Проводимость в полупроводниках Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
проводимость = (Электронная плотность*[Charge-e]*Подвижность электрона)+(Плотность отверстий*[Charge-e]*Подвижность отверстий)
σ = (ρe*[Charge-e]*μn)+(ρh*[Charge-e]*μp)
В этой формуле используются 1 Константы, 5 Переменные
Используемые константы
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые переменные
проводимость - (Измеряется в Сименс/ метр) - Проводимость — это мера легкости, с которой электрический заряд или тепло могут проходить через материал. Это величина, обратная удельному сопротивлению.
Электронная плотность - (Измеряется в Килограмм на кубический метр) - Электронная плотность относится к мере того, сколько электронов присутствует в данном количестве материала.
Подвижность электрона - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность электрона определяется как величина средней скорости дрейфа на единицу электрического поля.
Плотность отверстий - (Измеряется в Килограмм на кубический метр) - Плотность дырок относится к числу вакантных энергетических состояний (известных как «дырки»), которые могут существовать в валентной зоне полупроводникового материала.
Подвижность отверстий - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность дырок — это способность дырки двигаться сквозь металл или полупроводник в присутствии приложенного электрического поля.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Электронная плотность: 30100000000 Килограмм на кубический сантиметр --> 3.01E+16 Килограмм на кубический метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Подвижность электрона: 180 Квадратный метр на вольт в секунду --> 180 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Плотность отверстий: 100000.345 Килограмм на кубический сантиметр --> 100000345000 Килограмм на кубический метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Подвижность отверстий: 150 Квадратный метр на вольт в секунду --> 150 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
σ = (ρe*[Charge-e]*μn)+(ρh*[Charge-e]*μp) --> (3.01E+16*[Charge-e]*180)+(100000345000*[Charge-e]*150)
Оценка ... ...
σ = 0.868061695989221
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.868061695989221 Сименс/ метр --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.868061695989221 0.868062 Сименс/ метр <-- проводимость
(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Кредиты

Creator Image
Национальный институт информационных технологий (НИИТ), Neemrana
Акшада Кулкарни создал этот калькулятор и еще 500+!
Verifier Image
Офис Софтусвиста (Пуна), Индия
Команда Софтусвиста проверил этот калькулятор и еще 1100+!

13 Полупроводниковые характеристики Калькуляторы

Проводимость в полупроводниках
​ Идти проводимость = (Электронная плотность*[Charge-e]*Подвижность электрона)+(Плотность отверстий*[Charge-e]*Подвижность отверстий)
Функция распределения Ферми Дирака
​ Идти Функция распределения Ферми Дирака = 1/(1+e^((Энергия уровня Ферми-Энергия уровня Ферми)/([BoltZ]*Температура)))
Запрещенная энергетическая зона
​ Идти Запрещенная энергетическая зона = Запрещенная энергетическая полоса при 0K-(Температура*Постоянная, специфичная для материала)
Проводимость внешнего полупроводника для P-типа
​ Идти Проводимость внешних полупроводников (p-типа) = Концентрация акцептора*[Charge-e]*Подвижность отверстий
Проводимость внешних полупроводников для N-типа
​ Идти Проводимость внешних полупроводников (n-типа) = Концентрация доноров*[Charge-e]*Подвижность электрона
Длина диффузии электронов
​ Идти Электронная диффузионная длина = sqrt(Константа электронной диффузии*Миноритарный перевозчик Lifetime)
Концентрация основных носителей в полупроводнике для p-типа
​ Идти Концентрация большинства носителей = Концентрация внутреннего носителя^2/Концентрация миноритарных перевозчиков
Концентрация основных носителей в полупроводнике
​ Идти Концентрация большинства носителей = Концентрация внутреннего носителя^2/Концентрация миноритарных перевозчиков
Уровень Ферми собственных полупроводников
​ Идти Внутренний полупроводник на уровне Ферми = (Энергия зоны проводимости+Энергия полосы Валанса)/2
Подвижность носителей заряда
​ Идти Мобильность носителей заряда = Скорость дрейфа/Напряженность электрического поля
Плотность дрейфового тока
​ Идти Плотность дрейфового тока = Отверстия Плотность тока+Плотность электронного тока
Напряжение насыщения с использованием порогового напряжения
​ Идти Напряжение насыщения = Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение
Электрическое поле из-за напряжения Холла
​ Идти Электрическое поле Холла = Напряжение Холла/Ширина проводника

Проводимость в полупроводниках формула

проводимость = (Электронная плотность*[Charge-e]*Подвижность электрона)+(Плотность отверстий*[Charge-e]*Подвижность отверстий)
σ = (ρe*[Charge-e]*μn)+(ρh*[Charge-e]*μp)

Что такое проводимость в полупроводниках?

Электропроводность прямо пропорциональна подвижности. Если в полупроводнике присутствуют как донорные, так и акцепторные примеси, можно сказать, что общая проводимость обусловлена проводимостью как электронов, так и дырок, присутствующих в полупроводнике.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!