Leitfähigkeit vom P-Typ Taschenrechner

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✖Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.ⓘ Aufladung [q]			+10% -10%
✖Die Elektronendotierungs-Siliziummobilität beschreibt, wie schnell sich ein Elektron durch ein Metall oder einen Halbleiter bewegen kann, wenn es von einem elektrischen Feld angezogen wird.ⓘ Elektronendotierte Siliziummobilität [μ_n]			+10% -10%
✖Die intrinsische Konzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.ⓘ Intrinsische Konzentration [n_i]			+10% -10%
✖Die Gleichgewichtskonzentration der Elektronen vom P-Typ sind die Minoritätsträger und Löcher sind die Mehrheitsträger.ⓘ Gleichgewichtskonzentration des P-Typs [N_a]			+10% -10%
✖Lochdotierung Siliziummobilität ist die Fähigkeit eines Lochs, sich in Gegenwart eines angelegten elektrischen Feldes durch ein Metall oder einen Halbleiter zu bewegen.ⓘ Lochdotierung der Siliziummobilität [μ_p]			+10% -10%

✖Die Ohmsche Leitfähigkeit ist das Maß für die Fähigkeit des Materials, elektrischen Strom fließen zu lassen. Die elektrische Leitfähigkeit ist von Material zu Material unterschiedlich.ⓘ Leitfähigkeit vom P-Typ [σ]

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Formel

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Leitfähigkeit vom P-Typ

Formel

`"σ" = "q"*("μ"_{"n"}*("n"_{"i"}^2/"N"_{"a"})+"μ"_{"p"}*"N"_{"a"})`

Beispiel

`"0.085666mho/cm"="5mC"*("0.38cm²/V*s"*(("1.32/cm³")^2/"7.1/cm³")+"2.4cm²/V*s"*"7.1/cm³")`

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Leitfähigkeit vom P-Typ Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)+Lochdotierung der Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)
σ = q*(μ_n*(n_i^2/N_a)+μ_p*N_a)
Diese formel verwendet 6 Variablen

Verwendete Variablen

Ohmsche Leitfähigkeit - (Gemessen in Siemens / Meter) - Die Ohmsche Leitfähigkeit ist das Maß für die Fähigkeit des Materials, elektrischen Strom fließen zu lassen. Die elektrische Leitfähigkeit ist von Material zu Material unterschiedlich.
Aufladung - (Gemessen in Coulomb) - Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.
Elektronendotierte Siliziummobilität - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Elektronendotierungs-Siliziummobilität beschreibt, wie schnell sich ein Elektron durch ein Metall oder einen Halbleiter bewegen kann, wenn es von einem elektrischen Feld angezogen wird.
Intrinsische Konzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die intrinsische Konzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.
Gleichgewichtskonzentration des P-Typs - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Gleichgewichtskonzentration der Elektronen vom P-Typ sind die Minoritätsträger und Löcher sind die Mehrheitsträger.
Lochdotierung der Siliziummobilität - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Lochdotierung Siliziummobilität ist die Fähigkeit eines Lochs, sich in Gegenwart eines angelegten elektrischen Feldes durch ein Metall oder einen Halbleiter zu bewegen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Aufladung: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Elektronendotierte Siliziummobilität: 0.38 Quadratzentimeter pro Voltsekunde --> 3.8E-05 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Intrinsische Konzentration: 1.32 1 pro Kubikzentimeter --> 1320000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gleichgewichtskonzentration des P-Typs: 7.1 1 pro Kubikzentimeter --> 7100000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Lochdotierung der Siliziummobilität: 2.4 Quadratzentimeter pro Voltsekunde --> 0.00024 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

σ = q*(μ_n*(n_i^2/N_a)+μ_p*N_a) --> 0.005*(3.8E-05*(1320000^2/7100000)+0.00024*7100000)

Auswerten ... ...

σ = 8.5666276056338

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

8.5666276056338 Siemens / Meter -->0.085666276056338 Mho / Zentimeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.085666276056338 ≈ 0.085666 Mho / Zentimeter <-- Ohmsche Leitfähigkeit

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Rahul Gupta

Chandigarh-Universität (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Ritwik Tripathi

Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 100+ weitere Rechner verifiziert!

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Widerstand eines rechteckigen Parallelepipeds

Gehen Widerstand = ((Widerstand*Dicke der Schicht)/(Breite der diffusen Schicht*Länge der diffusen Schicht))*(ln(Breite des unteren Rechtecks/Länge des unteren Rechtecks)/(Breite des unteren Rechtecks-Länge des unteren Rechtecks))

Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit

Gehen Totale Unreinheit = Effektive Verbreitung*(Emitterbasis-Verbindungsbereich*((Aufladung*Intrinsische Konzentration^2)/Kollektorstrom)*exp(Spannungsbasisemitter/Thermische Spannung))

Leitfähigkeit vom N-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))

Leitfähigkeit vom P-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)+Lochdotierung der Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)

Kollektorstrom des PNP-Transistors

Gehen Kollektorstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Diffusionskonstante für PNP)/Basisbreite

Sättigungsstrom im Transistor

Gehen Sättigungsstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit

Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = (2/3*Breite des Transistors*Transistorlänge*Oxidkapazität)+(Breite des Transistors*Überlappungskapazität)

Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung

Gehen Stromverbrauch kapazitiver Last = Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz*Gesamtzahl der schaltbaren Ausgänge

Schichtwiderstand der Schicht

Gehen Schichtwiderstand = 1/(Aufladung*Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Dicke der Schicht)

Widerstand der diffundierten Schicht

Gehen Widerstand = (1/Ohmsche Leitfähigkeit)*(Länge der diffusen Schicht/(Breite der diffusen Schicht*Dicke der Schicht))

Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)

Aktuelle Dichteloch

Gehen Lochstromdichte = Aufladung*Diffusionskonstante für PNP*(Lochgleichgewichtskonzentration/Basisbreite)

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Dotierung auf der N-Seite/(Dotierung auf der N-Seite+Dotierung auf der P-Seite)

Emitter-Injektionseffizienz

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Emitterstrom/(Emitterstrom durch Elektronen+Emitterstrom durch Löcher)

Strom fließt in der Zenerdiode

Gehen Diodenstrom = (Eingangsreferenzspannung-Stabile Ausgangsspannung)/Zener-Widerstand

Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs

Gehen Umrechnungsfaktor von Spannung zu Frequenz in ICs = Ausgangssignalfrequenz/Eingangsspannung

Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite

Gehen Basis-Transportfaktor = 1-(1/2*(Physische Breite/Elektronendiffusionslänge)^2)

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