✖La movilidad en MOSFET se define en función de la capacidad de un electrón de moverse rápidamente a través de un metal o semiconductor, cuando es atraído por un campo eléctrico.ⓘ Movilidad en MOSFET [μeff] | | | +10% -10% |
✖La capacitancia de la capa de óxido de puerta se define como la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo.ⓘ Capacitancia de la capa de óxido de puerta [Cox] | | | +10% -10% |