K-Prime Taschenrechner

↳

Elektronik

Bürgerlich

Chemieingenieurwesen

Elektrisch

Elektronik und Instrumentierung

Fertigungstechnik

Materialwissenschaften

Mechanisch

⤿

VLSI-Materialoptimierung

Analoges VLSI-Design

✖Mobilität in MOSFETs basiert auf der Fähigkeit eines Elektrons, sich schnell durch ein Metall oder einen Halbleiter zu bewegen, wenn es von einem elektrischen Feld angezogen wird.ⓘ Mobilität im MOSFET [μ_eff]			+10% -10%
✖Die Kapazität der Gate-Oxidschicht ist definiert als die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.ⓘ Kapazität der Gate-Oxidschicht [C_ox]			+10% -10%

✖K Prime ist die umgekehrte Geschwindigkeitskonstante der Reaktion.ⓘ K-Prime [K_p]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

K-Prime

Formel

`"K"_{"p"} = "μ"_{"eff"}*"C"_{"ox"}`

Beispiel

`"4.4745cm²/V*s"="0.15cm²/V*s"*"29.83μF/mm²"`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen Elektronik Formel Pdf PDF Image

K-Prime Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

K Prime = Mobilität im MOSFET*Kapazität der Gate-Oxidschicht
K_p = μ_eff*C_ox
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

K Prime - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - K Prime ist die umgekehrte Geschwindigkeitskonstante der Reaktion.
Mobilität im MOSFET - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Mobilität in MOSFETs basiert auf der Fähigkeit eines Elektrons, sich schnell durch ein Metall oder einen Halbleiter zu bewegen, wenn es von einem elektrischen Feld angezogen wird.
Kapazität der Gate-Oxidschicht - (Gemessen in Farad pro Quadratmeter) - Die Kapazität der Gate-Oxidschicht ist definiert als die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Mobilität im MOSFET: 0.15 Quadratzentimeter pro Voltsekunde --> 1.5E-05 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kapazität der Gate-Oxidschicht: 29.83 Mikrofarad pro Quadratmillimeter --> 29.83 Farad pro Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

K_p = μ_eff*C_ox --> 1.5E-05*29.83

Auswerten ... ...

K_p = 0.00044745

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00044745 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde -->4.4745 Quadratzentimeter pro Voltsekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

4.4745 Quadratzentimeter pro Voltsekunde <-- K Prime

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » VLSI-Herstellung » VLSI-Materialoptimierung » K-Prime

Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 25 VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner

Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region (VLSI).

Gehen Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region = -(1-((Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle+Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss)/(2*Kanallänge)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Akzeptorkonzentration*abs(2*Oberflächenpotential))

Body-Effect-Koeffizient

Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))

Anschluss integrierte Spannung VLSI

Gehen Eingebaute Anschlussspannung = ([BoltZ]*Temperatur/[Charge-e])*ln(Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration/(Intrinsische Konzentration)^2)

PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI

Gehen Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Eingebaute Anschlussspannung)/([Charge-e]*Akzeptorkonzentration))

Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle

Gehen Quelle Parasitäre Kapazität = (Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle*Bereich der Quellendiffusion)+(Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand*Seitenwandumfang der Quellendiffusion)

Verbindungsstrom

Gehen Kreuzungsstrom = (Statische Leistung/Basiskollektorspannung)-(Strom unterhalb des Schwellenwerts+Konflikt aktuell+Gate-Strom)

Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI

Gehen Kurzkanal-Sättigungsstrom = Kanalbreite*Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit*Oxidkapazität pro Flächeneinheit*Sättigungs-Drain-Quellenspannung

Oberflächenpotential

Gehen Oberflächenpotential = 2*Potenzialdifferenz des Quellkörpers*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration)

Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung von VLSI

Gehen Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung = Oxidkapazität pro Flächeneinheit*Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Steilheit unter der Schwelle

Gehen Unterschwellenneigung = Potenzialdifferenz des Quellkörpers*DIBL-Koeffizient*ln(10)

DIBL-Koeffizient

Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial

Schwellenspannung, wenn die Quelle auf Körperpotential liegt

Gehen Schwellenspannung DIBL = DIBL-Koeffizient*Drain-to-Source-Potenzial+Grenzspannung

Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung von VLSI

Gehen Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung = Verbindungstiefe/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI

Gehen Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung = Gate-Oxiddicke/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Gate-Länge unter Verwendung der Gate-Oxid-Kapazität

Gehen Torlänge = Gate-Kapazität/(Kapazität der Gate-Oxidschicht*Torbreite)

Gate-Oxid-Kapazität

Gehen Kapazität der Gate-Oxidschicht = Gate-Kapazität/(Torbreite*Torlänge)

Gate-Kapazität

Gehen Gate-Kapazität = Kanalgebühr/(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)

Grenzspannung

Gehen Grenzspannung = Gate-zu-Kanal-Spannung-(Kanalgebühr/Gate-Kapazität)

Kanalladung

Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)

Kanalbreite nach vollständiger Skalierung von VLSI

Gehen Kanalbreite nach vollständiger Skalierung = Kanalbreite/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Kanallänge nach vollständiger Skalierung VLSI

Gehen Kanallänge nach vollständiger Skalierung = Kanallänge/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Kritische Spannung

Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

Eigene Gate-Kapazität

Gehen MOS-Gate-Überlappungskapazität = MOS-Gate-Kapazität*Übergangsbreite

Mobilität in Mosfet

Gehen Mobilität im MOSFET = K Prime/Kapazität der Gate-Oxidschicht

K-Prime

Gehen K Prime = Mobilität im MOSFET*Kapazität der Gate-Oxidschicht

K-Prime Formel

K Prime = Mobilität im MOSFET*Kapazität der Gate-Oxidschicht
K_p = μ_eff*C_ox

Was ist ein Transistor?

In der Elektronik ist ein Transistor eine Halbleitervorrichtung, die üblicherweise zum Verstärken oder Schalten elektronischer Signale verwendet wird. Der Transistor ist der Grundbaustein von Computern und allen anderen modernen elektronischen Geräten. Einige Transistoren sind einzeln verpackt, die meisten befinden sich jedoch in integrierten Schaltkreisen.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!