Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie

Analoog VLSI-ontwerp

✖Kanaalbreedte wordt gedefinieerd als de fysieke breedte van het halfgeleiderkanaal tussen de source- en drainterminals binnen de transistorstructuur.ⓘ Kanaalbreedte [W_c]			+10% -10%
✖Verzadiging Elektronendriftsnelheid wordt gedefinieerd als de maximale snelheid die elektronen in een halfgeleidermateriaal bereiken onder invloed van een elektrisch veld.ⓘ Verzadiging Elektronendriftsnelheid [v_d(sat)]			+10% -10%
✖Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid wordt gedefinieerd als de capaciteit per oppervlakte-eenheid van de isolerende oxidelaag die de metalen poort scheidt van het halfgeleidermateriaal.ⓘ Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid [C_oxide]			+10% -10%
✖Saturation Drain Source Voltage wordt gedefinieerd als de spanning over de drain- en source-aansluitingen van een MOSFET wanneer de transistor in de verzadigingsmodus werkt.ⓘ Verzadigingsafvoer Bronspanning [V_Dsat]			+10% -10%

✖Kortekanaalverzadigingsstroom wordt gedefinieerd als de maximale stroom die door een kortkanaaltransistor kan stromen wanneer deze zich in de verzadigingsmodus bevindt.ⓘ Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI [I_D(sat)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI

Formule

`"I"_{"D(sat)"} = "W"_{"c"}*"v"_{"d(sat)"}*"C"_{"oxide"}*"V"_{"Dsat"}`

Voorbeeld

`"527.25µA"="2.5μm"*"2e+7cm/s"*"0.0703μF/cm²"*"1.5V"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Korte kanaalverzadigingsstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Verzadigingsafvoer Bronspanning
I_D(sat) = W_c*v_d(sat)*C_oxide*V_Dsat
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Korte kanaalverzadigingsstroom - (Gemeten in Ampère) - Kortekanaalverzadigingsstroom wordt gedefinieerd als de maximale stroom die door een kortkanaaltransistor kan stromen wanneer deze zich in de verzadigingsmodus bevindt.
Kanaalbreedte - (Gemeten in Meter) - Kanaalbreedte wordt gedefinieerd als de fysieke breedte van het halfgeleiderkanaal tussen de source- en drainterminals binnen de transistorstructuur.
Verzadiging Elektronendriftsnelheid - (Gemeten in Meter per seconde) - Verzadiging Elektronendriftsnelheid wordt gedefinieerd als de maximale snelheid die elektronen in een halfgeleidermateriaal bereiken onder invloed van een elektrisch veld.
Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid - (Gemeten in Farad per vierkante meter) - Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid wordt gedefinieerd als de capaciteit per oppervlakte-eenheid van de isolerende oxidelaag die de metalen poort scheidt van het halfgeleidermateriaal.
Verzadigingsafvoer Bronspanning - (Gemeten in Volt) - Saturation Drain Source Voltage wordt gedefinieerd als de spanning over de drain- en source-aansluitingen van een MOSFET wanneer de transistor in de verzadigingsmodus werkt.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Kanaalbreedte: 2.5 Micrometer --> 2.5E-06 Meter (Bekijk de conversie hier)
Verzadiging Elektronendriftsnelheid: 20000000 Centimeter per seconde --> 200000 Meter per seconde (Bekijk de conversie hier)
Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid: 0.0703 Microfarad per vierkante centimeter --> 0.000703 Farad per vierkante meter (Bekijk de conversie hier)
Verzadigingsafvoer Bronspanning: 1.5 Volt --> 1.5 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

I_D(sat) = W_c*v_d(sat)*C_oxide*V_Dsat --> 2.5E-06*200000*0.000703*1.5

Evalueren ... ...

I_D(sat) = 0.00052725

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00052725 Ampère -->527.25 Microampère (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

527.25 Microampère <-- Korte kanaalverzadigingsstroom

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI

Credits

Gemaakt door Prijanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek (LDCE), Ahmedabad

Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 25 VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI

Gaan Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied = -(1-((Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron+Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer)/(2*Kanaallengte)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Acceptorconcentratie*abs(2*Oppervlaktepotentieel))

Lichaamseffectcoëfficiënt

Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

Verbinding Ingebouwde spanning VLSI

Gaan Junction Ingebouwde spanning = ([BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e])*ln(Acceptorconcentratie*Donorconcentratie/(Intrinsieke concentratie)^2)

PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI

Gaan Pn-verbindingsdepletiediepte met bron = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Junction Ingebouwde spanning)/([Charge-e]*Acceptorconcentratie))

Totale bronparasitaire capaciteit

Gaan Bron Parasitaire capaciteit = (Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron*Gebied van bronverspreiding)+(Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand*Zijwandomtrek van brondiffusie)

Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI

Gaan Korte kanaalverzadigingsstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Verzadigingsafvoer Bronspanning

Junction Current

Gaan Verbindingsstroom = (Statische kracht/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Poortstroom)

Oppervlakte Potentieel

Gaan Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)

DIBL-coëfficiënt

Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt

Gaan Drempelspanning DIBL = DIBL-coëfficiënt*Afvoer naar bronpotentieel+Drempelspanning

Subdrempel Helling

Gaan Helling onder de drempel = Bron Lichaamspotentieelverschil*DIBL-coëfficiënt*ln(10)

Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit

Gaan Poortlengte = Poortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Poortbreedte)

Gate-oxidecapaciteit

Gaan Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)

Poortcapaciteit

Gaan Poortcapaciteit = Kanaalkosten/(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Drempelspanning

Gaan Drempelspanning = Poort naar kanaalspanning-(Kanaalkosten/Poortcapaciteit)

Kanaallading

Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI

Gaan Oxidecapaciteit na volledige schaling = Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Schaalfactor

Kritieke spanning

Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI

Gaan Verbindingsdiepte na volledige schaling = Verbindingsdiepte/Schaalfactor

Intrinsieke poortcapaciteit

Gaan MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte

Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI

Gaan Gate-oxidedikte na volledige schaling = Poortoxidedikte/Schaalfactor

Kanaalbreedte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaalbreedte na volledige schaling = Kanaalbreedte/Schaalfactor

Kanaallengte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaallengte na volledige schaling = Kanaallengte/Schaalfactor

Mobiliteit in Mosfet

Gaan Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer

K-Prime

Gaan K Prime = Mobiliteit in MOSFET*Capaciteit van Gate Oxide Layer

Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI Formule

Korte kanaalverzadigingsstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Verzadigingsafvoer Bronspanning
I_D(sat) = W_c*v_d(sat)*C_oxide*V_Dsat

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!