Ток насыщения короткого канала СБИС Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Изготовление СБИС EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Оптимизация материалов СБИС Аналоговая СБИС

✖Ширина канала определяется как физическая ширина полупроводникового канала между выводами истока и стока внутри транзисторной структуры.ⓘ ширина канала [W_c]			+10% -10%
✖Скорость дрейфа электронов насыщения определяется как максимальная скорость, достигаемая электронами в полупроводниковом материале под действием электрического поля.ⓘ Скорость дрейфа электронов насыщения [v_d(sat)]			+10% -10%
✖Оксидная емкость на единицу площади определяется как емкость на единицу площади изолирующего оксидного слоя, который отделяет металлический затвор от полупроводникового материала.ⓘ Оксидная емкость на единицу площади [C_oxide]			+10% -10%
✖Напряжение источника-стока насыщения определяется как напряжение на клеммах стока и истока полевого МОП-транзистора, когда транзистор работает в режиме насыщения.ⓘ Напряжение источника насыщения, стока [V_Dsat]			+10% -10%

✖Ток насыщения короткого канала определяется как максимальный ток, который может протекать через транзистор с коротким каналом, когда он находится в режиме насыщения.ⓘ Ток насыщения короткого канала СБИС [I_D(sat)]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Ток насыщения короткого канала СБИС Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ток насыщения короткого канала = ширина канала*Скорость дрейфа электронов насыщения*Оксидная емкость на единицу площади*Напряжение источника насыщения, стока
I_D(sat) = W_c*v_d(sat)*C_oxide*V_Dsat
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Ток насыщения короткого канала - (Измеряется в Ампер) - Ток насыщения короткого канала определяется как максимальный ток, который может протекать через транзистор с коротким каналом, когда он находится в режиме насыщения.
ширина канала - (Измеряется в Метр) - Ширина канала определяется как физическая ширина полупроводникового канала между выводами истока и стока внутри транзисторной структуры.
Скорость дрейфа электронов насыщения - (Измеряется в метр в секунду) - Скорость дрейфа электронов насыщения определяется как максимальная скорость, достигаемая электронами в полупроводниковом материале под действием электрического поля.
Оксидная емкость на единицу площади - (Измеряется в Фарада на квадратный метр) - Оксидная емкость на единицу площади определяется как емкость на единицу площади изолирующего оксидного слоя, который отделяет металлический затвор от полупроводникового материала.
Напряжение источника насыщения, стока - (Измеряется в вольт) - Напряжение источника-стока насыщения определяется как напряжение на клеммах стока и истока полевого МОП-транзистора, когда транзистор работает в режиме насыщения.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

ширина канала: 2.5 микрометр --> 2.5E-06 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Скорость дрейфа электронов насыщения: 20000000 Сантиметр в секунду --> 200000 метр в секунду (Проверьте преобразование здесь)
Оксидная емкость на единицу площади: 0.0703 Микрофарад на квадратный сантиметр --> 0.000703 Фарада на квадратный метр (Проверьте преобразование здесь)
Напряжение источника насыщения, стока: 1.5 вольт --> 1.5 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

I_D(sat) = W_c*v_d(sat)*C_oxide*V_Dsat --> 2.5E-06*200000*0.000703*1.5

Оценка ... ...

I_D(sat) = 0.00052725

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.00052725 Ампер -->527.25 микроампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

527.25 микроампер <-- Ток насыщения короткого канала

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Изготовление СБИС » Оптимизация материалов СБИС » Ток насыщения короткого канала СБИС

Кредиты

Сделано Приянка Патель

Инженерный колледж Лалбхай Далпатбхай (ЛДЦЭ), Ахмедабад

Приянка Патель создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы

Коэффициент эффекта тела

LaTeX Идти Коэффициент эффекта тела = modulus((Пороговое напряжение-Пороговое напряжение DIBL)/(sqrt(Поверхностный потенциал+(Разница в потенциале исходного тела))-sqrt(Поверхностный потенциал)))

DIBL Коэффициент

LaTeX Идти Коэффициент DIBL = (Пороговое напряжение DIBL-Пороговое напряжение)/Сток в источник потенциала

Плата за канал

LaTeX Идти Плата за канал = Емкость затвора*(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)

Критическое напряжение

LaTeX Идти Критическое напряжение = Критическое электрическое поле*Электрическое поле по длине канала

Узнать больше >>