Концентрация доноров Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Концентрация доноров = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда P-типа*Зона соединения)
Nd = |Q|/([Charge-e]*xpo*Aj)
В этой формуле используются 1 Константы, 4 Переменные
Используемые константы
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые переменные
Концентрация доноров - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация доноров относится к концентрации или плотности атомов доноров в полупроводниковом материале.
Общий заряд акцептора - (Измеряется в Кулон) - Общий заряд акцептора относится к общему чистому заряду, связанному с атомами акцептора в полупроводниковом материале или устройстве.
Проникновение заряда P-типа - (Измеряется в метр) - Проникновение заряда P-тип относится к явлению, когда атомы примеси, такие как бор или галлий, вносят дырки в кристаллическую решетку полупроводникового материала, обычно кремния или германия.
Зона соединения - (Измеряется в Квадратный метр) - Область перехода — это граница или область интерфейса между двумя типами полупроводниковых материалов в p-n-диоде.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Общий заряд акцептора: 13 Кулон --> 13 Кулон Конверсия не требуется
Проникновение заряда P-типа: 0.06 микрометр --> 6E-08 метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Зона соединения: 5401.3 Площадь микрометра --> 5.4013E-09 Квадратный метр (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Nd = |Q|/([Charge-e]*xpo*Aj) --> 13/([Charge-e]*6E-08*5.4013E-09)
Оценка ... ...
Nd = 2.50370647427462E+35
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
2.50370647427462E+35 1 на кубический метр --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
2.50370647427462E+35 2.5E+35 1 на кубический метр <-- Концентрация доноров
(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Шобхит Димри
Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат
Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

16 SSD-соединение Калькуляторы

Емкость перехода
​ Идти Емкость перехода = (Зона соединения/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Смещение постоянной длины*Легирующая концентрация основания)/(Напряжение источника-Напряжение источника 1))
Длина соединения на стороне P
​ Идти Длина соединения на стороне P = (Оптический ток/([Charge-e]*Зона соединения*Скорость оптической генерации))-(Ширина перехода соединения+Диффузионная длина переходной области)
Последовательное сопротивление P-типа
​ Идти Последовательное сопротивление в P-переходе = ((Напряжение источника-Напряжение соединения)/Электрический ток)-Последовательное сопротивление в N-переходе
Последовательное сопротивление типа N
​ Идти Последовательное сопротивление в N-переходе = ((Напряжение источника-Напряжение соединения)/Электрический ток)-Последовательное сопротивление в P-переходе
Переходное напряжение
​ Идти Напряжение соединения = Напряжение источника-(Последовательное сопротивление в P-переходе+Последовательное сопротивление в N-переходе)*Электрический ток
Ширина перехода соединения
​ Идти Ширина перехода соединения = Проникновение заряда N-типа*((Концентрация акцептора+Концентрация доноров)/Концентрация акцептора)
Площадь поперечного сечения соединения
​ Идти Зона соединения = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Концентрация акцептора)
Концентрация акцептора
​ Идти Концентрация акцептора = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Зона соединения)
Ширина N-типа
​ Идти Проникновение заряда N-типа = Общий заряд акцептора/(Зона соединения*Концентрация акцептора*[Charge-e])
Общий заряд акцептора
​ Идти Общий заряд акцептора = [Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Зона соединения*Концентрация акцептора
Концентрация доноров
​ Идти Концентрация доноров = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда P-типа*Зона соединения)
Коэффициент поглощения
​ Идти Коэффициент поглощения = (-1/Толщина образца)*ln(Поглощенная мощность/Мощность инцидента)
Поглощенная мощность
​ Идти Поглощенная мощность = Мощность инцидента*exp(-Толщина образца*Коэффициент поглощения)
Чистое распределение заряда
​ Идти Чистое распределение = (Концентрация доноров-Концентрация акцептора)/Оцененная постоянная
Длина соединения PN
​ Идти Длина соединения = Смещение постоянной длины+Эффективная длина канала
Квантовое число
​ Идти Квантовое число = [Coulomb]*Потенциальная длина скважины/3.14

Концентрация доноров формула

Концентрация доноров = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда P-типа*Зона соединения)
Nd = |Q|/([Charge-e]*xpo*Aj)

Что такое Донорный атом?

Донор — это легирующий атом, который при добавлении в полупроводник может образовывать область n-типа. Атом-донор имеет больше электронов, доступных для связи с соседними атомами, чем требуется для атома в полупроводнике-хозяине.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!