Capacitância Parasítica da Fonte Total Calculadora

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Otimização de materiais VLSI

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✖A capacitância entre a junção do corpo e a fonte é definida como a capacitância entre a junção do corpo e a junção da fonte do MOSFET.ⓘ Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte [C_jbs]			+10% -10%
✖A área de difusão da fonte é definida como o movimento líquido de qualquer coisa de uma região de maior concentração para uma região de menor concentração na porta da fonte.ⓘ Área de Difusão de Fonte [A_s]			+10% -10%
✖A capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral é uma capacitância parasita que pode afetar o desempenho do circuito.ⓘ Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral [C_bsw]			+10% -10%
✖O perímetro da parede lateral de difusão da fonte é definido como o perímetro de difusão da fonte, não incluindo a borda sob o portão.ⓘ Perímetro da parede lateral de difusão da fonte [P_s]			+10% -10%

✖A capacitância parasita da fonte é uma capacitância inevitável e geralmente indesejada.ⓘ Capacitância Parasítica da Fonte Total [C_sop]

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Fórmula

✖

Capacitância Parasítica da Fonte Total

Fórmula

`"C"_{"sop"} = ("C"_{"jbs"}*"A"_{"s"})+("C"_{"bsw"}*"P"_{"s"})`

Exemplo

`"0.418966μF/mm²"=("76.46μF/mm²"*"5479mm²")+("0.1391μF/mm"*"301.64mm")`

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Capacitância Parasítica da Fonte Total Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Fonte de capacitância parasita = (Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte*Área de Difusão de Fonte)+(Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral*Perímetro da parede lateral de difusão da fonte)
C_sop = (C_jbs*A_s)+(C_bsw*P_s)
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Fonte de capacitância parasita - (Medido em Farad por metro quadrado) - A capacitância parasita da fonte é uma capacitância inevitável e geralmente indesejada.
Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte - (Medido em Farad por metro quadrado) - A capacitância entre a junção do corpo e a fonte é definida como a capacitância entre a junção do corpo e a junção da fonte do MOSFET.
Área de Difusão de Fonte - (Medido em Metro quadrado) - A área de difusão da fonte é definida como o movimento líquido de qualquer coisa de uma região de maior concentração para uma região de menor concentração na porta da fonte.
Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral - (Medido em Farad por Metro) - A capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral é uma capacitância parasita que pode afetar o desempenho do circuito.
Perímetro da parede lateral de difusão da fonte - (Medido em Metro) - O perímetro da parede lateral de difusão da fonte é definido como o perímetro de difusão da fonte, não incluindo a borda sob o portão.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte: 76.46 Microfarad por Milímetro Quadrado --> 76.46 Farad por metro quadrado (Verifique a conversão aqui)
Área de Difusão de Fonte: 5479 Milimetros Quadrados --> 0.005479 Metro quadrado (Verifique a conversão aqui)
Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral: 0.1391 Microfarad por Milímetro --> 0.0001391 Farad por Metro (Verifique a conversão aqui)
Perímetro da parede lateral de difusão da fonte: 301.64 Milímetro --> 0.30164 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_sop = (C_jbs*A_s)+(C_bsw*P_s) --> (76.46*0.005479)+(0.0001391*0.30164)

Avaliando ... ...

C_sop = 0.418966298124

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.418966298124 Farad por metro quadrado -->0.418966298124 Microfarad por Milímetro Quadrado (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.418966298124 ≈ 0.418966 Microfarad por Milímetro Quadrado <-- Fonte de capacitância parasita

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 25 Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI

Vai Densidade de carga da região de esgotamento em massa = -(1-((Extensão lateral da região de esgotamento com fonte+Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno)/(2*Comprimento do canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentração do aceitante*abs(2*Potencial de Superfície))

Coeficiente de Efeito Corporal

Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))

Tensão integrada de junção VLSI

Vai Tensão interna de junção = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentração do aceitante*Concentração de doadores/(Concentração Intrínseca)^2)

Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI

Vai Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensão interna de junção)/([Charge-e]*Concentração do aceitante))

Capacitância Parasítica da Fonte Total

Vai Fonte de capacitância parasita = (Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte*Área de Difusão de Fonte)+(Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral*Perímetro da parede lateral de difusão da fonte)

Corrente de saturação de canal curto VLSI

Vai Corrente de saturação de canal curto = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Tensão da fonte de drenagem de saturação

Corrente de junção

Vai Corrente de Junção = (Potência Estática/Tensão do Coletor Base)-(Corrente Sublimiar+Corrente de contenção+Corrente do portão)

Potencial de Superfície

Vai Potencial de Superfície = 2*Diferença potencial do corpo de origem*ln(Concentração do aceitante/Concentração Intrínseca)

Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão

Vai Comprimento do portão = Capacitância do portão/(Capacitância da camada de óxido de porta*Largura do portão)

Capacitância de Óxido de Porta

Vai Capacitância da camada de óxido de porta = Capacitância do portão/(Largura do portão*Comprimento do portão)

Capacitância da porta

Vai Capacitância do portão = Taxa de canal/(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Coeficiente DIBL

Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte

Tensão de limiar

Vai Tensão de limiar = Tensão do portão para o canal-(Taxa de canal/Capacitância do portão)

Carga do canal

Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Tensão Limiar quando a Fonte está no Potencial Corporal

Vai Tensão Limite DIBL = Coeficiente DIBL*Drenar para Potencial de Fonte+Tensão de limiar

Sublimiar Inclinação

Vai Inclinação Sublimiar = Diferença potencial do corpo de origem*Coeficiente DIBL*ln(10)

Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI

Vai Capacitância de óxido após escala completa = Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Fator de escala

Espessura de óxido de porta após escala completa VLSI

Vai Espessura do óxido de porta após escala completa = Espessura do Óxido de Porta/Fator de escala

Capacitância de porta intrínseca

Vai Capacitância de sobreposição de porta MOS = Capacitância da Porta MOS*Largura da transição

Tensão Crítica

Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Profundidade da junção após Full Scaling VLSI

Vai Profundidade da junção após escala completa = Profundidade da Junção/Fator de escala

Comprimento do canal após Full Scaling VLSI

Vai Comprimento do canal após escala completa = Comprimento do canal/Fator de escala

Largura do canal após Full Scaling VLSI

Vai Largura do canal após escala completa = Largura de banda/Fator de escala

Mobilidade em Mosfet

Vai Mobilidade em MOSFET = K Prime/Capacitância da camada de óxido de porta

K-Prime

Vai K Prime = Mobilidade em MOSFET*Capacitância da camada de óxido de porta

Capacitância Parasítica da Fonte Total Fórmula

O que é o modelo de capacitância de difusão MOS?

A junção p-n entre a difusão da fonte e o corpo contribui com a capacitância parasita através da região de depleção. A capacitância depende tanto da área AS quanto do perímetro da parede lateral PS da região de difusão da fonte. A geometria é ilustrada na Figura 2.12. A área é AS = WD. O perímetro é PS = 2W 2D. Deste perímetro, W confina com o canal e o restante W 2D não.

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