Tensão do Componente Fundamental-Resistência à drenagem*Corrente de drenagem

Tensão de entrada no transistor

Vai Tensão do Componente Fundamental = Resistência à drenagem*Corrente de drenagem-Tensão de drenagem instantânea total

Transcondutância de Amplificadores Transistores

Vai Transcondutância Primária MOSFET = (2*Corrente de drenagem)/(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)

Corrente de sinal no emissor dado sinal de entrada

Vai Corrente de sinal no emissor = Tensão do Componente Fundamental/Resistência do emissor

Resistência de entrada do amplificador de coletor comum

Vai Resistência de entrada = Tensão do Componente Fundamental/Corrente Básica

Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor

Vai Transcondutância Primária MOSFET = Corrente do coletor/Tensão de limiar

Entrada do amplificador do amplificador transistor

Vai Entrada do amplificador = Resistência de entrada*Corrente de entrada

Resistência de saída do circuito de portão comum dada a tensão de teste

Vai Resistência de saída finita = Tensão de teste/Corrente de teste

Corrente de teste do amplificador transistorizado

Vai Corrente de teste = Tensão de teste/Resistência de entrada

Resistência de entrada do circuito de porta comum

Vai Resistência de entrada = Tensão de teste/Corrente de teste

Ganho de corrente DC do amplificador

Vai Ganho de corrente CC = Corrente do coletor/Corrente Básica

Transcondutância de Amplificadores Transistores Fórmula

Transcondutância Primária MOSFET = (2*Corrente de drenagem)/(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)
g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t)

Qual é o uso da transcondutância no MOSFET?

A transcondutância é uma expressão do desempenho de um transistor bipolar ou transistor de efeito de campo (FET). Em geral, quanto maior o valor de transcondutância para um dispositivo, maior o ganho (amplificação) que ele é capaz de fornecer, quando todos os outros fatores são mantidos constantes.

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