Anzahl der freien Gitter Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Anzahl der freien Gitter = Bruchteil der Leerstelle*Gesamt-Nr. von Gitterpunkten
Nv = fvacancy*N
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Anzahl der freien Gitter - Die Anzahl freier Gitter ist die Anzahl der Kristallgitter, die von Atomen oder Ionen unbesetzt sind.
Bruchteil der Leerstelle - Der Anteil an Leerstellen ist das Verhältnis von freien Kristallgittern zu Gesamtzahl. des Kristallgitters.
Gesamt-Nr. von Gitterpunkten - Die Gesamt-Nr. von Gitterpunkten sind die spezifischen Positionen im Kristall, die von Atomen oder Ionen eingenommen werden.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Bruchteil der Leerstelle: 0.6 --> Keine Konvertierung erforderlich
Gesamt-Nr. von Gitterpunkten: 10 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Nv = fvacancy*N --> 0.6*10
Auswerten ... ...
Nv = 6
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
6 --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
6 <-- Anzahl der freien Gitter
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Prerana Bakli
Universität von Hawaii in Mānoa (Äh, Manoa), Hawaii, USA
Prerana Bakli hat diesen Rechner und 800+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Prashant Singh
KJ Somaiya College of Science (KJ Somaiya), Mumbai
Prashant Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

24 Gitter Taschenrechner

Miller-Index entlang der X-Achse unter Verwendung von Weiss-Indizes
Gehen Miller-Index entlang der x-Achse = lcm(Weiss-Index entlang der x-Achse,Weiss-Index entlang der y-Achse,Weiss-Index Entlang der z-Achse)/Weiss-Index entlang der x-Achse
Miller-Index entlang der Y-Achse unter Verwendung von Weiss-Indizes
Gehen Miller-Index entlang der y-Achse = lcm(Weiss-Index entlang der x-Achse,Weiss-Index entlang der y-Achse,Weiss-Index Entlang der z-Achse)/Weiss-Index entlang der y-Achse
Miller-Index entlang der Z-Achse unter Verwendung von Weiss-Indizes
Gehen Miller-Index entlang der z-Achse = lcm(Weiss-Index entlang der x-Achse,Weiss-Index entlang der y-Achse,Weiss-Index Entlang der z-Achse)/Weiss-Index Entlang der z-Achse
Kantenlänge unter Verwendung des interplanaren Abstands des kubischen Kristalls
Gehen Kantenlänge = Interplanarer Abstand*sqrt((Miller-Index entlang der x-Achse^2)+(Miller-Index entlang der y-Achse^2)+(Miller-Index entlang der z-Achse^2))
Anteil der Verunreinigung im Gitter der Energie
Gehen Anteil der Verunreinigungen = exp(-Energiebedarf pro Verunreinigung/([R]*Temperatur))
Energie pro Verunreinigung
Gehen Energiebedarf pro Verunreinigung = -ln(Anteil der Verunreinigungen)*[R]*Temperatur
Bruchteil der Leerstelle in Gitter ausgedrückt von Energie
Gehen Bruchteil der Leerstelle = exp(-Energiebedarf pro Vakanz/([R]*Temperatur))
Energie pro Leerstand
Gehen Energiebedarf pro Vakanz = -ln(Bruchteil der Leerstelle)*[R]*Temperatur
Verpackungseffizienz
Gehen Verpackungseffizienz = (Volumen, das von Kugeln in der Elementarzelle eingenommen wird/Gesamtvolumen der Einheitszelle)*100
Anzahl der Gitter mit Verunreinigungen
Gehen Anzahl der von Verunreinigungen besetzten Gitter = Anteil der Verunreinigungen*Gesamt-Nr. von Gitterpunkten
Anteil der Verunreinigung im Gitter
Gehen Anteil der Verunreinigungen = Anzahl der von Verunreinigungen besetzten Gitter/Gesamt-Nr. von Gitterpunkten
Weiss-Index entlang der X-Achse unter Verwendung von Miller-Indizes
Gehen Weiss-Index entlang der x-Achse = LCM von Weiss-Indizes/Miller-Index entlang der x-Achse
Weiss-Index entlang der Y-Achse unter Verwendung von Miller-Indizes
Gehen Weiss-Index entlang der y-Achse = LCM von Weiss-Indizes/Miller-Index entlang der y-Achse
Weiss-Index entlang der Z-Achse unter Verwendung von Miller-Indizes
Gehen Weiss-Index Entlang der z-Achse = LCM von Weiss-Indizes/Miller-Index entlang der z-Achse
Leerstandsanteil im Gitter
Gehen Bruchteil der Leerstelle = Anzahl der freien Gitter/Gesamt-Nr. von Gitterpunkten
Anzahl der freien Gitter
Gehen Anzahl der freien Gitter = Bruchteil der Leerstelle*Gesamt-Nr. von Gitterpunkten
Radius des Bestandteils im BCC-Gitter
Gehen Radius des konstituierenden Partikels = 3*sqrt(3)*Kantenlänge/4
Kantenlänge der flächenzentrierten Einheitszelle
Gehen Kantenlänge = 2*sqrt(2)*Radius des konstituierenden Partikels
Kantenlänge der körperzentrierten Einheitszelle
Gehen Kantenlänge = 4*Radius des konstituierenden Partikels/sqrt(3)
Radiusverhältnis
Gehen Radiusverhältnis = Kationenradius/Radius des Anions
Anzahl der tetraedrischen Hohlräume
Gehen Anzahl der tetraedrischen Hohlräume = 2*Anzahl der geschlossen gepackten Kugeln
Radius des Bestandteils im FCC-Gitter
Gehen Radius des konstituierenden Partikels = Kantenlänge/2.83
Radius des Teilchenbestandteils in einer einfachen kubischen Einheitszelle
Gehen Radius des konstituierenden Partikels = Kantenlänge/2
Kantenlänge der einfachen kubischen Einheitszelle
Gehen Kantenlänge = 2*Radius des konstituierenden Partikels

Anzahl der freien Gitter Formel

Anzahl der freien Gitter = Bruchteil der Leerstelle*Gesamt-Nr. von Gitterpunkten
Nv = fvacancy*N

Was sind Kristallfehler?

Die Anordnung der Atome in allen Materialien enthält Unvollkommenheiten, die einen tiefgreifenden Einfluss auf das Verhalten der Materialien haben. Gitterfehler können in drei Bereiche unterteilt werden: 1. Punktfehler (Leerstellen, Zwischengitterfehler, Substitutionsfehler) 2. Linienfehler (Schraubenversetzung, Kantenversetzung) 3. Oberflächenfehler (Materialoberfläche, Korngrenzen)

Warum sind Defekte wichtig?

Es gibt viele Eigenschaften, die durch Defekte gesteuert oder beeinflusst werden, zum Beispiel: 1. Elektrische und thermische Leitfähigkeit in Metallen (stark reduziert durch Punktdefekte). 2. Elektronische Leitfähigkeit in Halbleitern (kontrolliert durch Substitutionsfehler). 3. Diffusion (kontrolliert durch freie Stellen). 4. Ionenleitfähigkeit (kontrolliert durch Leerstellen). 5. Plastische Verformung in kristallinen Materialien (kontrolliert durch Versetzung). 6. Farben (von Mängeln betroffen). 7. Mechanische Festigkeit (stark von Defekten abhängig).

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