Крутизна транзисторных усилителей Калькулятор

✖Ток стока ниже порогового напряжения определяется как подпороговой ток и изменяется экспоненциально в зависимости от напряжения затвор-исток.ⓘ Ток стока [i_d]			+10% -10%
✖Напряжение на оксиде обусловлено зарядом на границе раздела оксид-полупроводник, а третий член обусловлен плотностью заряда в оксиде.ⓘ Напряжение на оксиде [V_ox]			+10% -10%
✖Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, которое необходимо для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.ⓘ Пороговое напряжение [V_t]			+10% -10%

✖Первичная крутизна МОП-транзистора — это изменение тока стока, деленное на небольшое изменение напряжения затвор/исток при постоянном напряжении сток/исток.ⓘ Крутизна транзисторных усилителей [g_mp]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Крутизна транзисторных усилителей

Формула

`"g"_{"mp"} = (2*"i"_{"d"})/("V"_{"ox"}-"V"_{"t"})`

Пример

`"19.71831mS"=(2*"17.5mA")/("3.775V"-"2V")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Характеристики транзисторного усилителя Формулы PDF PDF Image

Крутизна транзисторных усилителей Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Первичная крутизна МОП-транзистора = (2*Ток стока)/(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)
g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t)
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Первичная крутизна МОП-транзистора - (Измеряется в Сименс) - Первичная крутизна МОП-транзистора — это изменение тока стока, деленное на небольшое изменение напряжения затвор/исток при постоянном напряжении сток/исток.
Ток стока - (Измеряется в Ампер) - Ток стока ниже порогового напряжения определяется как подпороговой ток и изменяется экспоненциально в зависимости от напряжения затвор-исток.
Напряжение на оксиде - (Измеряется в вольт) - Напряжение на оксиде обусловлено зарядом на границе раздела оксид-полупроводник, а третий член обусловлен плотностью заряда в оксиде.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, которое необходимо для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Ток стока: 17.5 Миллиампер --> 0.0175 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
Напряжение на оксиде: 3.775 вольт --> 3.775 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 2 вольт --> 2 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t) --> (2*0.0175)/(3.775-2)

Оценка ... ...

g_mp = 0.0197183098591549

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.0197183098591549 Сименс -->19.7183098591549 Миллисименс (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

19.7183098591549 ≈ 19.71831 Миллисименс <-- Первичная крутизна МОП-транзистора

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Усилители » Транзисторные усилители » Характеристики транзисторного усилителя » Крутизна транзисторных усилителей

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Прахалад Сингх

Джайпурский инженерный колледж и исследовательский центр (JECRC), Джайпур

Прахалад Сингх проверил этот калькулятор и еще 10+!

< 18 Характеристики транзисторного усилителя Калькуляторы

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида

Идти Выходной ток = (Мобильность электрона*Оксидная емкость*(Ширина канала/Длина канала)*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение))*Напряжение насыщения между стоком и истоком

Заданное входное напряжение Сигнальное напряжение

Идти Основное напряжение компонента = (Конечное входное сопротивление/(Конечное входное сопротивление+Сигнальное сопротивление))*Малое напряжение сигнала

Общее эффективное напряжение крутизны МОП-транзистора

Идти Эффективное напряжение = sqrt(2*Ток стока насыщения/(Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)))

Параметр крутизны МОП-транзистора

Идти Параметр крутизны = Ток стока/((Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)*Напряжение между затвором и истоком)

Мгновенный ток стока с использованием напряжения между стоком и истоком

Идти Ток стока = Параметр крутизны*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)*Напряжение между затвором и истоком

Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении

Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)*(Эффективное напряжение)^2

Ток стока транзистора

Идти Ток стока = (Основное напряжение компонента+Общее мгновенное напряжение стока)/Сопротивление дренажу

Общее мгновенное напряжение стока

Идти Общее мгновенное напряжение стока = Основное напряжение компонента-Сопротивление дренажу*Ток стока

Входное напряжение транзистора

Идти Основное напряжение компонента = Сопротивление дренажу*Ток стока-Общее мгновенное напряжение стока

Крутизна транзисторных усилителей

Идти Первичная крутизна МОП-транзистора = (2*Ток стока)/(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)

Сигнал Ток в эмиттере при заданном входном сигнале

Идти Ток сигнала в эмиттере = Основное напряжение компонента/Сопротивление эмиттера

Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя

Идти Первичная крутизна МОП-транзистора = Коллекторный ток/Пороговое напряжение

Выходное сопротивление цепи общего затвора с заданным тестовым напряжением

Идти Конечное выходное сопротивление = Испытательное напряжение/Тестовый ток

Входное сопротивление усилителя с общим коллектором

Идти Входное сопротивление = Основное напряжение компонента/Базовый ток

Входное сопротивление схемы с общим затвором

Идти Входное сопротивление = Испытательное напряжение/Тестовый ток

Испытательный ток транзисторного усилителя

Идти Тестовый ток = Испытательное напряжение/Входное сопротивление

Коэффициент усиления постоянного тока усилителя

Идти Усиление постоянного тока = Коллекторный ток/Базовый ток

Вход усилителя транзисторного усилителя

Идти Вход усилителя = Входное сопротивление*Входной ток

Крутизна транзисторных усилителей формула

Первичная крутизна МОП-транзистора = (2*Ток стока)/(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)
g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t)

Какая польза от крутизны в MOSFET?

Крутизна - это выражение характеристик биполярного транзистора или полевого транзистора (FET). В общем, чем больше коэффициент крутизны для устройства, тем большее усиление (усиление) оно способно обеспечить, когда все другие факторы остаются постоянными.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!