MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Linearer Widerstand = Kanallänge/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite*Effektive Spannung)
Rds = L/(μs*Cox*Wc*Veff)
Diese formel verwendet 6 Variablen
Verwendete Variablen
Linearer Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Linearer Widerstand, die Größe des Widerstands oder Widerstands ist direkt proportional zur Menge des durch ihn fließenden Stroms, wie durch das Ohmsche Gesetz beschrieben.
Kanallänge - (Gemessen in Meter) - Die Kanallänge bezieht sich auf den Abstand zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen in einem Feldeffekttransistor (FET).
Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Beweglichkeit von Elektronen an der Oberfläche eines Kanals bezieht sich auf die Fähigkeit von Elektronen, sich durch die Oberfläche eines Halbleitermaterials zu bewegen oder zu wandern, beispielsweise einen Siliziumkanal in einem Transistor.
Oxidkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.
Kanalbreite - (Gemessen in Meter) - Die Kanalbreite bezieht sich auf den Frequenzbereich, der zur Übertragung von Daten über einen drahtlosen Kommunikationskanal verwendet wird. Sie wird auch als Bandbreite bezeichnet und in Hertz (Hz) gemessen.
Effektive Spannung - (Gemessen in Volt) - Die effektive Spannung in einem MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist die Spannung, die das Verhalten des Geräts bestimmt. Sie wird auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Kanallänge: 100 Mikrometer --> 0.0001 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals: 38 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde --> 38 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Oxidkapazität: 940 Mikrofarad --> 0.00094 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Kanalbreite: 10 Mikrometer --> 1E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Effektive Spannung: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Rds = L/(μs*Cox*Wc*Veff) --> 0.0001/(38*0.00094*1E-05*1.7)
Auswerten ... ...
Rds = 164.679533627561
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
164.679533627561 Ohm -->0.164679533627561 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.164679533627561 0.16468 Kiloohm <-- Linearer Widerstand
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Widerstand Taschenrechner

MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis
​ LaTeX ​ Gehen Linearer Widerstand = Kanallänge/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite*Effektive Spannung)
Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source
​ LaTeX ​ Gehen Endlicher Widerstand = modulus(Positive Gleichspannung)/Stromverbrauch
Mittlerer freier Elektronenweg
​ LaTeX ​ Gehen Mittlerer freier Elektronenweg = 1/(Ausgangswiderstand*Stromverbrauch)
Ausgangswiderstand entleeren
​ LaTeX ​ Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Stromverbrauch)

MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis Formel

​LaTeX ​Gehen
Linearer Widerstand = Kanallänge/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite*Effektive Spannung)
Rds = L/(μs*Cox*Wc*Veff)

Was ist die Bedingung, um den MOSFET als linearen Widerstand zu verwenden?

Wenn Sie die Gate-Spannung langsam erhöhen, beginnt der MOSFET langsam zu leiten, indem er in den linearen Bereich eintritt, in dem er beginnt, eine Spannung über ihm zu entwickeln, die wir V DS nennen. In diesem Bereich wirkt der MOSFET als Widerstand mit endlichem Wert.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!