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Emitterstrom des IGBT Taschenrechner
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IGBT
FET
TRIAC
✖
Der Lochstrom in einem IGBT ist der Strom, der durch den IGBT in der entgegengesetzten Richtung zum normalen Elektronenfluss fließt.
ⓘ
Lochstrom [I
h
]
Abampere
Ampere
Attoampere
Biot
Centiampere
CGS EM
CGS ES-Einheit
Dezampere
Dekaampere
EMU von Strom
ESU von Strom
Exaampere
Femtoampere
Gigaampere
Gilbert
Hektoampere
Kiloampere
Megaampere
Mikroampere
Milliampere
Nanoampere
Petaampere
Picoampere
Statampere
Teraampere
Yoctoampere
Yottaampere
Zeptoampere
Zettaampere
+10%
-10%
✖
Elektronischer Strom: Wenn die Gate-Spannung angelegt wird, schaltet sich der IGBT ein und ermöglicht den Elektronenfluss vom Emitter zum Kollektor.
ⓘ
Elektronischer Strom [I
e
]
Abampere
Ampere
Attoampere
Biot
Centiampere
CGS EM
CGS ES-Einheit
Dezampere
Dekaampere
EMU von Strom
ESU von Strom
Exaampere
Femtoampere
Gigaampere
Gilbert
Hektoampere
Kiloampere
Megaampere
Mikroampere
Milliampere
Nanoampere
Petaampere
Picoampere
Statampere
Teraampere
Yoctoampere
Yottaampere
Zeptoampere
Zettaampere
+10%
-10%
✖
Der Emitterstrom eines IGBT ist der Strom, der in den Emitter des Geräts fließt. Der Emitterstrom wird durch die Last bestimmt, die an den Kollektor des IGBT angeschlossen ist.
ⓘ
Emitterstrom des IGBT [I
emiy
]
Abampere
Ampere
Attoampere
Biot
Centiampere
CGS EM
CGS ES-Einheit
Dezampere
Dekaampere
EMU von Strom
ESU von Strom
Exaampere
Femtoampere
Gigaampere
Gilbert
Hektoampere
Kiloampere
Megaampere
Mikroampere
Milliampere
Nanoampere
Petaampere
Picoampere
Statampere
Teraampere
Yoctoampere
Yottaampere
Zeptoampere
Zettaampere
⎘ Kopie
Schritte
👎
Formel
✖
Emitterstrom des IGBT
Formel
`"I"_{"emiy"} = "I"_{"h"}+"I"_{"e"}`
Beispiel
`"12.523mA"="12.2mA"+"0.323mA"`
Taschenrechner
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Emitterstrom des IGBT Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Emitterstrom
=
Lochstrom
+
Elektronischer Strom
I
emiy
=
I
h
+
I
e
Diese formel verwendet
3
Variablen
Verwendete Variablen
Emitterstrom
-
(Gemessen in Ampere)
- Der Emitterstrom eines IGBT ist der Strom, der in den Emitter des Geräts fließt. Der Emitterstrom wird durch die Last bestimmt, die an den Kollektor des IGBT angeschlossen ist.
Lochstrom
-
(Gemessen in Ampere)
- Der Lochstrom in einem IGBT ist der Strom, der durch den IGBT in der entgegengesetzten Richtung zum normalen Elektronenfluss fließt.
Elektronischer Strom
-
(Gemessen in Ampere)
- Elektronischer Strom: Wenn die Gate-Spannung angelegt wird, schaltet sich der IGBT ein und ermöglicht den Elektronenfluss vom Emitter zum Kollektor.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Lochstrom:
12.2 Milliampere --> 0.0122 Ampere
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Elektronischer Strom:
0.323 Milliampere --> 0.000323 Ampere
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
I
emiy
= I
h
+I
e
-->
0.0122+0.000323
Auswerten ... ...
I
emiy
= 0.012523
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.012523 Ampere -->12.523 Milliampere
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
12.523 Milliampere
<--
Emitterstrom
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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IGBT
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Emitterstrom des IGBT
Credits
Erstellt von
Mohamed Fazil V
Acharya-Institut für Technologie
(AIT)
,
Bengaluru
Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Parminder Singh
Chandigarh-Universität
(KU)
,
Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!
<
8 IGBT Taschenrechner
Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT
Gehen
Vorwärtsstrom
= (-
Gesamtspannung von Kollektor und Emitter
+
sqrt
((
Gesamtspannung von Kollektor und Emitter
)^2+4*
Widerstand von Kollektor und Emitter
*((
Maximaler Betriebsknotenpunkt
-
Gehäusetemperatur
)/
Wärmewiderstand
)))/(2*
Widerstand von Kollektor und Emitter
)
Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand
Gehen
Spannungsabfall auf der Stufe
=
Vorwärtsstrom
*
N-Kanal-Widerstand
+
Vorwärtsstrom
*
Driftwiderstand
+
Spannung PN-Anschluss 1
Sättigungsspannung des IGBT
Gehen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
=
Basis-Emitter-Spannung des PNP-Transistors
+
Stromverbrauch
*(
Leitfähigkeitswiderstand
+
N-Kanal-Widerstand
)
IGBT-Ausschaltzeit
Gehen
Schalten Sie die Ausschaltzeit aus
=
Verzögerungszeit
+
Anfängliche Herbstzeit
+
Letzte Herbstzeit
Maximale Verlustleistung im IGBT
Gehen
Maximale Verlustleistung
=
Maximaler Betriebsknotenpunkt
/
Kreuzung zum Case Angle
Eingangskapazität des IGBT
Gehen
Eingangskapazität
=
Gate-Emitter-Kapazität
+
Gate-Kollektor-Kapazität
Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung
Gehen
Durchschlagsspannung im sicheren Betriebsbereich
= (5.34*10^13)/((
Positive Nettoladung
)^(3/4))
Emitterstrom des IGBT
Gehen
Emitterstrom
=
Lochstrom
+
Elektronischer Strom
Emitterstrom des IGBT Formel
Emitterstrom
=
Lochstrom
+
Elektronischer Strom
I
emiy
=
I
h
+
I
e
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