Verteilungskoeffizient Taschenrechner

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✖Die Verunreinigungskonzentration im Feststoff ist die Menge an Verunreinigung, die hinzugefügt wird, um eine Dotierung im Feststoff durchzuführen.ⓘ Verunreinigungskonzentration im Feststoff [C_solid]			+10% -10%
✖Die Konzentration der Verunreinigung in einer Flüssigkeit bezieht sich auf die Konzentration der Verunreinigung, die der Flüssigkeit zum Dotieren hinzugefügt wird.ⓘ Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit [C_L]			+10% -10%

✖Der Verteilungskoeffizient ist die Konzentration des gelösten Stoffes in zwei verschiedenen Arten von Lösungsmitteln.ⓘ Verteilungskoeffizient [k_d]

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Formel

✖

Verteilungskoeffizient

Formel

`"k"_{"d"} = "C"_{"solid"}/"C"_{"L"}`

Beispiel

`"0.404"="1.01e15cm⁻¹"/"2.5e15cm⁻¹"`

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Verteilungskoeffizient Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Verteilungskoeffizient = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit
k_d = C_solid/C_L
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Verteilungskoeffizient - Der Verteilungskoeffizient ist die Konzentration des gelösten Stoffes in zwei verschiedenen Arten von Lösungsmitteln.
Verunreinigungskonzentration im Feststoff - (Gemessen in 1 pro Meter) - Die Verunreinigungskonzentration im Feststoff ist die Menge an Verunreinigung, die hinzugefügt wird, um eine Dotierung im Feststoff durchzuführen.
Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit - (Gemessen in 1 pro Meter) - Die Konzentration der Verunreinigung in einer Flüssigkeit bezieht sich auf die Konzentration der Verunreinigung, die der Flüssigkeit zum Dotieren hinzugefügt wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Verunreinigungskonzentration im Feststoff: 1.01E+15 1 / Zentimeter --> 1.01E+17 1 pro Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit: 2.5E+15 1 / Zentimeter --> 2.5E+17 1 pro Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

k_d = C_solid/C_L --> 1.01E+17/2.5E+17

Auswerten ... ...

k_d = 0.404

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.404 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.404 <-- Verteilungskoeffizient

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 20 Energieband Taschenrechner

Intrinsische Trägerkonzentration

Gehen Intrinsische Trägerkonzentration = sqrt(Effektive Zustandsdichte im Valenzband*Effektive Zustandsdichte im Leitungsband)*exp(-Energielücke/(2*[BoltZ]*Temperatur))

Trägerlebensdauer

Gehen Trägerlebensdauer = 1/(Verhältnismäßigkeit für Rekombination*(Lochkonzentration im Volantband+Elektronenkonzentration im Leitungsband))

Energie des Elektrons bei gegebener Coulomb-Konstante

Gehen Energie des Elektrons = (Quantenzahl^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Mögliche Bohrlochlänge^2)

Steady-State-Elektronenkonzentration

Gehen Steady-State-Carrier-Konzentration = Elektronenkonzentration im Leitungsband+Überschüssige Trägerkonzentration

Flüssigkeitskonzentration

Gehen Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verteilungskoeffizient

Verteilungskoeffizient

Gehen Verteilungskoeffizient = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit

Rekombinationslebensdauer

Gehen Rekombinationslebensdauer = (Verhältnismäßigkeit für Rekombination*Lochkonzentration im Volantband)^-1

Nettoänderungsrate im Leitungsband

Gehen Verhältnismäßigkeit für Rekombination = Thermische Erzeugung/(Intrinsische Trägerkonzentration^2)

Konzentration im Leitungsband

Gehen Elektronenkonzentration im Leitungsband = Effektive Zustandsdichte im Leitungsband*Fermi-Funktion

Effektive Staatsdichte

Gehen Effektive Zustandsdichte im Leitungsband = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Fermi-Funktion

Wärmeerzeugungsrate

Gehen Thermische Erzeugung = Verhältnismäßigkeit für Rekombination*(Intrinsische Trägerkonzentration^2)

