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Emitterstrom des IGBT Taschenrechner
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IGBT
FET
TRIAC
✖
Löcherstrom (IGBT) ist der Strom, der in entgegengesetzter Richtung zum normalen Elektronenfluss durch den IGBT fließt.
ⓘ
Löcherstrom (IGBT) [I
h(igbt)
]
Abampere
Ampere
Attoampere
Biot
Centiampere
CGS EM
CGS ES-Einheit
Dezampere
Dekaampere
EMU von Strom
ESU von Strom
Exaampere
Femtoampere
Gigaampere
Gilbert
Hektoampere
Kiloampere
Megaampere
Mikroampere
Milliampere
Nanoampere
Petaampere
Picoampere
Statampere
Teraampere
Yoctoampere
Yottaampere
Zeptoampere
Zettaampere
+10%
-10%
✖
Elektronischer Strom (IGBT): Wenn die Gate-Spannung angelegt wird, schaltet sich der IGBT ein und ermöglicht den Elektronenfluss vom Emitter zum Kollektor.
ⓘ
Elektronischer Strom (IGBT) [i
e(igbt)
]
Abampere
Ampere
Attoampere
Biot
Centiampere
CGS EM
CGS ES-Einheit
Dezampere
Dekaampere
EMU von Strom
ESU von Strom
Exaampere
Femtoampere
Gigaampere
Gilbert
Hektoampere
Kiloampere
Megaampere
Mikroampere
Milliampere
Nanoampere
Petaampere
Picoampere
Statampere
Teraampere
Yoctoampere
Yottaampere
Zeptoampere
Zettaampere
+10%
-10%
✖
Der Emitterstrom (IGBT) ist der Strom, der in den Emitter des Geräts fließt. Der Emitterstrom wird durch die Last bestimmt, die an den Kollektor des IGBT angeschlossen ist.
ⓘ
Emitterstrom des IGBT [I
e(igbt)
]
Abampere
Ampere
Attoampere
Biot
Centiampere
CGS EM
CGS ES-Einheit
Dezampere
Dekaampere
EMU von Strom
ESU von Strom
Exaampere
Femtoampere
Gigaampere
Gilbert
Hektoampere
Kiloampere
Megaampere
Mikroampere
Milliampere
Nanoampere
Petaampere
Picoampere
Statampere
Teraampere
Yoctoampere
Yottaampere
Zeptoampere
Zettaampere
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Schritte
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Formel
✖
Emitterstrom des IGBT
Formel
`"I"_{"e(igbt)"} = "I"_{"h(igbt)"}+"i"_{"e(igbt)"}`
Beispiel
`"12.523mA"="12.2mA"+"0.323mA"`
Taschenrechner
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Emitterstrom des IGBT Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Emitterstrom (IGBT)
=
Löcherstrom (IGBT)
+
Elektronischer Strom (IGBT)
I
e(igbt)
=
I
h(igbt)
+
i
e(igbt)
Diese formel verwendet
3
Variablen
Verwendete Variablen
Emitterstrom (IGBT)
-
(Gemessen in Ampere)
- Der Emitterstrom (IGBT) ist der Strom, der in den Emitter des Geräts fließt. Der Emitterstrom wird durch die Last bestimmt, die an den Kollektor des IGBT angeschlossen ist.
Löcherstrom (IGBT)
-
(Gemessen in Ampere)
- Löcherstrom (IGBT) ist der Strom, der in entgegengesetzter Richtung zum normalen Elektronenfluss durch den IGBT fließt.
Elektronischer Strom (IGBT)
-
(Gemessen in Ampere)
- Elektronischer Strom (IGBT): Wenn die Gate-Spannung angelegt wird, schaltet sich der IGBT ein und ermöglicht den Elektronenfluss vom Emitter zum Kollektor.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Löcherstrom (IGBT):
12.2 Milliampere --> 0.0122 Ampere
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Elektronischer Strom (IGBT):
0.323 Milliampere --> 0.000323 Ampere
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
I
e(igbt)
= I
h(igbt)
+i
e(igbt)
-->
0.0122+0.000323
Auswerten ... ...
I
e(igbt)
= 0.012523
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.012523 Ampere -->12.523 Milliampere
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
12.523 Milliampere
<--
Emitterstrom (IGBT)
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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IGBT
»
Emitterstrom des IGBT
Credits
Erstellt von
Mohamed Fazil V
Acharya-Institut für Technologie
(AIT)
,
Bengaluru
Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Parminder Singh
Chandigarh-Universität
(KU)
,
Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!
<
8 IGBT Taschenrechner
Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT
Gehen
Durchlassstrom (IGBT)
= (-
Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT)
+
sqrt
((
Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT)
)^2+4*
Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT)
*((
Maximale Betriebsspannung (IGBT)
-
Gehäusetemperatur IGBT
)/
Thermischer Widerstand (IGBT)
)))/(2*
Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT)
)
Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand
Gehen
Spannungsabfall EIN-Stufe (IGBT)
=
Durchlassstrom (IGBT)
*
N-Kanal-Widerstand (IGBT)
+
Durchlassstrom (IGBT)
*
Driftfestigkeit (IGBT)
+
Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT)
Sättigungsspannung des IGBT
Gehen
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT)
=
Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT
+
Drain-Strom (IGBT)
*(
Leitfähigkeit Widerstand IGBT
+
N-Kanal-Widerstand (IGBT)
)
IGBT-Ausschaltzeit
Gehen
Ausschaltzeit (IGBT)
=
Verzögerungszeit (IGBT)
+
Anfängliche Abfallzeit (IGBT)
+
Endgültige Abfallzeit (IGBT)
Maximale Verlustleistung im IGBT
Gehen
Maximale Verlustleistung (IGBT)
=
Maximale Betriebsspannung (IGBT)
/
Anschlusswinkel zum Gehäuse (IGBT)
Eingangskapazität des IGBT
Gehen
Eingangskapazität (IGBT)
=
Gate-Emitter-Kapazität (IGBT)
+
Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT)
Emitterstrom des IGBT
Gehen
Emitterstrom (IGBT)
=
Löcherstrom (IGBT)
+
Elektronischer Strom (IGBT)
Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung
Gehen
Durchbruchspannung SOA IGBT
= (5.34*10^13)/((
Positive Nettoladung (IGBT)
)^(3/4))
Emitterstrom des IGBT Formel
Emitterstrom (IGBT)
=
Löcherstrom (IGBT)
+
Elektronischer Strom (IGBT)
I
e(igbt)
=
I
h(igbt)
+
i
e(igbt)
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