K-Prime Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
K Premier = Mobilité dans MOSFET*Capacité de la couche d'oxyde de grille
Kp = μeff*Cox
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
K Premier - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - K Prime est la constante de vitesse inverse de la réaction.
Mobilité dans MOSFET - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité dans le MOSFET est définie en fonction de la capacité d'un électron à se déplacer rapidement à travers un métal ou un semi-conducteur lorsqu'il est attiré par un champ électrique.
Capacité de la couche d'oxyde de grille - (Mesuré en Farad par mètre carré) - La capacité de la couche d'oxyde de grille est définie comme la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Mobilité dans MOSFET: 0.15 Centimètre carré par volt seconde --> 1.5E-05 Mètre carré par volt par seconde (Vérifiez la conversion ici)
Capacité de la couche d'oxyde de grille: 29.83 Microfarad par millimètre carré --> 29.83 Farad par mètre carré (Vérifiez la conversion ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Kp = μeff*Cox --> 1.5E-05*29.83
Évaluer ... ...
Kp = 0.00044745
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.00044745 Mètre carré par volt par seconde -->4.4745 Centimètre carré par volt seconde (Vérifiez la conversion ici)
RÉPONSE FINALE
4.4745 Centimètre carré par volt seconde <-- K Premier
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

25 Optimisation des matériaux VLSI Calculatrices

Densité de charge de la région d'épuisement en vrac VLSI
Aller Densité de charge de la région d'épuisement global = -(1-((Étendue latérale de la région d'épuisement avec source+Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain)/(2*Longueur du canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentration d'accepteur*abs(2*Potentiel des surfaces))
Coefficient d'effet corporel
Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))
Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI
Aller Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tension intégrée de jonction)/([Charge-e]*Concentration d'accepteur))
Jonction Tension intégrée VLSI
Aller Tension intégrée de jonction = ([BoltZ]*Température/[Charge-e])*ln(Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs/(Concentration intrinsèque)^2)
Capacité parasitaire totale de la source
Aller Capacité parasite de la source = (Capacité entre la jonction du corps et la source*Zone de diffusion de la source)+(Capacité entre la jonction du corps et la paroi latérale*Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source)
Courant de saturation des canaux courts VLSI
Aller Courant de saturation des canaux courts = Largeur de canal*Vitesse de dérive des électrons de saturation*Capacité d'oxyde par unité de surface*Tension de source de drain de saturation
Courant de jonction
Aller Courant de jonction = (Puissance statique/Tension du collecteur de base)-(Courant sous-seuil+Conflit actuel+Courant de porte)
Potentiel de surface
Aller Potentiel des surfaces = 2*Différence potentielle du corps source*ln(Concentration d'accepteur/Concentration intrinsèque)
Longueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porte
Aller Longueur de la porte = Capacité de porte/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Largeur du portail)
Capacité d'oxyde de porte
Aller Capacité de la couche d'oxyde de grille = Capacité de porte/(Largeur du portail*Longueur de la porte)
Tension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps
Aller Tension de seuil DIBL = Coefficient DIBL*Potentiel de drainage vers la source+Tension de seuil
Coefficient DIBL
Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source
Pente sous-seuil
Aller Pente sous-seuil = Différence potentielle du corps source*Coefficient DIBL*ln(10)
Capacité de porte
Aller Capacité de porte = Frais de canal/(Tension porte à canal-Tension de seuil)
Tension de seuil
Aller Tension de seuil = Tension porte à canal-(Frais de canal/Capacité de porte)
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète = Capacité d'oxyde par unité de surface*Facteur d'échelle
Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller Épaisseur d'oxyde de porte après mise à l'échelle complète = Épaisseur d'oxyde de porte/Facteur d'échelle
Charge de canal
Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)
Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète = Profondeur de jonction/Facteur d'échelle
Tension critique
Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal
Longueur du canal après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller Longueur du canal après mise à l'échelle complète = Longueur du canal/Facteur d'échelle
Capacité de porte intrinsèque
Aller Capacité de chevauchement de porte MOS = Capacité de la porte MOS*Largeur de transition
Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller Largeur du canal après mise à l'échelle complète = Largeur de canal/Facteur d'échelle
Mobilité à Mosfet
Aller Mobilité dans MOSFET = K Premier/Capacité de la couche d'oxyde de grille
K-Prime
Aller K Premier = Mobilité dans MOSFET*Capacité de la couche d'oxyde de grille

K-Prime Formule

K Premier = Mobilité dans MOSFET*Capacité de la couche d'oxyde de grille
Kp = μeff*Cox

Qu'est-ce que le transistor?

En électronique, un transistor est un dispositif semi-conducteur couramment utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Le transistor est la pierre angulaire des ordinateurs et de tous les autres appareils électroniques modernes. Certains transistors sont emballés individuellement mais la plupart se trouvent dans des circuits intégrés.

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