Fermi-Funktion

Gehen Fermi-Funktion = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Effektive Zustandsdichte im Leitungsband

Zustand der effektiven Dichte im Valenzband

Gehen Effektive Zustandsdichte im Valenzband = Lochkonzentration im Volantband/(1-Fermi-Funktion)

Konzentration von Löchern im Valenzband

Gehen Lochkonzentration im Volantband = Effektive Zustandsdichte im Valenzband*(1-Fermi-Funktion)

Übermäßige Trägerkonzentration

Gehen Überschüssige Trägerkonzentration = Optische Erzeugungsrate*Rekombinationslebensdauer

Optische Erzeugungsrate

Gehen Optische Erzeugungsrate = Überschüssige Trägerkonzentration/Rekombinationslebensdauer

Photoelektronenenergie

Gehen Photoelektronenenergie = [hP]*Häufigkeit des einfallenden Lichts

Leitungsbandenergie

Gehen Leitungsbandenergie = Energielücke+Valenzbandenergie

Valenzbandenergie

Gehen Valenzbandenergie = Leitungsbandenergie-Energielücke

Energielücke

Gehen Energielücke = Leitungsbandenergie-Valenzbandenergie

< 15 Halbleiterträger Taschenrechner

Intrinsische Trägerkonzentration

Gehen Intrinsische Trägerkonzentration = sqrt(Effektive Zustandsdichte im Valenzband*Effektive Zustandsdichte im Leitungsband)*exp(-Energielücke/(2*[BoltZ]*Temperatur))

Trägerlebensdauer

Gehen Trägerlebensdauer = 1/(Verhältnismäßigkeit für Rekombination*(Lochkonzentration im Volantband+Elektronenkonzentration im Leitungsband))

Radius der N-ten Umlaufbahn des Elektrons

Gehen Radius der n-ten Umlaufbahn des Elektrons = ([Coulomb]*Quantenzahl^2*[hP]^2)/(Teilchenmasse*[Charge-e]^2)

Elektronenflussdichte

Gehen Elektronenflussdichte = (Mittleres freies Wegelektron/(2*Zeit))*Unterschied in der Elektronenkonzentration

Quantenzustand

Gehen Energie im Quantenzustand = (Quantenzahl^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Teilchenmasse*Mögliche Bohrlochlänge^2)

Verteilungskoeffizient

Gehen Verteilungskoeffizient = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit

Elektronenvervielfachung

Gehen Elektronenmultiplikation = Anzahl der Elektronen außerhalb der Region/Anzahl der Elektronen in der Region

Fermi-Funktion

Gehen Fermi-Funktion = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Effektive Zustandsdichte im Leitungsband

Zustand der effektiven Dichte im Valenzband

Gehen Effektive Zustandsdichte im Valenzband = Lochkonzentration im Volantband/(1-Fermi-Funktion)

Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch

Gehen Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch = Optische Erzeugungsrate*Majority Carrier Decay

Übermäßige Trägerkonzentration

Gehen Überschüssige Trägerkonzentration = Optische Erzeugungsrate*Rekombinationslebensdauer

Photoelektronenenergie

Gehen Photoelektronenenergie = [hP]*Häufigkeit des einfallenden Lichts

Elektronenstromdichte

Gehen Elektronenstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Lochstromdichte

Lochstromdichte

Gehen Lochstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Elektronenstromdichte

Leitungsbandenergie

Gehen Leitungsbandenergie = Energielücke+Valenzbandenergie

Verteilungskoeffizient Formel

Verteilungskoeffizient = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit
k_d = C_solid/C_L

Wie finden Sie den Verteilungskoeffizienten?

Das Verhältnis der Löslichkeiten in den beiden Lösungsmitteln wird als Verteilungskoeffizient KD = C1/C2 bezeichnet, der eine Gleichgewichtskonstante mit einem charakteristischen Wert für jede Verbindung bei einer bestimmten Temperatur ist. Die Gesamtmenge, die mit 100 ml als 2 x 50-ml-Portionen Ether extrahiert wurde, beträgt somit 0,92 g.

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