Общий заряд акцептора Калькулятор

✖Проникновение заряда N-типа относится к явлению, когда дополнительные электроны от атомов примеси, обычно фосфора или мышьяка, проникают в кристаллическую решетку полупроводникового материала.ⓘ Проникновение заряда N-типа [x_no]			+10% -10%
✖Область перехода — это граница или область интерфейса между двумя типами полупроводниковых материалов в p-n-диоде.ⓘ Зона соединения [A_j]			+10% -10%
✖Концентрация акцептора — это концентрация атома-акцептора или легирующей примеси, который при замещении в решетке полупроводника образует область p-типа.ⓘ Концентрация акцептора [N_a]			+10% -10%

✖Общий заряд акцептора относится к общему чистому заряду, связанному с атомами акцептора в полупроводниковом материале или устройстве.ⓘ Общий заряд акцептора [|Q|]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Общий заряд акцептора

Формула

`"|Q|" = "[Charge-e]"*"x"_{"no"}*"A"_{"j"}*"N"_{"a"}`

Пример

`"12.98941C"="[Charge-e]"*"0.019μm"*"5401.3µm²"*"7.9e35/m³"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать SSD-соединение Формулы PDF PDF Image

Общий заряд акцептора Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Общий заряд акцептора = [Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Зона соединения*Концентрация акцептора
|Q| = [Charge-e]*x_no*A_j*N_a
В этой формуле используются 1 Константы, 4 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые переменные

Общий заряд акцептора - (Измеряется в Кулон) - Общий заряд акцептора относится к общему чистому заряду, связанному с атомами акцептора в полупроводниковом материале или устройстве.
Проникновение заряда N-типа - (Измеряется в метр) - Проникновение заряда N-типа относится к явлению, когда дополнительные электроны от атомов примеси, обычно фосфора или мышьяка, проникают в кристаллическую решетку полупроводникового материала.
Зона соединения - (Измеряется в Квадратный метр) - Область перехода — это граница или область интерфейса между двумя типами полупроводниковых материалов в p-n-диоде.
Концентрация акцептора - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация акцептора — это концентрация атома-акцептора или легирующей примеси, который при замещении в решетке полупроводника образует область p-типа.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Проникновение заряда N-типа: 0.019 микрометр --> 1.9E-08 метр (Проверьте преобразование здесь)
Зона соединения: 5401.3 Площадь микрометра --> 5.4013E-09 Квадратный метр (Проверьте преобразование здесь)
Концентрация акцептора: 7.9E+35 1 на кубический метр --> 7.9E+35 1 на кубический метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

|Q| = [Charge-e]*x_no*A_j*N_a --> [Charge-e]*1.9E-08*5.4013E-09*7.9E+35

Оценка ... ...

|Q| = 12.9894087029866

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

12.9894087029866 Кулон --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

12.9894087029866 ≈ 12.98941 Кулон <-- Общий заряд акцептора

(Расчет завершен через 00.035 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Твердотельные устройства » SSD-соединение » Общий заряд акцептора

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 16 SSD-соединение Калькуляторы

Емкость перехода

Идти Емкость перехода = (Зона соединения/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Смещение постоянной длины*Легирующая концентрация основания)/(Напряжение источника-Напряжение источника 1))

Длина соединения на стороне P

Идти Длина соединения на стороне P = (Оптический ток/([Charge-e]*Зона соединения*Скорость оптической генерации))-(Ширина перехода соединения+Диффузионная длина переходной области)

Последовательное сопротивление P-типа

Идти Последовательное сопротивление в P-переходе = ((Напряжение источника-Напряжение соединения)/Электрический ток)-Последовательное сопротивление в N-переходе

Последовательное сопротивление типа N

Идти Последовательное сопротивление в N-переходе = ((Напряжение источника-Напряжение соединения)/Электрический ток)-Последовательное сопротивление в P-переходе

Переходное напряжение

Идти Напряжение соединения = Напряжение источника-(Последовательное сопротивление в P-переходе+Последовательное сопротивление в N-переходе)*Электрический ток

Ширина перехода соединения

Идти Ширина перехода соединения = Проникновение заряда N-типа*((Концентрация акцептора+Концентрация доноров)/Концентрация акцептора)

Площадь поперечного сечения соединения

Идти Зона соединения = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Концентрация акцептора)

Концентрация акцептора

Идти Концентрация акцептора = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Зона соединения)

Ширина N-типа

Идти Проникновение заряда N-типа = Общий заряд акцептора/(Зона соединения*Концентрация акцептора*[Charge-e])

Общий заряд акцептора

Идти Общий заряд акцептора = [Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Зона соединения*Концентрация акцептора

Концентрация доноров

Идти Концентрация доноров = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда P-типа*Зона соединения)

Коэффициент поглощения

Идти Коэффициент поглощения = (-1/Толщина образца)*ln(Поглощенная мощность/Мощность инцидента)

Поглощенная мощность

Идти Поглощенная мощность = Мощность инцидента*exp(-Толщина образца*Коэффициент поглощения)

Чистое распределение заряда

Идти Чистое распределение = (Концентрация доноров-Концентрация акцептора)/Оцененная постоянная

Длина соединения PN

Идти Длина соединения = Смещение постоянной длины+Эффективная длина канала

Квантовое число

Идти Квантовое число = [Coulomb]*Потенциальная длина скважины/3.14

Общий заряд акцептора формула

Общий заряд акцептора = [Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Зона соединения*Концентрация акцептора
|Q| = [Charge-e]*x_no*A_j*N_a

Что такое барьерный потенциал (отключение напряжения)?

Прямое напряжение, при котором ток через переход начинает быстро увеличиваться. В квантовой механике прямоугольный потенциальный барьер представляет собой стандартную одномерную задачу, демонстрирующую явления волнового механического туннелирования и волнового механического отражения.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!