Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration Taschenrechner

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✖Die Elektronenkonzentration wird durch verschiedene Faktoren wie Temperatur, dem Halbleitermaterial zugesetzte Verunreinigungen oder Dotierstoffe sowie externe elektrische oder magnetische Felder beeinflusst.ⓘ Elektronenkonzentration [n_e]			+10% -10%
✖Lochkonzentration impliziert eine größere Anzahl verfügbarer Ladungsträger im Material, was sich auf seine Leitfähigkeit und verschiedene Halbleiterbauelemente auswirkt.ⓘ Lochkonzentration [p]			+10% -10%
✖Temperaturverunreinigung ein Basisindex, der die durchschnittliche Lufttemperatur über verschiedene Zeitskalen darstellt.ⓘ Temperaturverunreinigung [t_o]			+10% -10%

✖Die intrinsische Konzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.ⓘ Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration [n_i]

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Formel

✖

Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

Formel

`"n"_{"i"} = sqrt(("n"_{"e"}*"p")/"t"_{"o"})`

Beispiel

`"1.321249/cm³"=sqrt(("50.6/cm³"*"0.69/cm³")/"20K")`

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Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)
n_i = sqrt((n_e*p)/t_o)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 4 Variablen

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Intrinsische Konzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die intrinsische Konzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.
Elektronenkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Elektronenkonzentration wird durch verschiedene Faktoren wie Temperatur, dem Halbleitermaterial zugesetzte Verunreinigungen oder Dotierstoffe sowie externe elektrische oder magnetische Felder beeinflusst.
Lochkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Lochkonzentration impliziert eine größere Anzahl verfügbarer Ladungsträger im Material, was sich auf seine Leitfähigkeit und verschiedene Halbleiterbauelemente auswirkt.
Temperaturverunreinigung - (Gemessen in Kelvin) - Temperaturverunreinigung ein Basisindex, der die durchschnittliche Lufttemperatur über verschiedene Zeitskalen darstellt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Elektronenkonzentration: 50.6 1 pro Kubikzentimeter --> 50600000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Lochkonzentration: 0.69 1 pro Kubikzentimeter --> 690000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Temperaturverunreinigung: 20 Kelvin --> 20 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

n_i = sqrt((n_e*p)/t_o) --> sqrt((50600000*690000)/20)

Auswerten ... ...

n_i = 1321249.40870375

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1321249.40870375 1 pro Kubikmeter -->1.32124940870375 1 pro Kubikzentimeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.32124940870375 ≈ 1.321249 1 pro Kubikzentimeter <-- Intrinsische Konzentration

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Rahul Gupta

Chandigarh-Universität (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 19 Bipolare IC-Herstellung Taschenrechner

Widerstand eines rechteckigen Parallelepipeds

Gehen Widerstand = ((Widerstand*Dicke der Schicht)/(Breite der diffusen Schicht*Länge der diffusen Schicht))*(ln(Breite des unteren Rechtecks/Länge des unteren Rechtecks)/(Breite des unteren Rechtecks-Länge des unteren Rechtecks))

Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit

Gehen Totale Unreinheit = Effektive Verbreitung*(Emitterbasis-Verbindungsbereich*((Aufladung*Intrinsische Konzentration^2)/Kollektorstrom)*exp(Spannungsbasisemitter/Thermische Spannung))

Leitfähigkeit vom N-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))

Leitfähigkeit vom P-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)+Lochdotierung der Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)

Kollektorstrom des PNP-Transistors

Gehen Kollektorstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Diffusionskonstante für PNP)/Basisbreite

Sättigungsstrom im Transistor

Gehen Sättigungsstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit

Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = (2/3*Breite des Transistors*Transistorlänge*Oxidkapazität)+(Breite des Transistors*Überlappungskapazität)

Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung

Gehen Stromverbrauch kapazitiver Last = Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz*Gesamtzahl der schaltbaren Ausgänge

Schichtwiderstand der Schicht

Gehen Schichtwiderstand = 1/(Aufladung*Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Dicke der Schicht)

Widerstand der diffundierten Schicht

Gehen Widerstand = (1/Ohmsche Leitfähigkeit)*(Länge der diffusen Schicht/(Breite der diffusen Schicht*Dicke der Schicht))

Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)

Aktuelle Dichteloch

Gehen Lochstromdichte = Aufladung*Diffusionskonstante für PNP*(Lochgleichgewichtskonzentration/Basisbreite)

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Dotierung auf der N-Seite/(Dotierung auf der N-Seite+Dotierung auf der P-Seite)

Emitter-Injektionseffizienz

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Emitterstrom/(Emitterstrom durch Elektronen+Emitterstrom durch Löcher)

Strom fließt in der Zenerdiode

Gehen Diodenstrom = (Eingangsreferenzspannung-Stabile Ausgangsspannung)/Zener-Widerstand

Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs

Gehen Umrechnungsfaktor von Spannung zu Frequenz in ICs = Ausgangssignalfrequenz/Eingangsspannung

Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite

Gehen Basis-Transportfaktor = 1-(1/2*(Physische Breite/Elektronendiffusionslänge)^2)

Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration Formel

Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)
n_i = sqrt((n_e*p)/t_o)

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