Emitterstrom des IGBT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Emitterstrom = Lochstrom+Elektronischer Strom
Iemiy = Ih+Ie
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Emitterstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom eines IGBT ist der Strom, der in den Emitter des Geräts fließt. Der Emitterstrom wird durch die Last bestimmt, die an den Kollektor des IGBT angeschlossen ist.
Lochstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Lochstrom in einem IGBT ist der Strom, der durch den IGBT in der entgegengesetzten Richtung zum normalen Elektronenfluss fließt.
Elektronischer Strom - (Gemessen in Ampere) - Elektronischer Strom: Wenn die Gate-Spannung angelegt wird, schaltet sich der IGBT ein und ermöglicht den Elektronenfluss vom Emitter zum Kollektor.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Lochstrom: 12.2 Milliampere --> 0.0122 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Elektronischer Strom: 0.323 Milliampere --> 0.000323 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Iemiy = Ih+Ie --> 0.0122+0.000323
Auswerten ... ...
Iemiy = 0.012523
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.012523 Ampere -->12.523 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
12.523 Milliampere <-- Emitterstrom
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Mohamed Fazil V
Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru
Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

8 IGBT Taschenrechner

Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT
​ Gehen Vorwärtsstrom = (-Gesamtspannung von Kollektor und Emitter+sqrt((Gesamtspannung von Kollektor und Emitter)^2+4*Widerstand von Kollektor und Emitter*((Maximaler Betriebsknotenpunkt-Gehäusetemperatur)/Wärmewiderstand)))/(2*Widerstand von Kollektor und Emitter)
Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand
​ Gehen Spannungsabfall auf der Stufe = Vorwärtsstrom*N-Kanal-Widerstand+Vorwärtsstrom*Driftwiderstand+Spannung PN-Anschluss 1
Sättigungsspannung des IGBT
​ Gehen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung = Basis-Emitter-Spannung des PNP-Transistors+Stromverbrauch*(Leitfähigkeitswiderstand+N-Kanal-Widerstand)
IGBT-Ausschaltzeit
​ Gehen Schalten Sie die Ausschaltzeit aus = Verzögerungszeit+Anfängliche Herbstzeit+Letzte Herbstzeit
Maximale Verlustleistung im IGBT
​ Gehen Maximale Verlustleistung = Maximaler Betriebsknotenpunkt/Kreuzung zum Case Angle
Eingangskapazität des IGBT
​ Gehen Eingangskapazität = Gate-Emitter-Kapazität+Gate-Kollektor-Kapazität
Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung
​ Gehen Durchschlagsspannung im sicheren Betriebsbereich = (5.34*10^13)/((Positive Nettoladung)^(3/4))
Emitterstrom des IGBT
​ Gehen Emitterstrom = Lochstrom+Elektronischer Strom

Emitterstrom des IGBT Formel

Emitterstrom = Lochstrom+Elektronischer Strom
Iemiy = Ih+Ie
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