Capacitância Parasítica da Fonte Total Calculadora

Engenharia Financeiro Física Matemática Mais >>

↳

Eletrônicos Ciência de materiais Civil Elétrico Mais >>

⤿

Fabricação VLSI Amplificadores Antena e propagação de ondas Circuitos Integrados (CI)Mais >>

⤿

Otimização de materiais VLSI Projeto VLSI analógico

✖A capacitância entre a junção do corpo e a fonte é definida como a capacitância entre a junção do corpo e a junção da fonte do MOSFET.ⓘ Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte [C_jbs]			+10% -10%
✖A área de difusão da fonte é definida como o movimento líquido de qualquer coisa de uma região de maior concentração para uma região de menor concentração na porta da fonte.ⓘ Área de Difusão de Fonte [A_s]			+10% -10%
✖A capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral é uma capacitância parasita que pode afetar o desempenho do circuito.ⓘ Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral [C_bsw]			+10% -10%
✖O perímetro da parede lateral de difusão da fonte é definido como o perímetro de difusão da fonte, não incluindo a borda sob o portão.ⓘ Perímetro da parede lateral de difusão da fonte [P_s]			+10% -10%

✖A capacitância parasita da fonte é uma capacitância inevitável e geralmente indesejada.ⓘ Capacitância Parasítica da Fonte Total [C_sop]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

LaTeX

Redefinir

👍

Download Eletrônicos Fórmula PDF PDF Image

Capacitância Parasítica da Fonte Total Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Fonte de capacitância parasita = (Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte*Área de Difusão de Fonte)+(Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral*Perímetro da parede lateral de difusão da fonte)
C_sop = (C_jbs*A_s)+(C_bsw*P_s)
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Fonte de capacitância parasita - (Medido em Farad por metro quadrado) - A capacitância parasita da fonte é uma capacitância inevitável e geralmente indesejada.
Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte - (Medido em Farad por metro quadrado) - A capacitância entre a junção do corpo e a fonte é definida como a capacitância entre a junção do corpo e a junção da fonte do MOSFET.
Área de Difusão de Fonte - (Medido em Metro quadrado) - A área de difusão da fonte é definida como o movimento líquido de qualquer coisa de uma região de maior concentração para uma região de menor concentração na porta da fonte.
Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral - (Medido em Farad por Metro) - A capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral é uma capacitância parasita que pode afetar o desempenho do circuito.
Perímetro da parede lateral de difusão da fonte - (Medido em Metro) - O perímetro da parede lateral de difusão da fonte é definido como o perímetro de difusão da fonte, não incluindo a borda sob o portão.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte: 76.46 Microfarad por Milímetro Quadrado --> 76.46 Farad por metro quadrado (Verifique a conversão aqui)
Área de Difusão de Fonte: 5479 Milimetros Quadrados --> 0.005479 Metro quadrado (Verifique a conversão aqui)
Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral: 0.1391 Microfarad por Milímetro --> 0.0001391 Farad por Metro (Verifique a conversão aqui)
Perímetro da parede lateral de difusão da fonte: 301.64 Milímetro --> 0.30164 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_sop = (C_jbs*A_s)+(C_bsw*P_s) --> (76.46*0.005479)+(0.0001391*0.30164)

Avaliando ... ...

C_sop = 0.418966298124

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.418966298124 Farad por metro quadrado -->0.418966298124 Microfarad por Milímetro Quadrado (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.418966298124 ≈ 0.418966 Microfarad por Milímetro Quadrado <-- Fonte de capacitância parasita

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Fabricação VLSI » Otimização de materiais VLSI » Capacitância Parasítica da Fonte Total

Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Coeficiente de Efeito Corporal

LaTeX Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte

Carga do canal

LaTeX Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Tensão Crítica

LaTeX Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Ver mais >>

Capacitância Parasítica da Fonte Total Fórmula

LaTeX Vai

O que é o modelo de capacitância de difusão MOS?

A junção p-n entre a difusão da fonte e o corpo contribui com a capacitância parasita através da região de depleção. A capacitância depende tanto da área AS quanto do perímetro da parede lateral PS da região de difusão da fonte. A geometria é ilustrada na Figura 2.12. A área é AS = WD. O perímetro é PS = 2W 2D. Deste perímetro, W confina com o canal e o restante W 2D não.

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!