Vorspannung des MOSFET Taschenrechner

✖Eine DC-Vorspannung wird häufig verwendet, um einen stabilen Arbeitspunkt für aktive Komponenten wie Transistoren, Verstärker und Dioden festzulegen.ⓘ DC-Vorspannung [V_bias]			+10% -10%
✖Unter Gleichspannung, auch Gleichspannung genannt, versteht man die zeitlich konstante elektrische Potentialdifferenz zwischen zwei Punkten in einem Stromkreis.ⓘ Gleichspannung [V_de]			+10% -10%

✖Die totale momentane Vorspannung wird häufig verwendet, um einen stabilen Betriebspunkt für aktive Komponenten wie Transistoren, Verstärker und Dioden festzulegen.ⓘ Vorspannung des MOSFET [V_be]

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Formel

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Vorspannung des MOSFET

Formel

`"V"_{"be"} = "V"_{"bias"}+"V"_{"de"}`

Beispiel

`"8.3V"="5.3V"+"3V"`

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Vorspannung des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gesamte momentane Vorspannung = DC-Vorspannung+Gleichspannung
V_be = V_bias+V_de
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Gesamte momentane Vorspannung - (Gemessen in Volt) - Die totale momentane Vorspannung wird häufig verwendet, um einen stabilen Betriebspunkt für aktive Komponenten wie Transistoren, Verstärker und Dioden festzulegen.
DC-Vorspannung - (Gemessen in Volt) - Eine DC-Vorspannung wird häufig verwendet, um einen stabilen Arbeitspunkt für aktive Komponenten wie Transistoren, Verstärker und Dioden festzulegen.
Gleichspannung - (Gemessen in Volt) - Unter Gleichspannung, auch Gleichspannung genannt, versteht man die zeitlich konstante elektrische Potentialdifferenz zwischen zwei Punkten in einem Stromkreis.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

DC-Vorspannung: 5.3 Volt --> 5.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Gleichspannung: 3 Volt --> 3 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_be = V_bias+V_de --> 5.3+3

Auswerten ... ...

V_be = 8.3

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

8.3 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

8.3 Volt <-- Gesamte momentane Vorspannung

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Prahalad Singh

Jaipur Engineering College und Forschungszentrum (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner verifiziert!

< 18 Voreingenommenheit Taschenrechner

Kollektorstrom bei gegebener Stromverstärkung Mosfet

Gehen Kollektorstrom = (Aktueller Gewinn*(Negative Versorgungsspannung-Basis-Emitter-Spannung))/(Basiswiderstand+(Aktueller Gewinn+1)*Emitterwiderstand)

Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet

Gehen Eingangsvorspannungsstrom = (Negative Versorgungsspannung-Basis-Emitter-Spannung)/(Basiswiderstand+(Aktueller Gewinn+1)*Emitterwiderstand)

Kollektor-Emitter-Spannung bei gegebenem Kollektorwiderstand

Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Kollektorversorgungsspannung-(Kollektorstrom+Eingangsvorspannungsstrom)*Kollektorlastwiderstand

Kollektorstrom bei gegebener Stromverstärkung

Gehen Kollektorstrom = Aktueller Gewinn*(Kollektorversorgungsspannung-Basis-Emitter-Spannung)/Basiswiderstand

Kollektor-Emitter-Spannung

Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Kollektorversorgungsspannung-Kollektorlastwiderstand*Kollektorstrom

Kollektorspannung in Bezug auf Erde

Gehen Kollektorspannung = Kollektorversorgungsspannung-Kollektorstrom*Kollektorlastwiderstand

DC-Vorspannungsstrom des MOSFET

Gehen DC-Vorstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Emitterspannung in Bezug auf Masse

Gehen Emitterspannung = -Negative Versorgungsspannung+(Emitterstrom*Emitterwiderstand)

Basisstrom des MOSFET

Gehen Eingangsvorspannungsstrom = (Vorspannung-Basis-Emitter-Spannung)/Basiswiderstand

DC-Bias-Ausgangsspannung am Drain

Gehen Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Lastwiderstand*DC-Vorstrom

Kollektorstrom in Sättigung

Gehen Kollektorstromsättigung = Kollektorversorgungsspannung/Kollektorlastwiderstand

DC-Bias-Strom des MOSFET unter Verwendung der Overdrive-Spannung

Gehen DC-Vorstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter*Effektive Spannung^2

Vorspannung des MOSFET

Gehen Gesamte momentane Vorspannung = DC-Vorspannung+Gleichspannung

Kollektorstrom des Mosfet

Gehen Kollektorstrom = Aktueller Gewinn*Eingangsvorspannungsstrom

Eingangsvorspannungsstrom

Gehen DC-Vorstrom = (Eingangsbiasstrom 1+Eingangsbiasstrom 2)/2

Emitterstrom des Mosfet

Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom+Eingangsvorspannungsstrom

Basisspannung in Bezug auf Erde

Gehen Basisspannung = Emitterspannung+Basis-Emitter-Spannung

Vorstrom im Differentialpaar

Gehen DC-Vorstrom = Strom ableiten 1+Strom ableiten 2

< 15 MOSFET-Eigenschaften Taschenrechner

Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite/Kanallänge*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)

Spannungsverstärkung bei gegebenem Lastwiderstand des MOSFET

Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*(1/(1/Lastwiderstand+1/Ausgangswiderstand))/(1+Steilheit*Quellenwiderstand)

Übergangsfrequenz des MOSFET

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Maximale Spannungsverstärkung am Vorspannungspunkt

Gehen Maximale Spannungsverstärkung = 2*(Versorgungsspannung-Effektive Spannung)/(Effektive Spannung)

Spannungsverstärkung mit Kleinsignal

Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*1/(1/Lastwiderstand+1/Endlicher Widerstand)

Spannungsverstärkung bei gegebener Drain-Spannung

Gehen Spannungsverstärkung = (Stromverbrauch*Lastwiderstand*2)/Effektive Spannung

Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET

Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)

Body-Effekt auf die Transkonduktanz

Gehen Körpertranskonduktanz = Änderung des Schwellenwerts zur Basisspannung*Steilheit

Maximale Spannungsverstärkung bei allen Spannungen

Gehen Maximale Spannungsverstärkung = (Versorgungsspannung-0.3)/Thermische Spannung

Sättigungsspannung des MOSFET

Gehen Drain- und Source-Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung

Vorspannung des MOSFET

Gehen Gesamte momentane Vorspannung = DC-Vorspannung+Gleichspannung

Schwellenspannung des MOSFET

Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung

Verstärkungsfaktor im Kleinsignal-MOSFET-Modell

Gehen Verstärkungsfaktor = Steilheit*Ausgangswiderstand

Transkonduktanz im MOSFET

Gehen Steilheit = (2*Stromverbrauch)/Overdrive-Spannung

Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = 1/Linearer Widerstand

Vorspannung des MOSFET Formel

Gesamte momentane Vorspannung = DC-Vorspannung+Gleichspannung
V_be = V_bias+V_de

Was ist die Hauptfunktion der Voreingenommenheit?

Vorspannung ist Gleichstrom (DC), der absichtlich zwischen zwei Punkten fließt oder absichtlich angelegt wird, um einen Stromkreis zu steuern. In einem Bipolartransistor wird die Vorspannung normalerweise als die Richtung angegeben, in der Gleichstrom von einer Batterie oder Stromversorgung zwischen dem Emitter und der Basis fließt.

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