Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source Taschenrechner

✖Der Transkonduktanzparameter ist das Produkt des Prozesstranskonduktanzparameters und des Transistor-Seitenverhältnisses (W/L).ⓘ Transkonduktanzparameter [K_n]			+10% -10%
✖Die Spannung am Oxid ist auf die Ladung an der Oxid-Halbleiter-Grenzfläche zurückzuführen und der dritte Term ist auf die Ladungsdichte im Oxid zurückzuführen.ⓘ Spannung über Oxid [V_ox]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [V_t]			+10% -10%
✖Die Spannung zwischen Gate und Source ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.ⓘ Spannung zwischen Gate und Source [V_gs]			+10% -10%

✖Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung wird als Strom unterhalb der Schwelle definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.ⓘ Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source [i_d]

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Formel

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Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source

Formel

`"i"_{"d"} = "K"_{"n"}*("V"_{"ox"}-"V"_{"t"})*"V"_{"gs"}`

Beispiel

`"17.48907mA"="2.95mA/V²"*("3.775V"-"2V")*"3.34V"`

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Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung wird als Strom unterhalb der Schwelle definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.
Transkonduktanzparameter - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Transkonduktanzparameter ist das Produkt des Prozesstranskonduktanzparameters und des Transistor-Seitenverhältnisses (W/L).
Spannung über Oxid - (Gemessen in Volt) - Die Spannung am Oxid ist auf die Ladung an der Oxid-Halbleiter-Grenzfläche zurückzuführen und der dritte Term ist auf die Ladungsdichte im Oxid zurückzuführen.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.
Spannung zwischen Gate und Source - (Gemessen in Volt) - Die Spannung zwischen Gate und Source ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanzparameter: 2.95 Milliampere pro Quadratvolt --> 0.00295 Ampere pro Quadratvolt (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Spannung über Oxid: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Spannung zwischen Gate und Source: 3.34 Volt --> 3.34 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs --> 0.00295*(3.775-2)*3.34

Auswerten ... ...

i_d = 0.017489075

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.017489075 Ampere -->17.489075 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

17.489075 ≈ 17.48907 Milliampere <-- Stromverbrauch

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Prahalad Singh

Jaipur Engineering College und Forschungszentrum (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner verifiziert!

< 18 Eigenschaften des Transistorverstärkers Taschenrechner

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

Gehen Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source

Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz

Gehen Effektive Spannung = sqrt(2*Sättigungsstrom/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)))

Eingangsspannung gegeben Signalspannung

Gehen Grundkomponentenspannung = (Endlicher Eingangswiderstand/(Endlicher Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*Kleine Signalspannung

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2

Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors

Gehen Transkonduktanzparameter = Stromverbrauch/((Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source)

Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source

Drainstrom des Transistors

Gehen Stromverbrauch = (Grundkomponentenspannung+Gesamte momentane Entladespannung)/Abflusswiderstand

Gesamte momentane Drain-Spannung

Gehen Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch

Eingangsspannung im Transistor

Gehen Grundkomponentenspannung = Abflusswiderstand*Stromverbrauch-Gesamte momentane Entladespannung

Steilheit von Transistorverstärkern

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = (2*Stromverbrauch)/(Spannung über Oxid-Grenzspannung)

Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal

Gehen Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung

Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Grundkomponentenspannung/Basisstrom

Ausgangswiderstand des gemeinsamen Gate-Schaltkreises bei gegebener Testspannung

Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Verstärkereingang des Transistorverstärkers

Gehen Verstärkereingang = Eingangswiderstand*Eingangsstrom

Gleichstromverstärkung des Verstärkers

Gehen Gleichstromverstärkung = Kollektorstrom/Basisstrom

Eingangswiderstand der Common-Gate-Schaltung

Gehen Eingangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Teststrom des Transistorverstärkers

Gehen Teststrom = Prüfspannung/Eingangswiderstand

< 18 CV-Aktionen gängiger Bühnenverstärker Taschenrechner

Ausgangsspannung des Controlled Source Transistors

Gehen Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung = (Spannungsverstärkung*Elektrischer Strom-Kurzschlusstranskonduktanz*Differenzielles Ausgangssignal)*(1/Endgültiger Widerstand+1/Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors

Gehen Abflusswiderstand = Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung+2*Endlicher Widerstand+2*Endlicher Widerstand*MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung

Eingangswiderstand der Common-Base-Schaltung

Gehen Eingangswiderstand = (Emitterwiderstand*(Endlicher Ausgangswiderstand+Lastwiderstand))/(Endlicher Ausgangswiderstand+(Lastwiderstand/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)))

Ausgangswiderstand des Emitter-degenerierten CE-Verstärkers

Gehen Abflusswiderstand = Endlicher Ausgangswiderstand+(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Emitterwiderstand+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)

Eingangswiderstand des Common-Emitter-Verstärkers bei gegebenem Kleinsignal-Eingangswiderstand

Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/(Kleinsignal-Eingangswiderstand+(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)*Emitterwiderstand))^-1

Ausgangswiderstand des CS-Verstärkers mit Quellwiderstand

Gehen Abflusswiderstand = Endlicher Ausgangswiderstand+Quellenwiderstand+(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand*Quellenwiderstand)

Eingangswiderstand des Common-Emitter-Verstärkers bei gegebenem Emitterwiderstand

Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/((Totaler Widerstand+Emitterwiderstand)*(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)))^-1

Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source

Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Einheitsgewinnfrequenz*(Gate-Source-Kapazität+Kapazitäts-Gate zum Drain)

Eingangswiderstand des Verstärkers mit gemeinsamem Emitter

Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1

Eingangsimpedanz des Common-Base-Verstärkers

Gehen Eingangsimpedanz = (1/Emitterwiderstand+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^(-1)

Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal

Gehen Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung

Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Grundkomponentenspannung/Basisstrom

Grundspannung im Common-Emitter-Verstärker

Gehen Grundkomponentenspannung = Eingangswiderstand*Basisstrom

Lastspannung des CS-Verstärkers

Gehen Lastspannung = Spannungsverstärkung*Eingangsspannung

Widerstand des Emitters im Common-Base-Verstärker

Gehen Emitterwiderstand = Eingangsspannung/Emitterstrom

Emitterstrom des Verstärkers in Basisschaltung

Gehen Emitterstrom = Eingangsspannung/Emitterwiderstand

Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source Formel

Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs

Was ist MOSFET und seine Anwendung?

Der MOSFET wird zum Schalten oder Verstärken von Signalen verwendet. Die Fähigkeit, die Leitfähigkeit mit der Menge der angelegten Spannung zu ändern, kann zum Verstärken oder Schalten elektronischer Signale verwendet werden. MOSFETs sind heute in digitalen und analogen Schaltungen noch häufiger als BJTs (Bipolartransistoren).

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