Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung Taschenrechner

✖Der Transkonduktanzparameter des Prozesses ist das Produkt der Mobilität der Elektronen im Kanal und der Oxidkapazität.ⓘ Transkonduktanzparameter verarbeiten [k'_n]			+10% -10%
✖Die Kanalbreite ist die Abmessung des Kanals des MOSFET.ⓘ Breite des Kanals [W_c]			+10% -10%
✖Die Länge des Kanals L, also der Abstand zwischen den beiden -p-Übergängen.ⓘ Länge des Kanals [L]			+10% -10%
✖Als effektive Spannung oder Übersteuerungsspannung wird der Überschuss der Spannung am Oxid gegenüber der thermischen Spannung bezeichnet.ⓘ Effektive Spannung [V_ov]			+10% -10%

✖Der Sättigungs-Drain-Strom ist als Strom unterhalb des Schwellenwerts definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.ⓘ Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung [i_ds]

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Formel

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Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

Formel

`"i"_{"ds"} = 1/2*"k'"_{"n"}*("W"_{"c"}/"L")*("V"_{"ov"})^2`

Beispiel

`"4.724903mA"=1/2*"0.2A/V²"*("10.15μm"/"3.25μm")*("0.123V")^2`

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Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungs-Drain-Strom ist als Strom unterhalb des Schwellenwerts definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.
Transkonduktanzparameter verarbeiten - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Transkonduktanzparameter des Prozesses ist das Produkt der Mobilität der Elektronen im Kanal und der Oxidkapazität.
Breite des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Kanalbreite ist die Abmessung des Kanals des MOSFET.
Länge des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Länge des Kanals L, also der Abstand zwischen den beiden -p-Übergängen.
Effektive Spannung - (Gemessen in Volt) - Als effektive Spannung oder Übersteuerungsspannung wird der Überschuss der Spannung am Oxid gegenüber der thermischen Spannung bezeichnet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanzparameter verarbeiten: 0.2 Ampere pro Quadratvolt --> 0.2 Ampere pro Quadratvolt Keine Konvertierung erforderlich
Breite des Kanals: 10.15 Mikrometer --> 1.015E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Länge des Kanals: 3.25 Mikrometer --> 3.25E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Effektive Spannung: 0.123 Volt --> 0.123 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2 --> 1/2*0.2*(1.015E-05/3.25E-06)*(0.123)^2

Auswerten ... ...

i_ds = 0.00472490307692308

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00472490307692308 Ampere -->4.72490307692308 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

4.72490307692308 ≈ 4.724903 Milliampere <-- Sättigungsstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 18 Eigenschaften des Transistorverstärkers Taschenrechner

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

Gehen Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source

Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz

Gehen Effektive Spannung = sqrt(2*Sättigungsstrom/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)))

Eingangsspannung gegeben Signalspannung

Gehen Grundkomponentenspannung = (Endlicher Eingangswiderstand/(Endlicher Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*Kleine Signalspannung

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2

Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors

Gehen Transkonduktanzparameter = Stromverbrauch/((Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source)

Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source

Drainstrom des Transistors

Gehen Stromverbrauch = (Grundkomponentenspannung+Gesamte momentane Entladespannung)/Abflusswiderstand

Gesamte momentane Drain-Spannung

Gehen Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch

Eingangsspannung im Transistor

Gehen Grundkomponentenspannung = Abflusswiderstand*Stromverbrauch-Gesamte momentane Entladespannung

Steilheit von Transistorverstärkern

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = (2*Stromverbrauch)/(Spannung über Oxid-Grenzspannung)

Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal

Gehen Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung

Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Grundkomponentenspannung/Basisstrom

Ausgangswiderstand des gemeinsamen Gate-Schaltkreises bei gegebener Testspannung

Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Verstärkereingang des Transistorverstärkers

Gehen Verstärkereingang = Eingangswiderstand*Eingangsstrom

Gleichstromverstärkung des Verstärkers

Gehen Gleichstromverstärkung = Kollektorstrom/Basisstrom

Eingangswiderstand der Common-Gate-Schaltung

Gehen Eingangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Teststrom des Transistorverstärkers

Gehen Teststrom = Prüfspannung/Eingangswiderstand

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung Formel

Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2

Was ist Drainstrom im MOSFET?

Der Drainstrom unterhalb der Schwellenspannung ist als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit Vgs. Der Kehrwert der Steigung der logarithmischen (Ids) gegenüber der Vgs-Charakteristik wird als die Unterschwellensteigung S definiert und ist eine der kritischsten Leistungsmetriken für MOSFETs in logischen Anwendungen.

Wie viel Strom kann ein MOSFET verarbeiten?

MOSFETs mit hoher Stromstärke wie der 511-STP200N3LL geben an, dass sie 120 Ampere Strom verarbeiten können. Der Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz MOSFET, hat einen extrem hohen Eingangs-Gate-Widerstand, wobei der durch den Kanal zwischen Source und Drain fließende Strom durch die Gate-Spannung gesteuert wird.

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