✖Die Breite des Verarmungsbereichs in einer typischen Si-Diode reicht von einem Bruchteil eines Mikrometers bis zu mehreren zehn Mikrometern, abhängig von der Bauteilgeometrie, dem Dotierungsprofil und der externen Vorspannung.ⓘ Breite der Verarmungsregion [Ld] | | | +10% -10% |
✖Die effektive Kanallänge ist definiert als der Pfad, der die Ladungsträger zwischen Drain und Source verbindet.ⓘ Effektive Kanallänge [Leff] | | | +10% -10% |