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   Eigenschaften des Transistorverstärkers Pdf
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Inhalt des Eigenschaften des Transistorverstärkers-PDFs

Liste von 18 Eigenschaften des Transistorverstärkers Formeln

Ausgangswiderstand des gemeinsamen Gate-Schaltkreises bei gegebener Testspannung
​Gehen
Drainstrom des Transistors
​Gehen
Eingangsspannung gegeben Signalspannung
​Gehen
Eingangsspannung im Transistor
​Gehen
Eingangswiderstand der Common-Gate-Schaltung
​Gehen
Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers
​Gehen
Gesamte momentane Drain-Spannung
​Gehen
Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz
​Gehen
Gleichstromverstärkung des Verstärkers
​Gehen
Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source
​Gehen
Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal
​Gehen
Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers
​Gehen
Steilheit von Transistorverstärkern
​Gehen
Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt
​Gehen
Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung
​Gehen
Teststrom des Transistorverstärkers
​Gehen
Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors
​Gehen
Verstärkereingang des Transistorverstärkers
​Gehen

In Eigenschaften des Transistorverstärkers PDF verwendete Variablen

  1. Adc Gleichstromverstärkung
  2. Cox Oxidkapazität (Farad pro Quadratmeter)
  3. gmp MOSFET-Primärtranskonduktanz (Millisiemens)
  4. ib Basisstrom (Milliampere)
  5. ic Kollektorstrom (Milliampere)
  6. id Stromverbrauch (Milliampere)
  7. ids Sättigungsstrom (Milliampere)
  8. iin Eingangsstrom (Milliampere)
  9. io Ausgangsstrom (Milliampere)
  10. ise Signalstrom im Emitter (Milliampere)
  11. ix Teststrom (Milliampere)
  12. k'n Transkonduktanzparameter verarbeiten (Ampere pro Quadratvolt)
  13. Kn Transkonduktanzparameter (Milliampere pro Quadratvolt)
  14. L Länge des Kanals (Mikrometer)
  15. Rd Abflusswiderstand (Kiloohm)
  16. Re Emitterwiderstand (Kiloohm)
  17. Rfi Endlicher Eingangswiderstand (Kiloohm)
  18. Rin Eingangswiderstand (Kiloohm)
  19. Rout Endlicher Ausgangswiderstand (Kiloohm)
  20. Rsig Signalwiderstand (Kiloohm)
  21. Vd Gesamte momentane Entladespannung (Volt)
  22. Vds Sättigungsspannung zwischen Drain und Source (Volt)
  23. Vfc Grundkomponentenspannung (Volt)
  24. Vgs Spannung zwischen Gate und Source (Volt)
  25. Vip Verstärkereingang (Volt)
  26. Vov Effektive Spannung (Volt)
  27. Vox Spannung über Oxid (Volt)
  28. Vsig Kleine Signalspannung (Volt)
  29. Vt Grenzspannung (Volt)
  30. Vx Prüfspannung (Volt)
  31. Wc Breite des Kanals (Mikrometer)
  32. μe Mobilität des Elektrons (Quadratmeter pro Volt pro Sekunde)

Konstanten, Funktionen und Messungen, die in Eigenschaften des Transistorverstärkers PDF verwendet werden

  1. Funktion: sqrt, sqrt(Number)
    Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.
  2. Messung: Länge in Mikrometer (μm)
    Länge Einheitenumrechnung
  3. Messung: Elektrischer Strom in Milliampere (mA)
    Elektrischer Strom Einheitenumrechnung
  4. Messung: Elektrischer Widerstand in Kiloohm (kΩ)
    Elektrischer Widerstand Einheitenumrechnung
  5. Messung: Elektrisches Potenzial in Volt (V)
    Elektrisches Potenzial Einheitenumrechnung
  6. Messung: Mobilität in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde (m²/V*s)
    Mobilität Einheitenumrechnung
  7. Messung: Oxidkapazität pro Flächeneinheit in Farad pro Quadratmeter (F/m²)
    Oxidkapazität pro Flächeneinheit Einheitenumrechnung
  8. Messung: Steilheit in Millisiemens (mS)
    Steilheit Einheitenumrechnung
  9. Messung: Steilheitsparameter in Ampere pro Quadratvolt (A/V²), Milliampere pro Quadratvolt (mA/V²)
    Steilheitsparameter Einheitenumrechnung
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