Breite des Verarmungsbereichs Taschenrechner

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Eigenschaften der CMOS-Schaltung

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CMOS-Zeiteigenschaften

✖Die PN-Übergangslänge ist definiert als die Gesamtlänge des Übergangs von der p-Seite zur n-Seite in einem Halbleiter.ⓘ PN-Verbindungslänge [L_pn]			+10% -10%
✖Die effektive Kanallänge ist definiert als der Pfad, der die Ladungsträger zwischen Drain und Source verbindet.ⓘ Effektive Kanallänge [L_eff]			+10% -10%

✖Die Breite des Verarmungsbereichs in einer typischen Si-Diode reicht von einem Bruchteil eines Mikrometers bis zu mehreren zehn Mikrometern, abhängig von der Bauteilgeometrie, dem Dotierungsprofil und der externen Vorspannung.ⓘ Breite des Verarmungsbereichs [L_d]

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Formel

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Breite des Verarmungsbereichs

Formel

`"L"_{"d"} = "L"_{"pn"}-"L"_{"eff"}`

Beispiel

`"11mm"="19mm"-"8mm"`

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Breite des Verarmungsbereichs Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Breite der Verarmungsregion = PN-Verbindungslänge-Effektive Kanallänge
L_d = L_pn-L_eff
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Breite der Verarmungsregion - (Gemessen in Meter) - Die Breite des Verarmungsbereichs in einer typischen Si-Diode reicht von einem Bruchteil eines Mikrometers bis zu mehreren zehn Mikrometern, abhängig von der Bauteilgeometrie, dem Dotierungsprofil und der externen Vorspannung.
PN-Verbindungslänge - (Gemessen in Meter) - Die PN-Übergangslänge ist definiert als die Gesamtlänge des Übergangs von der p-Seite zur n-Seite in einem Halbleiter.
Effektive Kanallänge - (Gemessen in Meter) - Die effektive Kanallänge ist definiert als der Pfad, der die Ladungsträger zwischen Drain und Source verbindet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

PN-Verbindungslänge: 19 Millimeter --> 0.019 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Effektive Kanallänge: 8 Millimeter --> 0.008 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

L_d = L_pn-L_eff --> 0.019-0.008

Auswerten ... ...

L_d = 0.011

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.011 Meter -->11 Millimeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

11 Millimeter <-- Breite der Verarmungsregion

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Effektive Kapazität im CMOS

Gehen Effektive Kapazität im CMOS = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^(Basiskollektorspannung)))/(Gates auf kritischem Weg*[BoltZ]*Basiskollektorspannung)

Permittivität der Oxidschicht

Gehen Permittivität der Oxidschicht = Dicke der Oxidschicht*Eingangs-Gate-Kapazität/(Torbreite*Länge des Tors)

Dicke der Oxidschicht

Gehen Dicke der Oxidschicht = Permittivität der Oxidschicht*Torbreite*Länge des Tors/Eingangs-Gate-Kapazität

Breite des Tors

Gehen Torbreite = Eingangs-Gate-Kapazität/(Kapazität der Gate-Oxidschicht*Länge des Tors)

Kritisches elektrisches Feld

Gehen Kritisches elektrisches Feld = (2*Geschwindigkeitssättigung)/Mobilität des Elektrons

Seitenwandumfang der Quelldiffusion

Gehen Seitenwandumfang der Quellendiffusion = (2*Übergangsbreite)+(2*Länge der Quelle)

CMOS mittlerer freier Pfad

Gehen Mittlerer freier Pfad = Kritische Spannung im CMOS/Kritisches elektrisches Feld

Kritische CMOS-Spannung

Gehen Kritische Spannung im CMOS = Kritisches elektrisches Feld*Mittlerer freier Pfad

Breite des Verarmungsbereichs

Gehen Breite der Verarmungsregion = PN-Verbindungslänge-Effektive Kanallänge

Effektive Kanallänge

Gehen Effektive Kanallänge = PN-Verbindungslänge-Breite der Verarmungsregion

PN-Verbindungslänge

Gehen PN-Verbindungslänge = Breite der Verarmungsregion+Effektive Kanallänge

Spannung bei minimaler EDV

Gehen Spannung bei minimaler EDP = (3*Grenzspannung)/(3-Aktivitätsfaktor)

Übergangsbreite des CMOS

Gehen Übergangsbreite = MOS-Gate-Überlappungskapazität/MOS-Gate-Kapazität

Bereich der Quellendiffusion

Gehen Bereich der Quellendiffusion = Länge der Quelle*Übergangsbreite

Breite der Quellendiffusion

Gehen Übergangsbreite = Bereich der Quellendiffusion/Länge der Quelle

Breite des Verarmungsbereichs Formel

Breite der Verarmungsregion = PN-Verbindungslänge-Effektive Kanallänge
L_d = L_pn-L_eff

Welche Bedeutung hat die Kanallängenmodulation?

Kanallängenmodulation (CLM) ist eine Technik, die in digitalen Kommunikationssystemen verwendet wird, um die Länge eines Kommunikationskanals an die Bitrate des übertragenen Signals anzupassen. CLM kann dazu beitragen, das Signal-Rausch-Verhältnis zu verbessern und die Datenübertragungsrate zu erhöhen, was es zu einem entscheidenden Aspekt der digitalen Kommunikation macht.

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