Frequenza di transizione di BJT data la costante del dispositivo Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Frequenza di transizione = 1/(2*pi*Dispositivo costante)
ft = 1/(2*pi*𝛕F)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 2 Variabili
Costanti utilizzate
pi - Costante di Archimede Valore preso come 3.14159265358979323846264338327950288
Variabili utilizzate
Frequenza di transizione - (Misurato in Hertz) - La Frequenza di Transizione associata alla transizione (da 1 a 2 o da 2 a 1) tra due diversi livelli vibrazionali.
Dispositivo costante - (Misurato in Secondo) - Un valore costante del dispositivo viene definito una volta e può essere referenziato molte volte in un programma.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Dispositivo costante: 2 Secondo --> 2 Secondo Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
ft = 1/(2*pi*𝛕F) --> 1/(2*pi*2)
Valutare ... ...
ft = 0.0795774715459477
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.0795774715459477 Hertz --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.0795774715459477 0.079577 Hertz <-- Frequenza di transizione
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verificato da Anshika Arya
Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur
Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

10+ Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Capacità di giunzione collettore-base
Partire Capacità di giunzione collettore-base = Capacità di giunzione collettore-base a tensione 0/(1+(Tensione di polarizzazione inversa/Tensione incorporata))^Coefficiente di classificazione
Frequenza di transizione di BJT
Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base))
Concentrazione di elettroni iniettati dall'emettitore alla base
Partire Concentrazione di e-iniettata dall'emettitore alla base = Concentrazione di equilibrio termico*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)
Larghezza di banda a guadagno unitario di BJT
Partire Larghezza di banda con guadagno unitario = Transconduttanza/(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)
Capacità di diffusione di piccoli segnali di BJT
Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*(Corrente del collettore/Soglia di voltaggio)
Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari
Partire Concentrazione di equilibrio termico = ((Densità portante intrinseca)^2)/Concentrazione drogante della base
Carica elettronica immagazzinata nella base di BJT
Partire Carica elettronica immagazzinata = Dispositivo costante*Corrente del collettore
Capacità di diffusione di piccoli segnali
Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*Transconduttanza
Frequenza di transizione di BJT data la costante del dispositivo
Partire Frequenza di transizione = 1/(2*pi*Dispositivo costante)
Capacità di giunzione base-emettitore
Partire Capacità di giunzione base-emettitore = 2*Capacità di base dell'emettitore

Frequenza di transizione di BJT data la costante del dispositivo Formula

Frequenza di transizione = 1/(2*pi*Dispositivo costante)
ft = 1/(2*pi*𝛕F)

Qual è la funzione del BJT?

La principale funzione di base di un BJT è quella di amplificare la corrente che consentirà ai BJT di essere utilizzati come amplificatori o interruttori per produrre un'ampia applicabilità in apparecchiature elettroniche, tra cui telefoni cellulari, controllo industriale, televisione e trasmettitori radio.

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