Ток насыщения в транзисторе Калькулятор

✖Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.ⓘ Заряжать [q]			+10% -10%
✖Область эмиттерного базового перехода представляет собой PN-переход, образованный между сильно легированным материалом P-типа (эмиттер) и слаболегированным материалом N-типа (база) транзистора.ⓘ Зона базового соединения эмиттера [A]			+10% -10%
✖Эффективная диффузия — это параметр, связанный с процессом диффузии носителей, на который влияют свойства материала и геометрия полупроводникового перехода.ⓘ Эффективное распространение [D_n]			+10% -10%
✖Собственная концентрация — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.ⓘ Внутренняя концентрация [n_i]			+10% -10%
✖Общая примесь определяет примеси, которые смешиваются по атому на единицу площади в основе, или количество примеси, добавленной к собственному полупроводнику, изменяет его уровень проводимости.ⓘ Общая примесь [Q_b]			+10% -10%

✖Ток насыщения — это максимальный ток, который может протекать через транзистор, когда он полностью открыт.ⓘ Ток насыщения в транзисторе [I_sat]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Ток насыщения в транзисторе

Формула

`"I"_{"sat"} = ("q"*"A"*"D"_{"n"}*"n"_{"i"}^2)/"Q"_{"b"}`

Пример

`"2.1175A"=("5mC"*"1.75cm²"*"0.5"*("1.32/cm³")^2)/"3.6E^9cm²"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Ток насыщения в транзисторе Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ток насыщения = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь
I_sat = (q*A*D_n*n_i^2)/Q_b
В этой формуле используются 6 Переменные

Используемые переменные

Ток насыщения - (Измеряется в Ампер) - Ток насыщения — это максимальный ток, который может протекать через транзистор, когда он полностью открыт.
Заряжать - (Измеряется в Кулон) - Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.
Зона базового соединения эмиттера - (Измеряется в Квадратный метр) - Область эмиттерного базового перехода представляет собой PN-переход, образованный между сильно легированным материалом P-типа (эмиттер) и слаболегированным материалом N-типа (база) транзистора.
Эффективное распространение - Эффективная диффузия — это параметр, связанный с процессом диффузии носителей, на который влияют свойства материала и геометрия полупроводникового перехода.
Внутренняя концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Собственная концентрация — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.
Общая примесь - (Измеряется в Квадратный метр) - Общая примесь определяет примеси, которые смешиваются по атому на единицу площади в основе, или количество примеси, добавленной к собственному полупроводнику, изменяет его уровень проводимости.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Заряжать: 5 Милликулон --> 0.005 Кулон (Проверьте преобразование здесь)
Зона базового соединения эмиттера: 1.75 Площадь Сантиметр --> 0.000175 Квадратный метр (Проверьте преобразование здесь)
Эффективное распространение: 0.5 --> Конверсия не требуется
Внутренняя концентрация: 1.32 1 на кубический сантиметр --> 1320000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Общая примесь: 3600000000 Площадь Сантиметр --> 360000 Квадратный метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

I_sat = (q*A*D_n*n_i^2)/Q_b --> (0.005*0.000175*0.5*1320000^2)/360000

Оценка ... ...

I_sat = 2.1175

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

2.1175 Ампер --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

2.1175 Ампер <-- Ток насыщения

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление биполярных ИС » Ток насыщения в транзисторе

Кредиты

Сделано Рахул Гупта

Чандигархский университет (КУ), Мохали, Пенджаб

Рахул Гупта создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Ритвик Трипати

Веллорский технологический институт (ВИТ Веллор), Веллор

Ритвик Трипати проверил этот калькулятор и еще 100+!

< 19 Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Сопротивление прямоугольного параллелепипеда

Идти Сопротивление = ((Удельное сопротивление*Толщина слоя)/(Ширина диффузного слоя*Длина диффузного слоя))*(ln(Ширина нижнего прямоугольника/Длина нижнего прямоугольника)/(Ширина нижнего прямоугольника-Длина нижнего прямоугольника))

Атомы примеси на единицу площади

Идти Общая примесь = Эффективное распространение*(Зона базового соединения эмиттера*((Заряжать*Внутренняя концентрация^2)/Коллекторный ток)*exp(Базовый эмиттер напряжения/Тепловое напряжение))

Проводимость N-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))

Проводимость P-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация P-типа)+Подвижность кремния, легированного дырками*Равновесная концентрация P-типа)

Омическая проводимость примесей

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)

Коллекторный ток PNP-транзистора

Идти Коллекторный ток = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Равновесная концентрация N-типа*Константа диффузии для PNP)/Базовая ширина

Ток насыщения в транзисторе

Идти Ток насыщения = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь

Емкость источника затвора с учетом емкости перекрытия

Идти Емкость источника затвора = (2/3*Ширина транзистора*Длина транзистора*Оксидная емкость)+(Ширина транзистора*Емкость перекрытия)

Потребляемая мощность емкостной нагрузки при заданном напряжении питания

Идти Потребляемая мощность емкостной нагрузки = Емкость нагрузки*Напряжение питания^2*Частота выходного сигнала*Общее количество переключаемых выходов

Листовое сопротивление слоя

Идти Листовое сопротивление = 1/(Заряжать*Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа*Толщина слоя)

Плотность тока Отверстие

Идти Плотность тока отверстия = Заряжать*Константа диффузии для PNP*(Равновесная концентрация дырок/Базовая ширина)

Сопротивление диффузного слоя

Идти Сопротивление = (1/Омическая проводимость)*(Длина диффузного слоя/(Ширина диффузного слоя*Толщина слоя))

Примеси с собственной концентрацией

Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)

Эффективность впрыска эмиттера

Идти Эффективность ввода эмиттера = Ток эмиттера/(Эмиттерный ток, обусловленный электронами+Ток эмиттера из-за отверстий)

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования

Идти Эффективность ввода эмиттера = Допинг на N-стороне/(Допинг на N-стороне+Допинг на стороне P)

Ток, текущий в стабилитроне

Идти Ток диода = (Входное опорное напряжение-Стабильное выходное напряжение)/Сопротивление Зенера

Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах

Идти Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах = Частота выходного сигнала/Входное напряжение

Базовый транспортный коэффициент с учетом базовой ширины

Идти Базовый транспортный фактор = 1-(1/2*(Физическая ширина/Диффузионная длина электронов)^2)

Ток насыщения в транзисторе формула

Ток насыщения = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь
I_sat = (q*A*D_n*n_i^2)/Q_b

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!