Transkonduktanz im MESFET Taschenrechner

✖Die Gate-Source-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MESFET oder anderer Transistortypen besteht.ⓘ Gate-Source-Kapazität [C_gs]			+10% -10%
✖Die Grenzfrequenz wird als Eckfrequenz definiert und ist eine Grenze im Frequenzgang des Systems, bei der die durch das System fließende Energie eher reduziert als durchgelassen wird.ⓘ Grenzfrequenz [f_co]			+10% -10%

✖Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Drain-Stroms zur Änderung der Gate-Source-Spannung unter der Annahme einer konstanten Drain-Source-Spannung.ⓘ Transkonduktanz im MESFET [g_m]

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Formel

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Transkonduktanz im MESFET

Formel

`"g"_{"m"} = 2*"C"_{"gs"}*pi*"f"_{"co"}`

Beispiel

`"0.050035S"=2*"265μF"*pi*"30.05Hz"`

Taschenrechner

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Transkonduktanz im MESFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Transkonduktanz = 2*Gate-Source-Kapazität*pi*Grenzfrequenz
g_m = 2*C_gs*pi*f_co
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 3 Variablen

Verwendete Konstanten

pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288

Verwendete Variablen

Transkonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Drain-Stroms zur Änderung der Gate-Source-Spannung unter der Annahme einer konstanten Drain-Source-Spannung.
Gate-Source-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Source-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MESFET oder anderer Transistortypen besteht.
Grenzfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Grenzfrequenz wird als Eckfrequenz definiert und ist eine Grenze im Frequenzgang des Systems, bei der die durch das System fließende Energie eher reduziert als durchgelassen wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gate-Source-Kapazität: 265 Mikrofarad --> 0.000265 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Grenzfrequenz: 30.05 Hertz --> 30.05 Hertz Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

g_m = 2*C_gs*pi*f_co --> 2*0.000265*pi*30.05

Auswerten ... ...

g_m = 0.0500345753973978

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0500345753973978 Siemens --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0500345753973978 ≈ 0.050035 Siemens <-- Transkonduktanz

(Berechnung in 00.008 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 13 MESFET-Eigenschaften Taschenrechner

Grenzfrequenz unter Verwendung der Maximalfrequenz

Gehen Grenzfrequenz = (2*Maximale Schwingungsfrequenz)/(sqrt(Abflusswiderstand/(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)))

Gate-Metallisierungswiderstand

Gehen Gate-Metallisierungswiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand)

Eingangswiderstand

Gehen Eingangswiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Gate-Metallisierungswiderstand+Quellenwiderstand)

Quellenwiderstand

Gehen Quellenwiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)

Drain-Widerstand des MESFET

Gehen Abflusswiderstand = ((4*Maximale Schwingungsfrequenz^2)/Grenzfrequenz^2)*(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)

Transkonduktanz im Sättigungsbereich

Gehen Transkonduktanz = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Schottky-Diodenpotentialbarriere-Gate-Spannung)/Spannung abklemmen))

Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = (Einheitsgewinnfrequenz/2)*sqrt(Abflusswiderstand/Gate-Metallisierungswiderstand)

Maximale Schwingungsfrequenz bei gegebener Transkonduktanz

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = Transkonduktanz/(pi*Gate-Source-Kapazität)

Gate-Länge des MESFET

Gehen Torlänge = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Grenzfrequenz)

Grenzfrequenz

Gehen Grenzfrequenz = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Torlänge)

Grenzfrequenz bei gegebener Transkonduktanz und Kapazität

Gehen Grenzfrequenz = Transkonduktanz/(2*pi*Gate-Source-Kapazität)

Gate-Source-Kapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz)

Transkonduktanz im MESFET

Gehen Transkonduktanz = 2*Gate-Source-Kapazität*pi*Grenzfrequenz

Transkonduktanz im MESFET Formel

Transkonduktanz = 2*Gate-Source-Kapazität*pi*Grenzfrequenz
g_m = 2*C_gs*pi*f_co

Welche Anwendungen gibt es für MESFET?

MESFETs eignen sich aufgrund ihrer hohen Durchbruchspannung und geringen Eingangskapazität besonders für Hochfrequenzanwendungen und sind daher ein wesentlicher Bestandteil moderner elektronischer Systeme.

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