Capacité parasitaire totale de la source Calculatrice

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Optimisation des matériaux VLSI

Conception VLSI analogique

✖La capacité entre la jonction du corps et la source est définie comme la capacité entre la jonction du corps et la jonction source du MOSFET.ⓘ Capacité entre la jonction du corps et la source [C_jbs]			+10% -10%
✖La zone de diffusion de la source est définie comme le mouvement net de quelque chose depuis une région de concentration plus élevée vers une région de concentration plus faible dans la porte source.ⓘ Zone de diffusion de la source [A_s]			+10% -10%
✖La capacité entre la jonction du corps et la paroi latérale est une capacité parasite qui peut affecter les performances du circuit.ⓘ Capacité entre la jonction du corps et la paroi latérale [C_bsw]			+10% -10%
✖Le périmètre de diffusion de la source sur la paroi latérale est défini comme le périmètre de diffusion de la source n'incluant pas le bord sous la grille.ⓘ Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source [P_s]			+10% -10%

✖La capacité parasite de la source est une capacité inévitable et généralement indésirable.ⓘ Capacité parasitaire totale de la source [C_sop]

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Formule

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Capacité parasitaire totale de la source

Formule

`"C"_{"sop"} = ("C"_{"jbs"}*"A"_{"s"})+("C"_{"bsw"}*"P"_{"s"})`

Exemple

`"0.418966μF/mm²"=("76.46μF/mm²"*"5479mm²")+("0.1391μF/mm"*"301.64mm")`

Calculatrice

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Capacité parasitaire totale de la source Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité parasite de la source = (Capacité entre la jonction du corps et la source*Zone de diffusion de la source)+(Capacité entre la jonction du corps et la paroi latérale*Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source)
C_sop = (C_jbs*A_s)+(C_bsw*P_s)
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Capacité parasite de la source - (Mesuré en Farad par mètre carré) - La capacité parasite de la source est une capacité inévitable et généralement indésirable.
Capacité entre la jonction du corps et la source - (Mesuré en Farad par mètre carré) - La capacité entre la jonction du corps et la source est définie comme la capacité entre la jonction du corps et la jonction source du MOSFET.
Zone de diffusion de la source - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de diffusion de la source est définie comme le mouvement net de quelque chose depuis une région de concentration plus élevée vers une région de concentration plus faible dans la porte source.
Capacité entre la jonction du corps et la paroi latérale - (Mesuré en Farad par mètre) - La capacité entre la jonction du corps et la paroi latérale est une capacité parasite qui peut affecter les performances du circuit.
Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source - (Mesuré en Mètre) - Le périmètre de diffusion de la source sur la paroi latérale est défini comme le périmètre de diffusion de la source n'incluant pas le bord sous la grille.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Capacité entre la jonction du corps et la source: 76.46 Microfarad par millimètre carré --> 76.46 Farad par mètre carré (Vérifiez la conversion ici)
Zone de diffusion de la source: 5479 Millimètre carré --> 0.005479 Mètre carré (Vérifiez la conversion ici)
Capacité entre la jonction du corps et la paroi latérale: 0.1391 Microfarad par millimètre --> 0.0001391 Farad par mètre (Vérifiez la conversion ici)
Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source: 301.64 Millimètre --> 0.30164 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_sop = (C_jbs*A_s)+(C_bsw*P_s) --> (76.46*0.005479)+(0.0001391*0.30164)

Évaluer ... ...

C_sop = 0.418966298124

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.418966298124 Farad par mètre carré -->0.418966298124 Microfarad par millimètre carré (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.418966298124 ≈ 0.418966 Microfarad par millimètre carré <-- Capacité parasite de la source

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » Fabrication VLSI » Optimisation des matériaux VLSI » Capacité parasitaire totale de la source

Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 25 Optimisation des matériaux VLSI Calculatrices

Densité de charge de la région d'épuisement en vrac VLSI

Aller Densité de charge de la région d'épuisement global = -(1-((Étendue latérale de la région d'épuisement avec source+Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain)/(2*Longueur du canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentration d'accepteur*abs(2*Potentiel des surfaces))

Coefficient d'effet corporel

Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))

Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI

Aller Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tension intégrée de jonction)/([Charge-e]*Concentration d'accepteur))

Jonction Tension intégrée VLSI

Aller Tension intégrée de jonction = ([BoltZ]*Température/[Charge-e])*ln(Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs/(Concentration intrinsèque)^2)

Capacité parasitaire totale de la source

Aller Capacité parasite de la source = (Capacité entre la jonction du corps et la source*Zone de diffusion de la source)+(Capacité entre la jonction du corps et la paroi latérale*Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source)

Courant de saturation des canaux courts VLSI

Aller Courant de saturation des canaux courts = Largeur de canal*Vitesse de dérive des électrons de saturation*Capacité d'oxyde par unité de surface*Tension de source de drain de saturation

Courant de jonction

Aller Courant de jonction = (Puissance statique/Tension du collecteur de base)-(Courant sous-seuil+Conflit actuel+Courant de porte)

Potentiel de surface

Aller Potentiel des surfaces = 2*Différence potentielle du corps source*ln(Concentration d'accepteur/Concentration intrinsèque)

Longueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porte

Aller Longueur de la porte = Capacité de porte/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Largeur du portail)

Capacité d'oxyde de porte

Aller Capacité de la couche d'oxyde de grille = Capacité de porte/(Largeur du portail*Longueur de la porte)

Coefficient DIBL

Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source

Tension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps

Aller Tension de seuil DIBL = Coefficient DIBL*Potentiel de drainage vers la source+Tension de seuil

Pente sous-seuil

Aller Pente sous-seuil = Différence potentielle du corps source*Coefficient DIBL*ln(10)

Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète = Capacité d'oxyde par unité de surface*Facteur d'échelle

Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Épaisseur d'oxyde de porte après mise à l'échelle complète = Épaisseur d'oxyde de porte/Facteur d'échelle

Capacité de porte

Aller Capacité de porte = Frais de canal/(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Tension de seuil

Aller Tension de seuil = Tension porte à canal-(Frais de canal/Capacité de porte)

Charge de canal

Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète = Profondeur de jonction/Facteur d'échelle

Tension critique

Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Longueur du canal après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Longueur du canal après mise à l'échelle complète = Longueur du canal/Facteur d'échelle

Capacité de porte intrinsèque

Aller Capacité de chevauchement de porte MOS = Capacité de la porte MOS*Largeur de transition

Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Largeur du canal après mise à l'échelle complète = Largeur de canal/Facteur d'échelle

Mobilité à Mosfet

Aller Mobilité dans MOSFET = K Premier/Capacité de la couche d'oxyde de grille

K-Prime

Aller K Premier = Mobilité dans MOSFET*Capacité de la couche d'oxyde de grille

Capacité parasitaire totale de la source Formule

Qu'est-ce que le modèle de capacité de diffusion MOS ?

La jonction p – n entre la source de diffusion et le corps contribue à la capacité parasite dans la région d'appauvrissement. La capacité dépend à la fois de la surface AS et du périmètre PS de la paroi latérale de la région de diffusion de la source. La géométrie est illustrée à la Figure 2.12. La zone est AS = WD. Le périmètre est PS = 2W 2D. De ce périmètre, W bute sur le canal et le reste W 2D ne le fait pas.

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