Gleichstromverstärkung des Verstärkers Taschenrechner

✖Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.ⓘ Kollektorstrom [i_c]			+10% -10%
✖Der Basisstrom ist ein entscheidender Strom eines Bipolartransistors. Ohne den Basisstrom kann der Transistor nicht einschalten.ⓘ Basisstrom [i_b]			+10% -10%

✖Unter DC-Stromverstärkung versteht man das Verhältnis der Spannungsverstärkung eines Stromkreises zu seiner DC-Stromverstärkung.ⓘ Gleichstromverstärkung des Verstärkers [A_dc]

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Formel

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Gleichstromverstärkung des Verstärkers

Formel

`"A"_{"dc"} = "i"_{"c"}/"i"_{"b"}`

Beispiel

`"2.431252"="39.52mA"/"16.255mA"`

Taschenrechner

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Gleichstromverstärkung des Verstärkers Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gleichstromverstärkung = Kollektorstrom/Basisstrom
A_dc = i_c/i_b
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Gleichstromverstärkung - Unter DC-Stromverstärkung versteht man das Verhältnis der Spannungsverstärkung eines Stromkreises zu seiner DC-Stromverstärkung.
Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Basisstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Basisstrom ist ein entscheidender Strom eines Bipolartransistors. Ohne den Basisstrom kann der Transistor nicht einschalten.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kollektorstrom: 39.52 Milliampere --> 0.03952 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Basisstrom: 16.255 Milliampere --> 0.016255 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

A_dc = i_c/i_b --> 0.03952/0.016255

Auswerten ... ...

A_dc = 2.43125192248539

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

2.43125192248539 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

2.43125192248539 ≈ 2.431252 <-- Gleichstromverstärkung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 18 Eigenschaften des Transistorverstärkers Taschenrechner

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

Gehen Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source

Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz

Gehen Effektive Spannung = sqrt(2*Sättigungsstrom/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)))

Eingangsspannung gegeben Signalspannung

Gehen Grundkomponentenspannung = (Endlicher Eingangswiderstand/(Endlicher Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*Kleine Signalspannung

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2

Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors

Gehen Transkonduktanzparameter = Stromverbrauch/((Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source)

Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source

Drainstrom des Transistors

Gehen Stromverbrauch = (Grundkomponentenspannung+Gesamte momentane Entladespannung)/Abflusswiderstand

Gesamte momentane Drain-Spannung

Gehen Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch

Eingangsspannung im Transistor

Gehen Grundkomponentenspannung = Abflusswiderstand*Stromverbrauch-Gesamte momentane Entladespannung

Steilheit von Transistorverstärkern

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = (2*Stromverbrauch)/(Spannung über Oxid-Grenzspannung)

Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal

Gehen Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung

Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Grundkomponentenspannung/Basisstrom

Ausgangswiderstand des gemeinsamen Gate-Schaltkreises bei gegebener Testspannung

Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Verstärkereingang des Transistorverstärkers

Gehen Verstärkereingang = Eingangswiderstand*Eingangsstrom

Gleichstromverstärkung des Verstärkers

Gehen Gleichstromverstärkung = Kollektorstrom/Basisstrom

Eingangswiderstand der Common-Gate-Schaltung

Gehen Eingangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Teststrom des Transistorverstärkers

Gehen Teststrom = Prüfspannung/Eingangswiderstand

Gleichstromverstärkung des Verstärkers Formel

Gleichstromverstärkung = Kollektorstrom/Basisstrom
A_dc = i_c/i_b

Was ist ein gewöhnlicher Drain-Verstärker?

Ein Common-Drain-Verstärker ist ein Verstärker, bei dem das Eingangssignal an das Gate angelegt und der Ausgang von der Source genommen wird, wodurch der Drain beiden gemeinsam ist. Da dies üblich ist, ist kein Drain-Widerstand erforderlich. Ein Common-Drain-Verstärker ist unten gezeigt. Ein Common-Drain-Verstärker wird auch als Source-Follower bezeichnet.

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