Общая паразитная емкость источника Калькулятор

✖Емкость между соединением тела и источника определяется как емкость между соединением тела и истоком МОП-транзистора.ⓘ Емкость между соединением тела и источника [C_jbs]			+10% -10%
✖Область диффузии источника определяется как чистое перемещение чего-либо из области с более высокой концентрацией в область с более низкой концентрацией в зоне ворот источника.ⓘ Область диффузии источника [A_s]			+10% -10%
✖Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой — это паразитная емкость, которая может повлиять на работу схемы.ⓘ Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой [C_bsw]			+10% -10%
✖Периметр боковой стенки диффузии источника определяется как периметр диффузии источника, не включая край под воротами.ⓘ Периметр боковой стенки диффузии источника [P_s]			+10% -10%

✖Исходная паразитная емкость — это неизбежная и обычно нежелательная емкость.ⓘ Общая паразитная емкость источника [C_sop]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Общая паразитная емкость источника

Формула

`"C"_{"sop"} = ("C"_{"jbs"}*"A"_{"s"})+("C"_{"bsw"}*"P"_{"s"})`

Пример

`"0.418966μF/mm²"=("76.46μF/mm²"*"5479mm²")+("0.1391μF/mm"*"301.64mm")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Общая паразитная емкость источника Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Паразитная емкость источника = (Емкость между соединением тела и источника*Область диффузии источника)+(Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой*Периметр боковой стенки диффузии источника)
C_sop = (C_jbs*A_s)+(C_bsw*P_s)
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Паразитная емкость источника - (Измеряется в Фарада на квадратный метр) - Исходная паразитная емкость — это неизбежная и обычно нежелательная емкость.
Емкость между соединением тела и источника - (Измеряется в Фарада на квадратный метр) - Емкость между соединением тела и источника определяется как емкость между соединением тела и истоком МОП-транзистора.
Область диффузии источника - (Измеряется в Квадратный метр) - Область диффузии источника определяется как чистое перемещение чего-либо из области с более высокой концентрацией в область с более низкой концентрацией в зоне ворот источника.
Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой - (Измеряется в Фарада на метр) - Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой — это паразитная емкость, которая может повлиять на работу схемы.
Периметр боковой стенки диффузии источника - (Измеряется в метр) - Периметр боковой стенки диффузии источника определяется как периметр диффузии источника, не включая край под воротами.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Емкость между соединением тела и источника: 76.46 Микрофарад на квадратный миллиметр --> 76.46 Фарада на квадратный метр (Проверьте преобразование здесь)
Область диффузии источника: 5479 Площадь Миллиметр --> 0.005479 Квадратный метр (Проверьте преобразование здесь)
Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой: 0.1391 Микрофарад на миллиметр --> 0.0001391 Фарада на метр (Проверьте преобразование здесь)
Периметр боковой стенки диффузии источника: 301.64 Миллиметр --> 0.30164 метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C_sop = (C_jbs*A_s)+(C_bsw*P_s) --> (76.46*0.005479)+(0.0001391*0.30164)

Оценка ... ...

C_sop = 0.418966298124

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.418966298124 Фарада на квадратный метр -->0.418966298124 Микрофарад на квадратный миллиметр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.418966298124 ≈ 0.418966 Микрофарад на квадратный миллиметр <-- Паразитная емкость источника

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Изготовление СБИС » Оптимизация материалов СБИС » Общая паразитная емкость источника

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 25 Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы

Плотность заряда области массового истощения СБИС

Идти Плотность заряда области массового истощения = -(1-((Боковая протяженность области истощения с источником+Боковая протяженность области истощения с дренажом)/(2*Длина канала)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Концентрация акцептора*abs(2*Поверхностный потенциал))

Коэффициент эффекта тела

Идти Коэффициент эффекта тела = modulus((Пороговое напряжение-Пороговое напряжение DIBL)/(sqrt(Поверхностный потенциал+(Разница в потенциале исходного тела))-sqrt(Поверхностный потенциал)))

