Eingangskapazität des IGBT Taschenrechner

✖Gate-Emitter-Kapazität (Cⓘ Gate-Emitter-Kapazität [C_(g-e)]			+10% -10%
✖Die Gate-Kollektor-Kapazität, auch Miller-Kapazität genannt, ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Kollektoranschlüssen eines IGBT besteht.ⓘ Gate-Kollektor-Kapazität [C_(g-c)]			+10% -10%

✖Die Eingangskapazität eines IGBT ist die Kapazität zwischen den Gate- und Emitteranschlüssen des Geräts.ⓘ Eingangskapazität des IGBT [C_in]

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Formel

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Eingangskapazität des IGBT

Formel

`"C"_{"in"} = "C"_{"(g-e)"}+"C"_{"(g-c)"}`

Beispiel

`"5.76F"="0.21F"+"5.55F"`

Taschenrechner

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Eingangskapazität des IGBT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Eingangskapazität = Gate-Emitter-Kapazität+Gate-Kollektor-Kapazität
C_in = C_(g-e)+C_(g-c)
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Eingangskapazität - (Gemessen in Farad) - Die Eingangskapazität eines IGBT ist die Kapazität zwischen den Gate- und Emitteranschlüssen des Geräts.
Gate-Emitter-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Gate-Emitter-Kapazität (C
Gate-Kollektor-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Kollektor-Kapazität, auch Miller-Kapazität genannt, ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Kollektoranschlüssen eines IGBT besteht.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gate-Emitter-Kapazität: 0.21 Farad --> 0.21 Farad Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Kollektor-Kapazität: 5.55 Farad --> 5.55 Farad Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_in = C_(g-e)+C_(g-c) --> 0.21+5.55

Auswerten ... ...

C_in = 5.76

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

5.76 Farad --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5.76 Farad <-- Eingangskapazität

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 8 IGBT Taschenrechner

Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT

Gehen Vorwärtsstrom = (-Gesamtspannung von Kollektor und Emitter+sqrt((Gesamtspannung von Kollektor und Emitter)^2+4*Widerstand von Kollektor und Emitter*((Maximaler Betriebsknotenpunkt-Gehäusetemperatur)/Wärmewiderstand)))/(2*Widerstand von Kollektor und Emitter)

Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand

Gehen Spannungsabfall auf der Stufe = Vorwärtsstrom*N-Kanal-Widerstand+Vorwärtsstrom*Driftwiderstand+Spannung PN-Anschluss 1

Sättigungsspannung des IGBT

Gehen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung = Basis-Emitter-Spannung des PNP-Transistors+Stromverbrauch*(Leitfähigkeitswiderstand+N-Kanal-Widerstand)

IGBT-Ausschaltzeit

Gehen Schalten Sie die Ausschaltzeit aus = Verzögerungszeit+Anfängliche Herbstzeit+Letzte Herbstzeit

Maximale Verlustleistung im IGBT

Gehen Maximale Verlustleistung = Maximaler Betriebsknotenpunkt/Kreuzung zum Case Angle

Eingangskapazität des IGBT

Gehen Eingangskapazität = Gate-Emitter-Kapazität+Gate-Kollektor-Kapazität

Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung

Gehen Durchschlagsspannung im sicheren Betriebsbereich = (5.34*10^13)/((Positive Nettoladung)^(3/4))

Emitterstrom des IGBT

Gehen Emitterstrom = Lochstrom+Elektronischer Strom

Eingangskapazität des IGBT Formel

Eingangskapazität = Gate-Emitter-Kapazität+Gate-Kollektor-Kapazität
C_in = C_(g-e)+C_(g-c)

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