Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters Taschenrechner

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✖Die Kollektor-Basis-Breakout-Spannung ist die maximale Spannung zwischen den Kollektor- und Basisanschlüssen eines Bipolartransistors, ohne dass es zu einem Durchbruch im Transistor kommt.ⓘ Kollektor-Basis-Break-Spannung [V_cb]			+10% -10%
✖Die Stromverstärkung von BJT wird verwendet, um die Verstärkungseigenschaften des Transistors zu beschreiben. Sie gibt an, um wie viel der Kollektorstrom gegenüber dem Basisstrom verstärkt wird.ⓘ Aktueller Gewinn von BJT [i_g]			+10% -10%
✖Die Wurzelzahl stellt eine Konstante oder einen Faktor dar, der dem Transistor zugeordnet ist.ⓘ Stammnummer [n]			+10% -10%

✖Die Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung ist die Spannung zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen eines Bipolartransistors, ohne dass es zu einem Durchschlag im Transistor kommt.ⓘ Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters [V_ce]

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Formel

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Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

Formel

`"V"_{"ce"} = "V"_{"cb"}/("i"_{"g"})^(1/"n")`

Beispiel

`"2.103602V"="3.52V"/("2.8V")^(1/"2")`

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Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung ist die Spannung zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen eines Bipolartransistors, ohne dass es zu einem Durchschlag im Transistor kommt.
Kollektor-Basis-Break-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Kollektor-Basis-Breakout-Spannung ist die maximale Spannung zwischen den Kollektor- und Basisanschlüssen eines Bipolartransistors, ohne dass es zu einem Durchbruch im Transistor kommt.
Aktueller Gewinn von BJT - (Gemessen in Volt) - Die Stromverstärkung von BJT wird verwendet, um die Verstärkungseigenschaften des Transistors zu beschreiben. Sie gibt an, um wie viel der Kollektorstrom gegenüber dem Basisstrom verstärkt wird.
Stammnummer - Die Wurzelzahl stellt eine Konstante oder einen Faktor dar, der dem Transistor zugeordnet ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kollektor-Basis-Break-Spannung: 3.52 Volt --> 3.52 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Aktueller Gewinn von BJT: 2.8 Volt --> 2.8 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Stammnummer: 2 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n) --> 3.52/(2.8)^(1/2)

Auswerten ... ...

V_ce = 2.10360235242853

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

2.10360235242853 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

2.10360235242853 ≈ 2.103602 Volt <-- Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Rahul Gupta

Chandigarh-Universität (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

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Widerstand eines rechteckigen Parallelepipeds

Gehen Widerstand = ((Widerstand*Dicke der Schicht)/(Breite der diffusen Schicht*Länge der diffusen Schicht))*(ln(Breite des unteren Rechtecks/Länge des unteren Rechtecks)/(Breite des unteren Rechtecks-Länge des unteren Rechtecks))

Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit

Gehen Totale Unreinheit = Effektive Verbreitung*(Emitterbasis-Verbindungsbereich*((Aufladung*Intrinsische Konzentration^2)/Kollektorstrom)*exp(Spannungsbasisemitter/Thermische Spannung))

Leitfähigkeit vom N-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))

Leitfähigkeit vom P-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)+Lochdotierung der Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)

Kollektorstrom des PNP-Transistors

Gehen Kollektorstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Diffusionskonstante für PNP)/Basisbreite

Sättigungsstrom im Transistor

Gehen Sättigungsstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit

Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = (2/3*Breite des Transistors*Transistorlänge*Oxidkapazität)+(Breite des Transistors*Überlappungskapazität)

Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung

Gehen Stromverbrauch kapazitiver Last = Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz*Gesamtzahl der schaltbaren Ausgänge

Schichtwiderstand der Schicht

Gehen Schichtwiderstand = 1/(Aufladung*Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Dicke der Schicht)

Widerstand der diffundierten Schicht

Gehen Widerstand = (1/Ohmsche Leitfähigkeit)*(Länge der diffusen Schicht/(Breite der diffusen Schicht*Dicke der Schicht))

Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)

Aktuelle Dichteloch

Gehen Lochstromdichte = Aufladung*Diffusionskonstante für PNP*(Lochgleichgewichtskonzentration/Basisbreite)

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Dotierung auf der N-Seite/(Dotierung auf der N-Seite+Dotierung auf der P-Seite)

Emitter-Injektionseffizienz

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Emitterstrom/(Emitterstrom durch Elektronen+Emitterstrom durch Löcher)

Strom fließt in der Zenerdiode

Gehen Diodenstrom = (Eingangsreferenzspannung-Stabile Ausgangsspannung)/Zener-Widerstand

Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs

Gehen Umrechnungsfaktor von Spannung zu Frequenz in ICs = Ausgangssignalfrequenz/Eingangsspannung

Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite

Gehen Basis-Transportfaktor = 1-(1/2*(Physische Breite/Elektronendiffusionslänge)^2)

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters Formel

Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)

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