Соединение Встроенное напряжение СБИС

Идти Встроенное напряжение соединения = ([BoltZ]*Температура/[Charge-e])*ln(Концентрация акцептора*Концентрация доноров/(Внутренняя концентрация)^2)

Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС

Идти Глубина истощения Pn-перехода с источником = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Встроенное напряжение соединения)/([Charge-e]*Концентрация акцептора))

Общая паразитная емкость источника

Идти Паразитная емкость источника = (Емкость между соединением тела и источника*Область диффузии источника)+(Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой*Периметр боковой стенки диффузии источника)

Ток насыщения короткого канала СБИС

Идти Ток насыщения короткого канала = ширина канала*Скорость дрейфа электронов насыщения*Оксидная емкость на единицу площади*Напряжение источника насыщения, стока

Переходный ток

Идти Ток перехода = (Статическая мощность/Базовое напряжение коллектора)-(Подпороговый ток+Текущий конфликт+Ток затвора)

Поверхностный потенциал

Идти Поверхностный потенциал = 2*Разница в потенциале исходного тела*ln(Концентрация акцептора/Внутренняя концентрация)

DIBL Коэффициент

Идти Коэффициент DIBL = (Пороговое напряжение DIBL-Пороговое напряжение)/Сток в источник потенциала

Пороговое напряжение, когда источник соответствует потенциалу тела

Идти Пороговое напряжение DIBL = Коэффициент DIBL*Сток в источник потенциала+Пороговое напряжение

Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС

Идти Оксидная емкость после полного масштабирования = Оксидная емкость на единицу площади*Коэффициент масштабирования

Пороговое напряжение

Идти Пороговое напряжение = Ворота к напряжению канала-(Плата за канал/Емкость затвора)

Емкость затвора

Идти Емкость затвора = Плата за канал/(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)

Плата за канал

Идти Плата за канал = Емкость затвора*(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)

Подпороговый наклон

Идти Подпороговый наклон = Разница в потенциале исходного тела*Коэффициент DIBL*ln(10)

Длина затвора с использованием оксидной емкости затвора

Идти Длина ворот = Емкость затвора/(Емкость оксидного слоя затвора*Ширина ворот)

Оксидная емкость затвора

Идти Емкость оксидного слоя затвора = Емкость затвора/(Ширина ворот*Длина ворот)

Толщина оксида затвора после полного масштабирования СБИС

Идти Толщина оксида затвора после полного масштабирования = Толщина оксида ворот/Коэффициент масштабирования

Глубина соединения после полного масштабирования СБИС

Идти Глубина соединения после полного масштабирования = Глубина соединения/Коэффициент масштабирования

Критическое напряжение

Идти Критическое напряжение = Критическое электрическое поле*Электрическое поле по длине канала

Ширина канала после полного масштабирования СБИС

Идти Ширина канала после полного масштабирования = ширина канала/Коэффициент масштабирования

Длина канала после полного масштабирования СБИС

Идти Длина канала после полного масштабирования = Длина канала/Коэффициент масштабирования

Внутренняя емкость затвора

Идти Емкость перекрытия МОП-затвора = Емкость МОП-ворота*Ширина перехода

Мобильность в Mosfet

Идти Мобильность в MOSFET = К Прайм/Емкость оксидного слоя затвора

K-Prime

Идти К Прайм = Мобильность в MOSFET*Емкость оксидного слоя затвора

Общая паразитная емкость источника формула

Что такое модель диффузионной емкости МОП?

p-n-переход между источником диффузии и телом вносит вклад в паразитную емкость в обедненной области. Емкость зависит как от площади AS, так и от периметра боковой стенки PS области диффузии источника. Геометрия показана на рис. 2.12. Площадь AS = WD. Периметр PS = 2W 2D. Из этого периметра W упирается в канал, а остальная часть W 2D — нет.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!