Capacitancia parasitaria total de la fuente Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Capacitancia parásita de fuente = (Capacitancia entre la unión del cuerpo y la fuente.*Área de difusión de fuentes)+(Capacitancia entre la unión del cuerpo y la pared lateral.*Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral)
Csop = (Cjbs*As)+(Cbsw*Ps)
Esta fórmula usa 5 Variables
Variables utilizadas
Capacitancia parásita de fuente - (Medido en Farad por metro cuadrado) - La capacitancia parásita de fuente es una capacitancia inevitable y generalmente no deseada.
Capacitancia entre la unión del cuerpo y la fuente. - (Medido en Farad por metro cuadrado) - La capacitancia entre la unión del cuerpo y la fuente se define como la capacitancia entre la unión del cuerpo y la unión de la fuente del MOSFET.
Área de difusión de fuentes - (Medido en Metro cuadrado) - El área de difusión de la fuente se define como el movimiento neto de cualquier cosa desde una región de mayor concentración a una región de menor concentración en la puerta de la fuente.
Capacitancia entre la unión del cuerpo y la pared lateral. - (Medido en farad por metro) - La capacitancia entre la unión del cuerpo y la pared lateral es una capacitancia parásita que puede afectar el rendimiento del circuito.
Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral - (Medido en Metro) - El perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral se define como el perímetro de difusión de la fuente sin incluir el borde debajo de la compuerta.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Capacitancia entre la unión del cuerpo y la fuente.: 76.46 Microfaradio por milímetro cuadrado --> 76.46 Farad por metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)
Área de difusión de fuentes: 5479 Milímetro cuadrado --> 0.005479 Metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia entre la unión del cuerpo y la pared lateral.: 0.1391 Microfaradio por milímetro --> 0.0001391 farad por metro (Verifique la conversión aquí)
Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral: 301.64 Milímetro --> 0.30164 Metro (Verifique la conversión aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Csop = (Cjbs*As)+(Cbsw*Ps) --> (76.46*0.005479)+(0.0001391*0.30164)
Evaluar ... ...
Csop = 0.418966298124
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.418966298124 Farad por metro cuadrado -->0.418966298124 Microfaradio por milímetro cuadrado (Verifique la conversión aquí)
RESPUESTA FINAL
0.418966298124 0.418966 Microfaradio por milímetro cuadrado <-- Capacitancia parásita de fuente
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

25 Optimización de materiales VLSI Calculadoras

Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI
Vamos Densidad de carga de la región de agotamiento masivo = -(1-((Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente+Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje)/(2*Longitud del canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentración de aceptor*abs(2*Potencial de superficie))
Coeficiente de efecto corporal
Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))
Voltaje incorporado de unión VLSI
Vamos Voltaje incorporado de unión = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentración de aceptor*Concentración de donantes/(Concentración intrínseca)^2)
Profundidad de agotamiento de la unión PN con fuente VLSI
Vamos Profundidad de agotamiento de la unión Pn con fuente = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Voltaje incorporado de unión)/([Charge-e]*Concentración de aceptor))
Capacitancia parasitaria total de la fuente
Vamos Capacitancia parásita de fuente = (Capacitancia entre la unión del cuerpo y la fuente.*Área de difusión de fuentes)+(Capacitancia entre la unión del cuerpo y la pared lateral.*Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral)
Corriente de saturación de canal corto VLSI
Vamos Corriente de saturación de canal corto = Ancho de banda*Velocidad de deriva de electrones de saturación*Capacitancia de óxido por unidad de área*Voltaje de fuente de drenaje de saturación
Corriente de unión
Vamos Corriente de unión = (Energía estática/Voltaje base del colector)-(Corriente subumbral+Contención actual+Corriente de puerta)
Potencial de superficie
Vamos Potencial de superficie = 2*Diferencia de potencial del cuerpo fuente*ln(Concentración de aceptor/Concentración intrínseca)
Longitud de puerta usando la capacitancia de óxido de puerta
Vamos Longitud de la puerta = Capacitancia de puerta/(Capacitancia de la capa de óxido de puerta*Ancho de la puerta)
Capacitancia de óxido de puerta
Vamos Capacitancia de la capa de óxido de puerta = Capacitancia de puerta/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)
Pendiente subumbral
Vamos Pendiente subumbral = Diferencia de potencial del cuerpo fuente*Coeficiente DIBL*ln(10)
Capacitancia de la puerta
Vamos Capacitancia de puerta = Cargo del canal/(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)
Voltaje de umbral
Vamos Voltaje umbral = Voltaje de puerta a canal-(Cargo del canal/Capacitancia de puerta)
Voltaje de umbral cuando la fuente está en el potencial del cuerpo
Vamos Tensión umbral DIBL = Coeficiente DIBL*Drenar a la fuente potencial+Voltaje umbral
Coeficiente DIBL
Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial
Carga de canal
Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)
Capacitancia de óxido después de VLSI de escala completa
Vamos Capacitancia de óxido después del escalado completo = Capacitancia de óxido por unidad de área*Factor de escala
Espesor del óxido de compuerta después del VLSI de escala completa
Vamos Espesor del óxido de puerta después del escalado completo = Espesor del óxido de la puerta/Factor de escala
Capacitancia de puerta intrínseca
Vamos Capacitancia de superposición de puerta MOS = Capacitancia de puerta MOS*Ancho de transición
Profundidad de unión después de VLSI de escala completa
Vamos Profundidad de unión después de la escala completa = Profundidad de unión/Factor de escala
Longitud del canal después del VLSI de escala completa
Vamos Longitud del canal después de la escala completa = Longitud del canal/Factor de escala
Ancho del canal después del VLSI de escala completa
Vamos Ancho del canal después de la escala completa = Ancho de banda/Factor de escala
Voltaje crítico
Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal
Movilidad en Mosfet
Vamos Movilidad en MOSFET = k primer/Capacitancia de la capa de óxido de puerta
K-Prime
Vamos k primer = Movilidad en MOSFET*Capacitancia de la capa de óxido de puerta

Capacitancia parasitaria total de la fuente Fórmula

Capacitancia parásita de fuente = (Capacitancia entre la unión del cuerpo y la fuente.*Área de difusión de fuentes)+(Capacitancia entre la unión del cuerpo y la pared lateral.*Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral)
Csop = (Cjbs*As)+(Cbsw*Ps)

¿Qué es el modelo de capacitancia de difusión MOS?

La unión p-n entre la fuente de difusión y el cuerpo contribuye con la capacitancia parásita en la región de agotamiento. La capacitancia depende tanto del área AS como del perímetro de la pared lateral PS de la región de difusión de la fuente. La geometría se ilustra en la figura 2.12. El área es AS = WD. El perímetro es PS = 2W 2D. De este perímetro, W linda con el canal y el restante W 2D no lo hace.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!