Totale bronparasitaire capaciteit Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie

Analoog VLSI-ontwerp

✖De capaciteit tussen de verbinding van het lichaam en de bron wordt gedefinieerd als de capaciteit tussen de verbinding van het lichaam en de bronverbinding van de MOSFET.ⓘ Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron [C_jbs]			+10% -10%
✖Gebied van brondiffusie wordt gedefinieerd als de netto beweging van alles van een gebied met een hogere concentratie naar een gebied met een lagere concentratie in de bronpoort.ⓘ Gebied van bronverspreiding [A_s]			+10% -10%
✖De capaciteit tussen de verbinding van het lichaam en de zijwand is een parasitaire capaciteit die de prestaties van het circuit kan beïnvloeden.ⓘ Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand [C_bsw]			+10% -10%
✖Zijwandomtrek van brondiffusie wordt gedefinieerd als de omtrek van brondiffusie, exclusief de rand onder de poort.ⓘ Zijwandomtrek van brondiffusie [P_s]			+10% -10%

✖Bron Parasitaire capaciteit is een onvermijdelijke en meestal ongewenste capaciteit.ⓘ Totale bronparasitaire capaciteit [C_sop]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Totale bronparasitaire capaciteit

Formule

`"C"_{"sop"} = ("C"_{"jbs"}*"A"_{"s"})+("C"_{"bsw"}*"P"_{"s"})`

Voorbeeld

`"0.418966μF/mm²"=("76.46μF/mm²"*"5479mm²")+("0.1391μF/mm"*"301.64mm")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf

Totale bronparasitaire capaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Bron Parasitaire capaciteit = (Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron*Gebied van bronverspreiding)+(Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand*Zijwandomtrek van brondiffusie)
C_sop = (C_jbs*A_s)+(C_bsw*P_s)
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Bron Parasitaire capaciteit - (Gemeten in Farad per vierkante meter) - Bron Parasitaire capaciteit is een onvermijdelijke en meestal ongewenste capaciteit.
Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron - (Gemeten in Farad per vierkante meter) - De capaciteit tussen de verbinding van het lichaam en de bron wordt gedefinieerd als de capaciteit tussen de verbinding van het lichaam en de bronverbinding van de MOSFET.
Gebied van bronverspreiding - (Gemeten in Plein Meter) - Gebied van brondiffusie wordt gedefinieerd als de netto beweging van alles van een gebied met een hogere concentratie naar een gebied met een lagere concentratie in de bronpoort.
Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand - (Gemeten in Farad per meter) - De capaciteit tussen de verbinding van het lichaam en de zijwand is een parasitaire capaciteit die de prestaties van het circuit kan beïnvloeden.
Zijwandomtrek van brondiffusie - (Gemeten in Meter) - Zijwandomtrek van brondiffusie wordt gedefinieerd als de omtrek van brondiffusie, exclusief de rand onder de poort.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron: 76.46 Microfarad per vierkante millimeter --> 76.46 Farad per vierkante meter (Bekijk de conversie hier)
Gebied van bronverspreiding: 5479 Plein Millimeter --> 0.005479 Plein Meter (Bekijk de conversie hier)
Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand: 0.1391 Microfarad per millimeter --> 0.0001391 Farad per meter (Bekijk de conversie hier)
Zijwandomtrek van brondiffusie: 301.64 Millimeter --> 0.30164 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_sop = (C_jbs*A_s)+(C_bsw*P_s) --> (76.46*0.005479)+(0.0001391*0.30164)

Evalueren ... ...

C_sop = 0.418966298124

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.418966298124 Farad per vierkante meter -->0.418966298124 Microfarad per vierkante millimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.418966298124 ≈ 0.418966 Microfarad per vierkante millimeter <-- Bron Parasitaire capaciteit

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Totale bronparasitaire capaciteit

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 25 VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI

Gaan Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied = -(1-((Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron+Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer)/(2*Kanaallengte)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Acceptorconcentratie*abs(2*Oppervlaktepotentieel))

Lichaamseffectcoëfficiënt

Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

Verbinding Ingebouwde spanning VLSI

Gaan Junction Ingebouwde spanning = ([BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e])*ln(Acceptorconcentratie*Donorconcentratie/(Intrinsieke concentratie)^2)

PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI

Gaan Pn-verbindingsdepletiediepte met bron = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Junction Ingebouwde spanning)/([Charge-e]*Acceptorconcentratie))

Totale bronparasitaire capaciteit

Gaan Bron Parasitaire capaciteit = (Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron*Gebied van bronverspreiding)+(Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand*Zijwandomtrek van brondiffusie)

Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI

Gaan Korte kanaalverzadigingsstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Verzadigingsafvoer Bronspanning

Junction Current

Gaan Verbindingsstroom = (Statische kracht/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Poortstroom)

Oppervlakte Potentieel

Gaan Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)

DIBL-coëfficiënt

Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt

Gaan Drempelspanning DIBL = DIBL-coëfficiënt*Afvoer naar bronpotentieel+Drempelspanning

Subdrempel Helling

Gaan Helling onder de drempel = Bron Lichaamspotentieelverschil*DIBL-coëfficiënt*ln(10)

Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit

Gaan Poortlengte = Poortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Poortbreedte)

Gate-oxidecapaciteit

Gaan Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)

Poortcapaciteit

Gaan Poortcapaciteit = Kanaalkosten/(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Drempelspanning

Gaan Drempelspanning = Poort naar kanaalspanning-(Kanaalkosten/Poortcapaciteit)

Kanaallading

Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI

Gaan Oxidecapaciteit na volledige schaling = Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Schaalfactor

Kritieke spanning

Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI

Gaan Verbindingsdiepte na volledige schaling = Verbindingsdiepte/Schaalfactor

Intrinsieke poortcapaciteit

Gaan MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte

Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI

Gaan Gate-oxidedikte na volledige schaling = Poortoxidedikte/Schaalfactor

Kanaalbreedte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaalbreedte na volledige schaling = Kanaalbreedte/Schaalfactor

Kanaallengte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaallengte na volledige schaling = Kanaallengte/Schaalfactor

Mobiliteit in Mosfet

Gaan Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer

K-Prime

Gaan K Prime = Mobiliteit in MOSFET*Capaciteit van Gate Oxide Layer

Totale bronparasitaire capaciteit Formule

Wat is het MOS-diffusiecapaciteitsmodel?

De p-n-overgang tussen de brondiffusie en het lichaam draagt parasitaire capaciteit bij over het uitputtingsgebied. De capaciteit hangt af van zowel het gebied AS als de zijwandomtrek PS van het brondiffusiegebied. De geometrie wordt geïllustreerd in figuur 2.12. Het gebied is AS = WD. De omtrek is PS = 2W 2D. Van deze omtrek grenst W aan het kanaal en de resterende W 2D niet.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!