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Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI Taschenrechner
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⤿
VLSI-Materialoptimierung
Analoges VLSI-Design
✖
Die Gate-Oxiddicke ist definiert als die Dicke der Isolierschicht (Oxid), die die Gate-Elektrode vom Halbleitersubstrat in einem MOSFET trennt.
ⓘ
Gate-Oxiddicke [t
ox
]
Aln
Angström
Arpent
Astronomische Einheit
Attometer
AU Länge
Gerstenkorn
Billion Licht Jahr
Bohr Radius
Kabel (International)
Kabel (Vereinigtes Königreich)
Kabel (Vereinigte Staaten)
Kaliber
Zentimeter
Kette
Elle (Griechisch)
Elle (lang)
Elle (UK)
Dekameter
Dezimeter
Erde Entfernung vom Mond
Entfernung der Erde von der Sonne
Erdäquatorialradius
Polarradius der Erde
Elektronenradius (klassisch)
Ell
Prüfer
Famn
Ergründen
Femtometer
Fermi
Finger (Stoff)
fingerbreadth
Versfuß
Versfuß (US Umfrage)
Achtelmeile
Gigameter
Hand
Handbreit
Hektometer
Inch
Ken
Kilometer
Kiloparsec
Kiloyard
Liga
Liga (Statut)
Lichtjahr
Link
Megameter
Megaparsec
Meter
Mikrozoll
Mikrometer
Mikron
mil
Meile
Meile (römisch)
Meile (US Umfrage)
Millimeter
Million Licht Jahr
Nagel (Stoff)
Nanometer
Nautische Liga (int)
Nautische Liga Großbritannien
Nautische Meile (International)
Nautische Meile (UK)
Parsec
Barsch
Petameter
Pica
Picometer
Planck Länge
Punkt
Pole
Quartal
Reed
Schilf (lang)
Stange
Römischen Actus
Seil
Russischen Archin
Spanne (Stoff)
Sonnenradius
Terrameter
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Vara De Tharea
Yard
Yoctometer
Yottameter
Zeptometer
Zettameter
+10%
-10%
✖
Der Skalierungsfaktor ist definiert als das Verhältnis, um das sich die Abmessungen des Transistors während des Designprozesses ändern.
ⓘ
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor [Sf]
+10%
-10%
✖
Die Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung ist definiert als die neue Dicke der Oxidschicht nach der Reduzierung der Abmessungen des Transistors durch Konstanthalten des elektrischen Feldes.
ⓘ
Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI [t
ox
']
Aln
Angström
Arpent
Astronomische Einheit
Attometer
AU Länge
Gerstenkorn
Billion Licht Jahr
Bohr Radius
Kabel (International)
Kabel (Vereinigtes Königreich)
Kabel (Vereinigte Staaten)
Kaliber
Zentimeter
Kette
Elle (Griechisch)
Elle (lang)
Elle (UK)
Dekameter
Dezimeter
Erde Entfernung vom Mond
Entfernung der Erde von der Sonne
Erdäquatorialradius
Polarradius der Erde
Elektronenradius (klassisch)
Ell
Prüfer
Famn
Ergründen
Femtometer
Fermi
Finger (Stoff)
fingerbreadth
Versfuß
Versfuß (US Umfrage)
Achtelmeile
Gigameter
Hand
Handbreit
Hektometer
Inch
Ken
Kilometer
Kiloparsec
Kiloyard
Liga
Liga (Statut)
Lichtjahr
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Megameter
Megaparsec
Meter
Mikrozoll
Mikrometer
Mikron
mil
Meile
Meile (römisch)
Meile (US Umfrage)
Millimeter
Million Licht Jahr
Nagel (Stoff)
Nanometer
Nautische Liga (int)
Nautische Liga Großbritannien
Nautische Meile (International)
Nautische Meile (UK)
Parsec
Barsch
Petameter
Pica
Picometer
Planck Länge
Punkt
Pole
Quartal
Reed
Schilf (lang)
Stange
Römischen Actus
Seil
Russischen Archin
Spanne (Stoff)
Sonnenradius
Terrameter
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Vara De Tharea
Yard
Yoctometer
Yottameter
Zeptometer
Zettameter
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Schritte
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Formel
✖
Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI
Formel
`("t"_{"ox"}"'") = "t"_{"ox"}/"Sf"`
Beispiel
`"1.333333nm"="2nm"/"1.5"`
Taschenrechner
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Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung
=
Gate-Oxiddicke
/
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
t
ox
'
=
t
ox
/
Sf
Diese formel verwendet
3
Variablen
Verwendete Variablen
Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung
-
(Gemessen in Meter)
- Die Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung ist definiert als die neue Dicke der Oxidschicht nach der Reduzierung der Abmessungen des Transistors durch Konstanthalten des elektrischen Feldes.
Gate-Oxiddicke
-
(Gemessen in Meter)
- Die Gate-Oxiddicke ist definiert als die Dicke der Isolierschicht (Oxid), die die Gate-Elektrode vom Halbleitersubstrat in einem MOSFET trennt.
