Breite der Quellendiffusion Taschenrechner

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Eigenschaften der CMOS-Schaltung

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CMOS-Zeiteigenschaften

✖Der Bereich der Quelldiffusion ist definiert als die Nettobewegung von allem von einem Bereich höherer Konzentration zu einem Bereich niedrigerer Konzentration im Quelltor.ⓘ Bereich der Quellendiffusion [A_s]			+10% -10%
✖Die Länge der Quelle ist definiert als die Gesamtlänge, die am Quellenübergang des MOSFET beobachtet wird.ⓘ Länge der Quelle [D_s]			+10% -10%

✖Die Übergangsbreite ist definiert als die Zunahme der Breite, wenn die Drain-Source-Spannung zunimmt, was dazu führt, dass der Triodenbereich in den Sättigungsbereich übergeht.ⓘ Breite der Quellendiffusion [W]

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Formel

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Breite der Quellendiffusion

Formel

`"W" = "A"_{"s"}/"D"_{"s"} `

Beispiel

`"89.81967mm"="5479mm²"/"61mm" `

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Breite der Quellendiffusion Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Übergangsbreite = Bereich der Quellendiffusion/Länge der Quelle
W = A_s/D_s
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Übergangsbreite - (Gemessen in Meter) - Die Übergangsbreite ist definiert als die Zunahme der Breite, wenn die Drain-Source-Spannung zunimmt, was dazu führt, dass der Triodenbereich in den Sättigungsbereich übergeht.
Bereich der Quellendiffusion - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Bereich der Quelldiffusion ist definiert als die Nettobewegung von allem von einem Bereich höherer Konzentration zu einem Bereich niedrigerer Konzentration im Quelltor.
Länge der Quelle - (Gemessen in Meter) - Die Länge der Quelle ist definiert als die Gesamtlänge, die am Quellenübergang des MOSFET beobachtet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Bereich der Quellendiffusion: 5479 Quadratmillimeter --> 0.005479 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Länge der Quelle: 61 Millimeter --> 0.061 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

W = A_s/D_s --> 0.005479/0.061

Auswerten ... ...

W = 0.0898196721311476

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0898196721311476 Meter -->89.8196721311476 Millimeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

89.8196721311476 ≈ 89.81967 Millimeter <-- Übergangsbreite

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Effektive Kapazität im CMOS

Gehen Effektive Kapazität im CMOS = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^(Basiskollektorspannung)))/(Gates auf kritischem Weg*[BoltZ]*Basiskollektorspannung)

Permittivität der Oxidschicht

Gehen Permittivität der Oxidschicht = Dicke der Oxidschicht*Eingangs-Gate-Kapazität/(Torbreite*Länge des Tors)

Dicke der Oxidschicht

Gehen Dicke der Oxidschicht = Permittivität der Oxidschicht*Torbreite*Länge des Tors/Eingangs-Gate-Kapazität

Breite des Tors

Gehen Torbreite = Eingangs-Gate-Kapazität/(Kapazität der Gate-Oxidschicht*Länge des Tors)

Kritisches elektrisches Feld

Gehen Kritisches elektrisches Feld = (2*Geschwindigkeitssättigung)/Mobilität des Elektrons

Seitenwandumfang der Quelldiffusion

Gehen Seitenwandumfang der Quellendiffusion = (2*Übergangsbreite)+(2*Länge der Quelle)

CMOS mittlerer freier Pfad

Gehen Mittlerer freier Pfad = Kritische Spannung im CMOS/Kritisches elektrisches Feld

Kritische CMOS-Spannung

Gehen Kritische Spannung im CMOS = Kritisches elektrisches Feld*Mittlerer freier Pfad

Breite des Verarmungsbereichs

Gehen Breite der Verarmungsregion = PN-Verbindungslänge-Effektive Kanallänge

Effektive Kanallänge

Gehen Effektive Kanallänge = PN-Verbindungslänge-Breite der Verarmungsregion

PN-Verbindungslänge

Gehen PN-Verbindungslänge = Breite der Verarmungsregion+Effektive Kanallänge

Spannung bei minimaler EDV

Gehen Spannung bei minimaler EDP = (3*Grenzspannung)/(3-Aktivitätsfaktor)

Übergangsbreite des CMOS

Gehen Übergangsbreite = MOS-Gate-Überlappungskapazität/MOS-Gate-Kapazität

Breite der Quellendiffusion

Gehen Übergangsbreite = Bereich der Quellendiffusion/Länge der Quelle

Bereich der Quellendiffusion

Gehen Bereich der Quellendiffusion = Länge der Quelle*Übergangsbreite

Breite der Quellendiffusion Formel

Übergangsbreite = Bereich der Quellendiffusion/Länge der Quelle
W = A_s/D_s

Was sind die Anwendungen der Quellendiffusion?

Die Quellendiffusion ist ein kritischer Prozess in der CMOS-Technologie mit zahlreichen Anwendungen. Es wird verwendet, um die Abmessungen von Transistoren zu reduzieren, die Leistung aufeinanderfolgender Schaltkreise zu verbessern und die Gesamtgeschwindigkeit der Chips zu erhöhen. Darüber hinaus erleichtert die Quellendiffusion die Integration mehrerer Transistoren auf einem einzigen Chip und ermöglicht so die Herstellung komplexer und hochdichter integrierter Schaltkreise.

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