Frequência de transição de BJT dada constante do dispositivo Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Frequência de Transição = 1/(2*pi*Constante do dispositivo)
ft = 1/(2*pi*𝛕F)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 2 Variáveis
Constantes Usadas
pi - Constante de Arquimedes Valor considerado como 3.14159265358979323846264338327950288
Variáveis Usadas
Frequência de Transição - (Medido em Hertz) - A Frequência de Transição associada à transição (1 para 2 ou 2 para 1) entre dois níveis vibracionais diferentes.
Constante do dispositivo - (Medido em Segundo) - Um valor de constante de dispositivo é definido uma vez e pode ser referenciado várias vezes ao longo de um programa.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Constante do dispositivo: 2 Segundo --> 2 Segundo Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
ft = 1/(2*pi*𝛕F) --> 1/(2*pi*2)
Avaliando ... ...
ft = 0.0795774715459477
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.0795774715459477 Hertz --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.0795774715459477 0.079577 Hertz <-- Frequência de Transição
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Anshika Arya
Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur
Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

11 Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Capacitância Base do Coletor
​ Vai Capacitância Base do Coletor = Área de junção da base do emissor*sqrt((Cobrar*Permissividade*Densidade de dopagem)/(2*(Potencial integrado+Junção de polarização reversa)))
Capacitância da Junção Coletor-Base
​ Vai Capacitância da Junção Coletor-Base = Capacitância da Junção Coletor-Base na Tensão 0/(1+(Tensão de polarização reversa/Tensão Embutida))^Coeficiente de classificação
Frequência de Transição do BJT
​ Vai Frequência de Transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base))
Concentração de Elétrons Injetados do Emissor para a Base
​ Vai Concentração de e- Injetado do Emissor para a Base = Concentração de Equilíbrio Térmico*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica)
Largura de banda de ganho unitário de BJT
​ Vai Largura de banda de ganho de unidade = Transcondutância/(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base)
Capacitância de difusão de pequenos sinais de BJT
​ Vai Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*(Coletor atual/Tensão de limiar)
Concentração de Equilíbrio Térmico de Portador de Carga Minoritária
​ Vai Concentração de Equilíbrio Térmico = ((Densidade do portador intrínseco)^2)/Dopagem Concentração de Base
Capacitância de difusão de pequenos sinais
​ Vai Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*Transcondutância
Carga do Elétron Armazenado na Base do BJT
​ Vai Carga de Elétron Armazenada = Constante do dispositivo*Coletor atual
Frequência de transição de BJT dada constante do dispositivo
​ Vai Frequência de Transição = 1/(2*pi*Constante do dispositivo)
Capacitância da Junção Base-Emissor
​ Vai Capacitância da Junção Base-Emissor = 2*Capacitância base do emissor

Frequência de transição de BJT dada constante do dispositivo Fórmula

Frequência de Transição = 1/(2*pi*Constante do dispositivo)
ft = 1/(2*pi*𝛕F)

Qual é a função do BJT?

A principal função básica de um BJT é amplificar a corrente que permitirá que os BJTs sejam usados como amplificadores ou interruptores para produzir ampla aplicabilidade em equipamentos eletrônicos, incluindo telefones celulares, controle industrial, televisão e transmissores de rádio.

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