Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand Taschenrechner

✖Der Durchlassstrom eines IGBT ist der maximale Strom, der durch das Gerät fließen kann, wenn es eingeschaltet ist.ⓘ Vorwärtsstrom [I_f]			+10% -10%
✖Der N-Kanal-Widerstand eines IGBT ist der Widerstand des Halbleitermaterials im Gerät, wenn der IGBT eingeschaltet ist.ⓘ N-Kanal-Widerstand [R_ch]			+10% -10%
✖Der Driftwiderstand eines IGBT ist der N-Driftbereich des Halbleitermaterials im Gerät. Der N-Driftbereich ist ein dickes dotiertes Silizium, das den Kollektor vom P-Basisbereich trennt.ⓘ Driftwiderstand [R_d]			+10% -10%
✖Die Spannung am PN-Anschluss 1 wird durch die am Anschluss vorhandene Potenzialbarriere verursacht. Diese Potentialbarriere entsteht durch die Diffusion von Ladungsträgern über den Übergang.ⓘ Spannung PN-Anschluss 1 [V_j1]			+10% -10%

✖Der Spannungsabfall im EIN-Zustand eines IGBT ist die Spannungsdifferenz zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen beim Einschalten des IGBT. Es handelt sich um Halbleitermaterial im Gerät.ⓘ Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand [V_drop]

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Formel

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Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand

Formel

`"V"_{"drop"} = "I"_{"f"}*"R"_{"ch"}+"I"_{"f"}*"R"_{"d"}+"V"_{"j1"}`

Beispiel

`"20.2533V"="1.69mA"*"10.59kΩ"+"1.69mA"*"0.98kΩ"+"0.7V"`

Taschenrechner

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Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Spannungsabfall auf der Stufe = Vorwärtsstrom*N-Kanal-Widerstand+Vorwärtsstrom*Driftwiderstand+Spannung PN-Anschluss 1
V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Spannungsabfall auf der Stufe - (Gemessen in Volt) - Der Spannungsabfall im EIN-Zustand eines IGBT ist die Spannungsdifferenz zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen beim Einschalten des IGBT. Es handelt sich um Halbleitermaterial im Gerät.
Vorwärtsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Durchlassstrom eines IGBT ist der maximale Strom, der durch das Gerät fließen kann, wenn es eingeschaltet ist.
N-Kanal-Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Der N-Kanal-Widerstand eines IGBT ist der Widerstand des Halbleitermaterials im Gerät, wenn der IGBT eingeschaltet ist.
Driftwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Driftwiderstand eines IGBT ist der N-Driftbereich des Halbleitermaterials im Gerät. Der N-Driftbereich ist ein dickes dotiertes Silizium, das den Kollektor vom P-Basisbereich trennt.
Spannung PN-Anschluss 1 - (Gemessen in Volt) - Die Spannung am PN-Anschluss 1 wird durch die am Anschluss vorhandene Potenzialbarriere verursacht. Diese Potentialbarriere entsteht durch die Diffusion von Ladungsträgern über den Übergang.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Vorwärtsstrom: 1.69 Milliampere --> 0.00169 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
N-Kanal-Widerstand: 10.59 Kiloohm --> 10590 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Driftwiderstand: 0.98 Kiloohm --> 980 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Spannung PN-Anschluss 1: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1 --> 0.00169*10590+0.00169*980+0.7

Auswerten ... ...

V_drop = 20.2533

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

20.2533 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

20.2533 Volt <-- Spannungsabfall auf der Stufe

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 8 IGBT Taschenrechner

Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT

Gehen Vorwärtsstrom = (-Gesamtspannung von Kollektor und Emitter+sqrt((Gesamtspannung von Kollektor und Emitter)^2+4*Widerstand von Kollektor und Emitter*((Maximaler Betriebsknotenpunkt-Gehäusetemperatur)/Wärmewiderstand)))/(2*Widerstand von Kollektor und Emitter)

Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand

Gehen Spannungsabfall auf der Stufe = Vorwärtsstrom*N-Kanal-Widerstand+Vorwärtsstrom*Driftwiderstand+Spannung PN-Anschluss 1

Sättigungsspannung des IGBT

Gehen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung = Basis-Emitter-Spannung des PNP-Transistors+Stromverbrauch*(Leitfähigkeitswiderstand+N-Kanal-Widerstand)

IGBT-Ausschaltzeit

Gehen Schalten Sie die Ausschaltzeit aus = Verzögerungszeit+Anfängliche Herbstzeit+Letzte Herbstzeit

Maximale Verlustleistung im IGBT

Gehen Maximale Verlustleistung = Maximaler Betriebsknotenpunkt/Kreuzung zum Case Angle

Eingangskapazität des IGBT

Gehen Eingangskapazität = Gate-Emitter-Kapazität+Gate-Kollektor-Kapazität

Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung

Gehen Durchschlagsspannung im sicheren Betriebsbereich = (5.34*10^13)/((Positive Nettoladung)^(3/4))

Emitterstrom des IGBT

Gehen Emitterstrom = Lochstrom+Elektronischer Strom

Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand Formel

Spannungsabfall auf der Stufe = Vorwärtsstrom*N-Kanal-Widerstand+Vorwärtsstrom*Driftwiderstand+Spannung PN-Anschluss 1
V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1

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