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K-Prime calcolatrice

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Ottimizzazione dei materiali VLSI Progettazione VLSI analogica

✖La mobilità nei MOSFET è definita in base alla capacità di un elettrone di muoversi rapidamente attraverso un metallo o un semiconduttore, quando attratto da un campo elettrico.ⓘ Mobilità nei MOSFET [μ_eff]			+10% -10%
✖La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.ⓘ Capacità dello strato di ossido di gate [C_ox]			+10% -10%

✖K Prime è la costante di velocità inversa della reazione.ⓘ K-Prime [K_p]

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K-Prime Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

K Primo = Mobilità nei MOSFET*Capacità dello strato di ossido di gate
K_p = μ_eff*C_ox
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

K Primo - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - K Prime è la costante di velocità inversa della reazione.
Mobilità nei MOSFET - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità nei MOSFET è definita in base alla capacità di un elettrone di muoversi rapidamente attraverso un metallo o un semiconduttore, quando attratto da un campo elettrico.
Capacità dello strato di ossido di gate - (Misurato in Farad per metro quadrato) - La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Mobilità nei MOSFET: 0.15 Centimetro quadrato per Volt Secondo --> 1.5E-05 Metro quadrato per Volt al secondo (Controlla la conversione qui)
Capacità dello strato di ossido di gate: 29.83 Microfarad per millimetro quadrato --> 29.83 Farad per metro quadrato (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

K_p = μ_eff*C_ox --> 1.5E-05*29.83

Valutare ... ...

K_p = 0.00044745

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.00044745 Metro quadrato per Volt al secondo -->4.4745 Centimetro quadrato per Volt Secondo (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

4.4745 Centimetro quadrato per Volt Secondo <-- K Primo

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo

LaTeX Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Coefficiente DIBL

LaTeX Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Channel Charge

LaTeX Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Tensione critica

LaTeX Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

K-Prime Formula

LaTeX Partire

K Primo = Mobilità nei MOSFET*Capacità dello strato di ossido di gate
K_p = μ_eff*C_ox

Cos'è il transistor?

In elettronica, un transistor è un dispositivo a semiconduttore comunemente usato per amplificare o commutare segnali elettronici. Il transistor è l'elemento costitutivo fondamentale dei computer e di tutti gli altri dispositivi elettronici moderni. Alcuni transistor sono confezionati singolarmente, ma la maggior parte si trova in circuiti integrati.

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