Площадь поперечного сечения соединения Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Твердотельные устройства EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

SSD-соединение Полупроводниковые носители Электроны и дырки Энергетический диапазон и носитель заряда

✖Общий заряд акцептора относится к общему чистому заряду, связанному с атомами акцептора в полупроводниковом материале или устройстве.ⓘ Общий заряд акцептора [\|Q\|]			+10% -10%
✖Проникновение заряда N-типа относится к явлению, когда дополнительные электроны от атомов примеси, обычно фосфора или мышьяка, проникают в кристаллическую решетку полупроводникового материала.ⓘ Проникновение заряда N-типа [x_no]			+10% -10%
✖Концентрация акцептора — это концентрация атома-акцептора или легирующей примеси, который при замещении в решетке полупроводника образует область p-типа.ⓘ Концентрация акцептора [N_a]			+10% -10%

✖Область перехода — это граница или область интерфейса между двумя типами полупроводниковых материалов в p-n-диоде.ⓘ Площадь поперечного сечения соединения [A_j]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать SSD-соединение Формулы PDF PDF Image

Площадь поперечного сечения соединения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Зона соединения = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Концентрация акцептора)
A_j = |Q|/([Charge-e]*x_no*N_a)
В этой формуле используются 1 Константы, 4 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые переменные

Зона соединения - (Измеряется в Квадратный метр) - Область перехода — это граница или область интерфейса между двумя типами полупроводниковых материалов в p-n-диоде.
Общий заряд акцептора - (Измеряется в Кулон) - Общий заряд акцептора относится к общему чистому заряду, связанному с атомами акцептора в полупроводниковом материале или устройстве.
Проникновение заряда N-типа - (Измеряется в Метр) - Проникновение заряда N-типа относится к явлению, когда дополнительные электроны от атомов примеси, обычно фосфора или мышьяка, проникают в кристаллическую решетку полупроводникового материала.
Концентрация акцептора - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация акцептора — это концентрация атома-акцептора или легирующей примеси, который при замещении в решетке полупроводника образует область p-типа.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Общий заряд акцептора: 13 Кулон --> 13 Кулон Конверсия не требуется
Проникновение заряда N-типа: 0.019 микрометр --> 1.9E-08 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Концентрация акцептора: 7.9E+35 1 на кубический метр --> 7.9E+35 1 на кубический метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

A_j = |Q|/([Charge-e]*x_no*N_a) --> 13/([Charge-e]*1.9E-08*7.9E+35)

Оценка ... ...

A_j = 5.40570410906043E-09

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

5.40570410906043E-09 Квадратный метр -->5405.70410906043 Площадь микрометра (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

5405.70410906043 ≈ 5405.704 Площадь микрометра <-- Зона соединения

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Твердотельные устройства » SSD-соединение » Площадь поперечного сечения соединения

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< SSD-соединение Калькуляторы

Емкость перехода

LaTeX Идти Емкость перехода = (Зона соединения/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Смещение постоянной длины*Легирующая концентрация основания)/(Напряжение источника-Напряжение источника 1))

Последовательное сопротивление P-типа

LaTeX Идти Последовательное сопротивление в P-переходе = ((Напряжение источника-Напряжение соединения)/Электрический ток)-Последовательное сопротивление в N-переходе

Переходное напряжение

LaTeX Идти Напряжение соединения = Напряжение источника-(Последовательное сопротивление в P-переходе+Последовательное сопротивление в N-переходе)*Электрический ток

Ширина N-типа

LaTeX Идти Проникновение заряда N-типа = Общий заряд акцептора/(Зона соединения*Концентрация акцептора*[Charge-e])

Узнать больше >>

Площадь поперечного сечения соединения формула

LaTeX Идти

Зона соединения = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Концентрация акцептора)
A_j = |Q|/([Charge-e]*x_no*N_a)

Как образуется полупроводниковый переход?

Pn-переходы образуются путем соединения полупроводниковых материалов n-типа и p-типа, как показано ниже. ... Однако в p-n-переходе, когда электроны и дырки перемещаются на другую сторону перехода, они оставляют открытые заряды на узлах легирующих атомов, которые закреплены в кристаллической решетке и не могут двигаться.

English Spanish French German Italian Portuguese Polish Dutch

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!