Sättigungsstrom im Transistor Taschenrechner

↳

Elektronik

Bürgerlich

Chemieingenieurwesen

Elektrisch

Elektronik und Instrumentierung

Fertigungstechnik

Materialwissenschaften

Mechanisch

⤿

Bipolare IC-Herstellung

MOS-IC-Herstellung

Schmitt-Trigger

✖Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.ⓘ Aufladung [q]			+10% -10%
✖Der Emitter-Basis-Übergangsbereich ist ein PN-Übergang, der zwischen dem stark dotierten P-Typ-Material (Emitter) und dem schwach dotierten N-Typ-Material (Basis) des Transistors gebildet wird.ⓘ Emitterbasis-Verbindungsbereich [A]			+10% -10%
✖Die effektive Diffusion ist ein Parameter im Zusammenhang mit dem Diffusionsprozess von Ladungsträgern und wird von den Materialeigenschaften und der Geometrie des Halbleiterübergangs beeinflusst.ⓘ Effektive Verbreitung [D_n]			+10% -10%
✖Die intrinsische Konzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.ⓘ Intrinsische Konzentration [n_i]			+10% -10%
✖Die Gesamtverunreinigung definiert die Verunreinigungen, die in Atomen pro Flächeneinheit in einer Basis gemischt sind, oder die Menge der zu einem intrinsischen Halbleiter hinzugefügten Verunreinigung variiert dessen Leitfähigkeitsniveau.ⓘ Totale Unreinheit [Q_b]			+10% -10%

✖Der Sättigungsstrom bezieht sich auf den maximalen Strom, der durch den Transistor fließen kann, wenn er vollständig eingeschaltet ist.ⓘ Sättigungsstrom im Transistor [I_sat]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Sättigungsstrom im Transistor

Formel

`"I"_{"sat"} = ("q"*"A"*"D"_{"n"}*"n"_{"i"}^2)/"Q"_{"b"}`

Beispiel

`"2.1175A"=("5mC"*"1.75cm²"*"0.5"*("1.32/cm³")^2)/"3.6E^9cm²"`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen Elektronik Formel Pdf PDF Image

Sättigungsstrom im Transistor Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Sättigungsstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit
I_sat = (q*A*D_n*n_i^2)/Q_b
Diese formel verwendet 6 Variablen

Verwendete Variablen

Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom bezieht sich auf den maximalen Strom, der durch den Transistor fließen kann, wenn er vollständig eingeschaltet ist.
Aufladung - (Gemessen in Coulomb) - Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.
Emitterbasis-Verbindungsbereich - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Emitter-Basis-Übergangsbereich ist ein PN-Übergang, der zwischen dem stark dotierten P-Typ-Material (Emitter) und dem schwach dotierten N-Typ-Material (Basis) des Transistors gebildet wird.
Effektive Verbreitung - Die effektive Diffusion ist ein Parameter im Zusammenhang mit dem Diffusionsprozess von Ladungsträgern und wird von den Materialeigenschaften und der Geometrie des Halbleiterübergangs beeinflusst.
Intrinsische Konzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die intrinsische Konzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.
Totale Unreinheit - (Gemessen in Quadratmeter) - Die Gesamtverunreinigung definiert die Verunreinigungen, die in Atomen pro Flächeneinheit in einer Basis gemischt sind, oder die Menge der zu einem intrinsischen Halbleiter hinzugefügten Verunreinigung variiert dessen Leitfähigkeitsniveau.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Aufladung: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Emitterbasis-Verbindungsbereich: 1.75 Quadratischer Zentimeter --> 0.000175 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Effektive Verbreitung: 0.5 --> Keine Konvertierung erforderlich
Intrinsische Konzentration: 1.32 1 pro Kubikzentimeter --> 1320000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Totale Unreinheit: 3600000000 Quadratischer Zentimeter --> 360000 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_sat = (q*A*D_n*n_i^2)/Q_b --> (0.005*0.000175*0.5*1320000^2)/360000

Auswerten ... ...

I_sat = 2.1175

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

2.1175 Ampere --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

2.1175 Ampere <-- Sättigungsstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » Integrierte Schaltkreise (IC) » Bipolare IC-Herstellung » Sättigungsstrom im Transistor

Credits

Erstellt von Rahul Gupta

Chandigarh-Universität (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Ritwik Tripathi

Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 100+ weitere Rechner verifiziert!

< 19 Bipolare IC-Herstellung Taschenrechner

Widerstand eines rechteckigen Parallelepipeds

Gehen Widerstand = ((Widerstand*Dicke der Schicht)/(Breite der diffusen Schicht*Länge der diffusen Schicht))*(ln(Breite des unteren Rechtecks/Länge des unteren Rechtecks)/(Breite des unteren Rechtecks-Länge des unteren Rechtecks))

Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit

Gehen Totale Unreinheit = Effektive Verbreitung*(Emitterbasis-Verbindungsbereich*((Aufladung*Intrinsische Konzentration^2)/Kollektorstrom)*exp(Spannungsbasisemitter/Thermische Spannung))

Leitfähigkeit vom N-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))

Leitfähigkeit vom P-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)+Lochdotierung der Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)

Kollektorstrom des PNP-Transistors

Gehen Kollektorstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Diffusionskonstante für PNP)/Basisbreite

Sättigungsstrom im Transistor

Gehen Sättigungsstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit

Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = (2/3*Breite des Transistors*Transistorlänge*Oxidkapazität)+(Breite des Transistors*Überlappungskapazität)

Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung

Gehen Stromverbrauch kapazitiver Last = Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz*Gesamtzahl der schaltbaren Ausgänge

Schichtwiderstand der Schicht

Gehen Schichtwiderstand = 1/(Aufladung*Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Dicke der Schicht)

Widerstand der diffundierten Schicht

Gehen Widerstand = (1/Ohmsche Leitfähigkeit)*(Länge der diffusen Schicht/(Breite der diffusen Schicht*Dicke der Schicht))

Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)

Aktuelle Dichteloch

Gehen Lochstromdichte = Aufladung*Diffusionskonstante für PNP*(Lochgleichgewichtskonzentration/Basisbreite)

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Dotierung auf der N-Seite/(Dotierung auf der N-Seite+Dotierung auf der P-Seite)

Emitter-Injektionseffizienz

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Emitterstrom/(Emitterstrom durch Elektronen+Emitterstrom durch Löcher)

Strom fließt in der Zenerdiode

Gehen Diodenstrom = (Eingangsreferenzspannung-Stabile Ausgangsspannung)/Zener-Widerstand

Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs

Gehen Umrechnungsfaktor von Spannung zu Frequenz in ICs = Ausgangssignalfrequenz/Eingangsspannung

Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite

Gehen Basis-Transportfaktor = 1-(1/2*(Physische Breite/Elektronendiffusionslänge)^2)

Sättigungsstrom im Transistor Formel

Sättigungsstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit
I_sat = (q*A*D_n*n_i^2)/Q_b

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!