K-Prime Калькулятор

✖Мобильность в MOSFET определяется способностью электрона быстро перемещаться через металл или полупроводник под действием электрического поля.ⓘ Мобильность в MOSFET [μ_eff]			+10% -10%
✖Емкость оксидного слоя затвора определяется как емкость вывода затвора полевого транзистора.ⓘ Емкость оксидного слоя затвора [C_ox]			+10% -10%

✖K Prime — обратная константа скорости реакции.ⓘ K-Prime [K_p]

⎘ копия

👎

Формула

✖

K-Prime

Формула

`"K"_{"p"} = "μ"_{"eff"}*"C"_{"ox"}`

Пример

`"4.4745cm²/V*s"="0.15cm²/V*s"*"29.83μF/mm²"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF

K-Prime Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

К Прайм = Мобильность в MOSFET*Емкость оксидного слоя затвора
K_p = μ_eff*C_ox
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

К Прайм - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - K Prime — обратная константа скорости реакции.
Мобильность в MOSFET - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Мобильность в MOSFET определяется способностью электрона быстро перемещаться через металл или полупроводник под действием электрического поля.
Емкость оксидного слоя затвора - (Измеряется в Фарада на квадратный метр) - Емкость оксидного слоя затвора определяется как емкость вывода затвора полевого транзистора.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Мобильность в MOSFET: 0.15 Квадратный сантиметр на вольт-секунду --> 1.5E-05 Квадратный метр на вольт в секунду (Проверьте преобразование здесь)
Емкость оксидного слоя затвора: 29.83 Микрофарад на квадратный миллиметр --> 29.83 Фарада на квадратный метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

K_p = μ_eff*C_ox --> 1.5E-05*29.83

Оценка ... ...

K_p = 0.00044745

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.00044745 Квадратный метр на вольт в секунду -->4.4745 Квадратный сантиметр на вольт-секунду (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

4.4745 Квадратный сантиметр на вольт-секунду <-- К Прайм

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Изготовление СБИС » Оптимизация материалов СБИС » K-Prime

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 25 Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы

Плотность заряда области массового истощения СБИС

Идти Плотность заряда области массового истощения = -(1-((Боковая протяженность области истощения с источником+Боковая протяженность области истощения с дренажом)/(2*Длина канала)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Концентрация акцептора*abs(2*Поверхностный потенциал))

Коэффициент эффекта тела

Идти Коэффициент эффекта тела = modulus((Пороговое напряжение-Пороговое напряжение DIBL)/(sqrt(Поверхностный потенциал+(Разница в потенциале исходного тела))-sqrt(Поверхностный потенциал)))

Соединение Встроенное напряжение СБИС

Идти Встроенное напряжение соединения = ([BoltZ]*Температура/[Charge-e])*ln(Концентрация акцептора*Концентрация доноров/(Внутренняя концентрация)^2)

Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС

Идти Глубина истощения Pn-перехода с источником = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Встроенное напряжение соединения)/([Charge-e]*Концентрация акцептора))

Общая паразитная емкость источника

Идти Паразитная емкость источника = (Емкость между соединением тела и источника*Область диффузии источника)+(Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой*Периметр боковой стенки диффузии источника)

Ток насыщения короткого канала СБИС

Идти Ток насыщения короткого канала = ширина канала*Скорость дрейфа электронов насыщения*Оксидная емкость на единицу площади*Напряжение источника насыщения, стока

Переходный ток

Идти Ток перехода = (Статическая мощность/Базовое напряжение коллектора)-(Подпороговый ток+Текущий конфликт+Ток затвора)

Поверхностный потенциал

Идти Поверхностный потенциал = 2*Разница в потенциале исходного тела*ln(Концентрация акцептора/Внутренняя концентрация)

DIBL Коэффициент

Идти Коэффициент DIBL = (Пороговое напряжение DIBL-Пороговое напряжение)/Сток в источник потенциала

Пороговое напряжение, когда источник соответствует потенциалу тела

Идти Пороговое напряжение DIBL = Коэффициент DIBL*Сток в источник потенциала+Пороговое напряжение

Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС

Идти Оксидная емкость после полного масштабирования = Оксидная емкость на единицу площади*Коэффициент масштабирования

Пороговое напряжение

Идти Пороговое напряжение = Ворота к напряжению канала-(Плата за канал/Емкость затвора)

Емкость затвора

Идти Емкость затвора = Плата за канал/(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)

Плата за канал

Идти Плата за канал = Емкость затвора*(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)

Подпороговый наклон

Идти Подпороговый наклон = Разница в потенциале исходного тела*Коэффициент DIBL*ln(10)

Длина затвора с использованием оксидной емкости затвора

Идти Длина ворот = Емкость затвора/(Емкость оксидного слоя затвора*Ширина ворот)

Оксидная емкость затвора

Идти Емкость оксидного слоя затвора = Емкость затвора/(Ширина ворот*Длина ворот)

Толщина оксида затвора после полного масштабирования СБИС

Идти Толщина оксида затвора после полного масштабирования = Толщина оксида ворот/Коэффициент масштабирования

Глубина соединения после полного масштабирования СБИС

Идти Глубина соединения после полного масштабирования = Глубина соединения/Коэффициент масштабирования

Критическое напряжение

Идти Критическое напряжение = Критическое электрическое поле*Электрическое поле по длине канала

Ширина канала после полного масштабирования СБИС

Идти Ширина канала после полного масштабирования = ширина канала/Коэффициент масштабирования

Длина канала после полного масштабирования СБИС

Идти Длина канала после полного масштабирования = Длина канала/Коэффициент масштабирования

Внутренняя емкость затвора

Идти Емкость перекрытия МОП-затвора = Емкость МОП-ворота*Ширина перехода

Мобильность в Mosfet

Идти Мобильность в MOSFET = К Прайм/Емкость оксидного слоя затвора

K-Prime

Идти К Прайм = Мобильность в MOSFET*Емкость оксидного слоя затвора

K-Prime формула

К Прайм = Мобильность в MOSFET*Емкость оксидного слоя затвора
K_p = μ_eff*C_ox

Что такое транзистор?

В электронике транзистор - это полупроводниковое устройство, обычно используемое для усиления или переключения электронных сигналов. Транзистор является основным строительным блоком компьютеров и всех других современных электронных устройств. Некоторые транзисторы упакованы индивидуально, но большинство из них находится в интегральных схемах.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!