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
- Der Skalierungsfaktor ist definiert als das Verhältnis, um das sich die Abmessungen des Transistors während des Designprozesses ändern.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Gate-Oxiddicke:
2 Nanometer --> 2E-09 Meter
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor:
1.5 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
t
ox
' = t
ox
/Sf -->
2E-09/1.5
Auswerten ... ...
t
ox
'
= 1.33333333333333E-09
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.33333333333333E-09 Meter -->1.33333333333333 Nanometer
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.33333333333333
≈
1.333333 Nanometer
<--
Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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VLSI-Materialoptimierung
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Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI
Credits
Erstellt von
Priyanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften
(LDCE)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
<
25 VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner
Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region (VLSI).
Gehen
Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region
= -(1-((
Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle
+
Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss
)/(2*
Kanallänge
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Akzeptorkonzentration
*
abs
(2*
Oberflächenpotential
))
Body-Effect-Koeffizient
Gehen
Körpereffektkoeffizient
=
modulus
((
Grenzspannung
-
Schwellenspannung DIBL
)/(
sqrt
(
Oberflächenpotential
+(
Potenzialdifferenz des Quellkörpers
))-
sqrt
(
Oberflächenpotential
)))
Anschluss integrierte Spannung VLSI
Gehen
Eingebaute Anschlussspannung
= (
[BoltZ]
*
Temperatur
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Akzeptorkonzentration
*
Spenderkonzentration
/(
Intrinsische Konzentration
)^2)
PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI
Gehen
Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Eingebaute Anschlussspannung
)/(
[Charge-e]
*
Akzeptorkonzentration
))
Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle
Gehen
Quelle Parasitäre Kapazität
= (
Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle
*
Bereich der Quellendiffusion
)+(
Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand
*
Seitenwandumfang der Quellendiffusion
)
Verbindungsstrom
Gehen
Kreuzungsstrom
= (
Statische Leistung
/
Basiskollektorspannung
)-(
Strom unterhalb des Schwellenwerts
+
Konflikt aktuell
+
Gate-Strom
)
Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI
Gehen
Kurzkanal-Sättigungsstrom
=
Kanalbreite
*
Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit
*
Oxidkapazität pro Flächeneinheit
*
Sättigungs-Drain-Quellenspannung
Oberflächenpotential
Gehen
Oberflächenpotential
= 2*
Potenzialdifferenz des Quellkörpers
*
ln
(
Akzeptorkonzentration
/
Intrinsische Konzentration
)
Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung von VLSI
Gehen
Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung
=
Oxidkapazität pro Flächeneinheit
*
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Steilheit unter der Schwelle
Gehen
Unterschwellenneigung
=
Potenzialdifferenz des Quellkörpers
*
DIBL-Koeffizient
*
ln
(10)
DIBL-Koeffizient
Gehen
DIBL-Koeffizient
= (
Schwellenspannung DIBL
-
Grenzspannung
)/
Drain-to-Source-Potenzial
Schwellenspannung, wenn die Quelle auf Körperpotential liegt
Gehen
Schwellenspannung DIBL
=
DIBL-Koeffizient
*
Drain-to-Source-Potenzial
+
Grenzspannung
Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung von VLSI
Gehen
Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung
=
Verbindungstiefe
/
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI
Gehen
Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung
=
Gate-Oxiddicke
/
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Gate-Länge unter Verwendung der Gate-Oxid-Kapazität
Gehen
Torlänge
=
Gate-Kapazität
/(
Kapazität der Gate-Oxidschicht
*
Torbreite
)
Gate-Oxid-Kapazität
Gehen
Kapazität der Gate-Oxidschicht
=
Gate-Kapazität
/(
Torbreite
*
Torlänge
)
Gate-Kapazität
Gehen
Gate-Kapazität
=
Kanalgebühr
/(
Gate-zu-Kanal-Spannung
-
Grenzspannung
)
Grenzspannung
Gehen
Grenzspannung
=
Gate-zu-Kanal-Spannung
-(
Kanalgebühr
/
Gate-Kapazität
)
Kanalladung
Gehen
Kanalgebühr
=
Gate-Kapazität
*(
Gate-zu-Kanal-Spannung
-
Grenzspannung
)
Kanalbreite nach vollständiger Skalierung von VLSI
Gehen
Kanalbreite nach vollständiger Skalierung
=
Kanalbreite
/
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Kanallänge nach vollständiger Skalierung VLSI
Gehen
Kanallänge nach vollständiger Skalierung
=
Kanallänge
/
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Kritische Spannung
Gehen
Kritische Spannung
=
Kritisches elektrisches Feld
*
Elektrisches Feld über die Kanallänge
Eigene Gate-Kapazität
Gehen
MOS-Gate-Überlappungskapazität
=
MOS-Gate-Kapazität
*
Übergangsbreite
Mobilität in Mosfet
Gehen
Mobilität im MOSFET
=
K Prime
/
Kapazität der Gate-Oxidschicht
K-Prime
Gehen
K Prime
=
Mobilität im MOSFET
*
Kapazität der Gate-Oxidschicht
Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI Formel
Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung
=
Gate-Oxiddicke
/
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
t
ox
'
=
t
ox
/
Sf
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