Transkonduktanz im MOSFET Taschenrechner

✖Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.ⓘ Stromverbrauch [i_d]			+10% -10%
✖Übersteuerungsspannung ist ein Begriff aus der Elektronik und bezieht sich auf den an ein Gerät oder eine Komponente angelegten Spannungspegel, der seine normale Betriebsspannung überschreitet.ⓘ Overdrive-Spannung [V_ov]			+10% -10%

✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Transkonduktanz im MOSFET [g_m]

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Formel

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Transkonduktanz im MOSFET

Formel

`"g"_{"m"} = (2*"i"_{"d"})/"V"_{"ov"}`

Beispiel

`"0.5mS"=(2*"0.08mA")/"0.32V"`

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Transkonduktanz im MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Steilheit = (2*Stromverbrauch)/Overdrive-Spannung
g_m = (2*i_d)/V_ov
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.
Overdrive-Spannung - (Gemessen in Volt) - Übersteuerungsspannung ist ein Begriff aus der Elektronik und bezieht sich auf den an ein Gerät oder eine Komponente angelegten Spannungspegel, der seine normale Betriebsspannung überschreitet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Stromverbrauch: 0.08 Milliampere --> 8E-05 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Overdrive-Spannung: 0.32 Volt --> 0.32 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

g_m = (2*i_d)/V_ov --> (2*8E-05)/0.32

Auswerten ... ...

g_m = 0.0005

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0005 Siemens -->0.5 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.5 Millisiemens <-- Steilheit

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Transkonduktanz im MOSFET

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Transkonduktanz im MOSFET Formel

Steilheit = (2*Stromverbrauch)/Overdrive-Spannung
g_m = (2*i_d)/V_ov

Was ist Vorspannung?

Die Vorspannung ist die Spannungsmenge, die ein elektronisches Gerät benötigt, um sich einzuschalten und zu funktionieren. Die Vorspannung muss sorgfältig ausgewählt werden, um das Gerät zu betreiben. Dies bedeutet, dass die Leistung für den Betrieb des Geräts auf einem bestimmten Niveau liegen muss. Bei zu geringer Vorspannung reicht die an das Gerät gesendete Energie möglicherweise nicht aus, um es einzuschalten, und daher wird das Gerät nicht eingeschaltet. Bei zu hoher Vorspannung kann das Gerät zu viel Strom empfangen und zerstört werden. Erkundigen Sie sich beim Hersteller des verwendeten Geräts, wie viel Vorspannung es empfangen soll.

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