Kritische CMOS-Spannung Taschenrechner

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✖Das kritische elektrische Feld ist definiert als die elektrische Kraft pro Ladungseinheit.ⓘ Kritisches elektrisches Feld [E_c]			+10% -10%
✖Die mittlere freie Weglänge ist definiert als die durchschnittliche Distanz, die ein sich bewegendes Teilchen zwischen aufeinanderfolgenden Stößen zurücklegt, wodurch sich seine Richtung, Energie oder andere Teilcheneigenschaften ändern.ⓘ Mittlerer freier Pfad [L]			+10% -10%

✖Die kritische Spannung im CMOS ist die minimale Phasenspannung zur Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Leitungsleiters leuchtet und auftritt.ⓘ Kritische CMOS-Spannung [V_c]

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Formel

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Kritische CMOS-Spannung

Formel

`"V"_{"c"} = "E"_{"c"}*"L"`

Beispiel

`"2.79028V"="0.004V/mm"*"697.57mm"`

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Kritische CMOS-Spannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kritische Spannung im CMOS = Kritisches elektrisches Feld*Mittlerer freier Pfad
V_c = E_c*L
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Kritische Spannung im CMOS - (Gemessen in Volt) - Die kritische Spannung im CMOS ist die minimale Phasenspannung zur Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Leitungsleiters leuchtet und auftritt.
Kritisches elektrisches Feld - (Gemessen in Volt pro Meter) - Das kritische elektrische Feld ist definiert als die elektrische Kraft pro Ladungseinheit.
Mittlerer freier Pfad - (Gemessen in Meter) - Die mittlere freie Weglänge ist definiert als die durchschnittliche Distanz, die ein sich bewegendes Teilchen zwischen aufeinanderfolgenden Stößen zurücklegt, wodurch sich seine Richtung, Energie oder andere Teilcheneigenschaften ändern.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kritisches elektrisches Feld: 0.004 Volt pro Millimeter --> 4 Volt pro Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Mittlerer freier Pfad: 697.57 Millimeter --> 0.69757 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_c = E_c*L --> 4*0.69757

Auswerten ... ...

V_c = 2.79028

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

2.79028 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

2.79028 Volt <-- Kritische Spannung im CMOS

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Effektive Kapazität im CMOS

Gehen Effektive Kapazität im CMOS = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^(Basiskollektorspannung)))/(Gates auf kritischem Weg*[BoltZ]*Basiskollektorspannung)

Permittivität der Oxidschicht

Gehen Permittivität der Oxidschicht = Dicke der Oxidschicht*Eingangs-Gate-Kapazität/(Torbreite*Länge des Tors)

Dicke der Oxidschicht

Gehen Dicke der Oxidschicht = Permittivität der Oxidschicht*Torbreite*Länge des Tors/Eingangs-Gate-Kapazität

Breite des Tors

Gehen Torbreite = Eingangs-Gate-Kapazität/(Kapazität der Gate-Oxidschicht*Länge des Tors)

Kritisches elektrisches Feld

Gehen Kritisches elektrisches Feld = (2*Geschwindigkeitssättigung)/Mobilität des Elektrons

Seitenwandumfang der Quelldiffusion

Gehen Seitenwandumfang der Quellendiffusion = (2*Übergangsbreite)+(2*Länge der Quelle)

CMOS mittlerer freier Pfad

Gehen Mittlerer freier Pfad = Kritische Spannung im CMOS/Kritisches elektrisches Feld

Kritische CMOS-Spannung

Gehen Kritische Spannung im CMOS = Kritisches elektrisches Feld*Mittlerer freier Pfad

Breite des Verarmungsbereichs

Gehen Breite der Verarmungsregion = PN-Verbindungslänge-Effektive Kanallänge

Effektive Kanallänge

Gehen Effektive Kanallänge = PN-Verbindungslänge-Breite der Verarmungsregion

PN-Verbindungslänge

Gehen PN-Verbindungslänge = Breite der Verarmungsregion+Effektive Kanallänge

Spannung bei minimaler EDV

Gehen Spannung bei minimaler EDP = (3*Grenzspannung)/(3-Aktivitätsfaktor)

Übergangsbreite des CMOS

Gehen Übergangsbreite = MOS-Gate-Überlappungskapazität/MOS-Gate-Kapazität

Bereich der Quellendiffusion

Gehen Bereich der Quellendiffusion = Länge der Quelle*Übergangsbreite

Breite der Quellendiffusion

Gehen Übergangsbreite = Bereich der Quellendiffusion/Länge der Quelle

Kritische CMOS-Spannung Formel

Kritische Spannung im CMOS = Kritisches elektrisches Feld*Mittlerer freier Pfad
V_c = E_c*L

Was ist Mobilitätsdegradation?

Eine hohe Spannung am Gate des Transistors zieht die Träger an den Rand des Kanals und verursacht Kollisionen mit der Oxidgrenzfläche, die die Träger verlangsamen. Dies wird als Mobilitätsverschlechterung bezeichnet.

Was ist Geschwindigkeitssättigung?

Träger nähern sich einer maximalen Geschwindigkeit vsat, wenn hohe Felder angelegt werden. Dieses Phänomen wird Geschwindigkeitssättigung genannt.

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